KTiOAsO4晶体的铁电畴与位错的多种实验方法研究

利用原子力显微镜，同步辐射X射线形貌术和化学腐蚀光学显微等方法深入研究了KTiOAsO4晶体缺陷中的铁电畴和位错。首次用原子力显微镜给出了用两种腐蚀剂腐蚀过的KTA晶体表面的铁电畴和位错蚀坑的照片及定量信息，如发现铁电畴的明区要高于暗区，且两者的粗糙度明显不同。这为研究各种晶体的生长缺陷开辟了一条新的途径。     

LiNdP4O12晶体的生长缺陷

LiNdP4O12（LNP）晶体是一种新型的激光材料。本文报道了用同步辐射X射线白光形貌术和光学显微法研究由助熔剂籽晶旋转法生长的LNP晶体的生长缺陷，观察到了圆形生长台阶及精细的系列台阶结构，对晶体中的包裹物和位错缺陷等进行了详细的观察描述，还发现了一种比较奇特的腐蚀沟槽，分析了这种腐蚀沟槽的形成机理及各种缺陷的成因和克服办法。     

Bi4Ti3O12铁电薄膜X射线光电子能谱研究

本文采用化学溶液沉积（ＣＳＤ）工艺在Ｓｉ（１００）衬底上制备了Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２铁电薄膜，这种薄膜的Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）结果显示其具有较好的结晶性。运用Ｘ射线光电能谱仪（ＸＰＳ）对薄膜的结构进行了研究，分析结果表明，衬底中Ｓｉ向镀在其上的Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２膜层内扩散，影响扩散的主要因素是膜厚及退火温度。     

α—AlPO4单晶的压电和弹性性质研究

用缓慢升温法在高压釜中生长了α-AlPO₄单晶体;用传输法测量了室温下α-AlPO₄单晶体的压电、弹性和介电常数,研究了晶体中缺陷对电性能的影响。 关键词：     

五磷酸钕晶体中铁弹畴界的X射线形貌研究

利用X射线衍射形貌法,研究了五磷酸钕(NdP₅O₁₄)晶体中铁弹畴界的衍射衬度。发现在μt=0.6—7范围内,畴界呈现黑的或白的衬度。畴界衍射衬度的特征可归结为(c₂-c₁=)△c∥g畴界衬度明显△c⊥g畴界衬度消失△c·g>0畴界呈黑衬度△c·g<0畴界呈白衬度利用Penuing-Polder波点迁移原理,对畴界的衬度形成原理做了定性解释。根据畴界的衍射衬度特征,定性讨论了畴界的结构特征。 关键词：     

利用原子力显微镜研究KTiOAsO4晶体的铁电畴

利用原子力显微镜研究了KTiOAsO4晶体的铁电畴,发现了这一实验方法的诸多特点,如放大倍数高,可以得到晶体表面的定量信息等,得到了KTiOAsO4晶体铁电畴的原子力显微镜照片,并结合化学腐蚀光学显微法的实验结果进行了研究,最后对铁电畴的机制与消除进行了理论讨论。     

利用同步辐射形貌术研究晶体缺陷的实验方法探讨

利用同步辐射X射线形貌术研究晶体缺陷,是近年来发展起来的一种优良的实验方法,本文在研究LNP等晶体缺陷的同时,对这种实验方法进行了系统的探讨,讨论了散射光的消除,焦距的选择,样品的透明度与厚度,曝光的时间,底片的冲洗等问题,以及在缺陷研究中对晶体衍射的劳厄斑点的选取依据。     

磷酸铝(α-AlPO_4)单晶旋光性的研究

本文研究了磷酸铝单晶的旋光特性.用偏光显微镜观察了晶体的锥光干涉图、埃拉螺旋图;测量了晶体的旋光率、旋光率随波长和温度的变化.指出该晶体旋光性质是受晶体中Al-O及P-O四面体的旋向和随温度的变化所制约.     

α—AlPO_4单晶的压电和弹性性质研究

用缓慢升温法在高压釜中生长了α-AlPO_4单晶体;用传输法测量了室温下α-AlPO_4单晶体的压电、弹性和介电常数,研究了晶体中缺陷对电性能的影响。     

利用同步辐射形貌术研究晶体缺陷的实验方法探讨

利用同步辐射X射线形貌术研究晶体缺陷．是近年来发展起来的一种优良的实验方法．本文在研究LNP等晶体缺陷的同时,对这种实验方法进行了系统的探讨,讨论了散射光的消除、焦距的选择、样品的透明度与厚度、曝光的时间、底片的冲洗答问题．以及在缺陷研究中对晶体衍射的劳厄斑点的选取依据．