等离子体源离子注入（I）──原理和技术

等离子体源离子注入（ＰＳＩＩ）是用于材料表面改性的一种新的、廉价的、非视线技术，它消除了一般束线离子注入（ＩＢＩＩ）所固有的视线限制，克服了保持剂量问题，使注入装置变得简单和价廉。介绍了ＰＳＩＩ过程、装置和基本物理与技术问题，也介绍了在美国威斯康辛大学和哈尔滨工业大学ＰＳＩＩ研究室中进行的ＰＳＩＩ技术研究及其工业应用的初步结果。     

等离子体源离子注入——一种材料表面改性的新技术

本文介绍了近几年发展起来的一种新型离子注入技术——等离子体源离子注入（Ｐｌａｓｍａ Ｓｏｕｒｃｅｌｏｎ　ｌｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ，简称 ＰＳＩＩ）——的原理、装置和应用．除可应用于半导体外，这一技术应可满足金属或非金属材料表面改性的需要．实践证明它是一种极有开拓前景的离子注入技术．     

等离子体源离子注入（Ⅱ）—技术扩展和初步研究结果

等离子体源离子注入（Ⅱ）──技术扩展和初步研究结果汤宝寅（哈尔滨工业大学，哈尔滨１５０００６）在ｐｓｌｌ前期研究工作上，我们主要集中在室温下气体离子注入，主要是氮离子注入。初步研究结果表明，ＰＳＩＩ氮离子注入能够显著提高某些材料的表面硬度和抗磨损特性...     

角分辨XPS对自组装单分子层厚度和官能团位置的定性及定量研究

用角分辨ＸＰＳ（Ａｎｇｌｅ－ｒｅｓｏｌｖｅｄＸＰＳ）研究研究了ＨＳ（ＣＨ２）１０ＣＯＯＨ（Ｉ）ＨＳ（ＣＨ２）３ＯＣ６Ｈ４Ｎ＝ＮＣ６Ｈ４（ＣＨ２）７ＣＨ３（ＩＩ）和ＨＳ（ＣＨ２）６ＨＳ（Ⅲ）３种分子在Ａｕ膜表面制备的自组装单分子层，得出了（Ｉ）中Ｓ原子，（Ⅱ）中Ｓ，Ｎ原子距膜表面的垂直距离，并结合构象分析确定了分子的取向和倾角，对分子（Ⅲ）则得出分子在紫外光照射下氧化反应的选择性，发现氧化主要在底层     

微机控制的CARS实验装置及三氯甲烷的CARS谱

用 ＡＰＰＬＢ ＩＩ微机实现了包括激光触发，波长调谐，相位匹配角计算和调整，探测波长自动跟踪以及数据采集和处理等过程的ＣＡＲＳ（相干反斯托克斯拉曼散射）实验目动化．给出了三氯甲烷的ＣＡＲＳ谱，证明了装置的可靠性．     

用于材料表面改性的多功能等离子体浸没离子注入装置

详细叙述了新近研制的多功能等离子体浸没离子注入（ＰⅢ）装置，在装置设计中，考虑了等离子体产生手段、高压脉冲电源和真空抽气系统多项功能要求，把离子注入、涂敷和溅射沉积结合起来，该已实现了多种气体等离子体注入、气－固离子混合与注入、金属等离子体沉积与注入、离子束混合与离子束增强沉积等，以满足不同材料制成的不同零件对多种表面处理工艺的需要，初步应用结果证明，该装置对于改进４５号钢、Ｔｉ－６Ａｌ０－４Ｖ和     

电子背散射花样分析及其应用

系统地介绍了电子背散射花样（ＥＢＳＰ）分析技术的近年进展，阐明了ＥＢＳＰ产生的原理和机制，并对获得ＥＢＳＰ的仪器条件和有关测量分析问题进行了概述，由于这种分析技术具有高的空间分辨率，可以在１μｍ的微区内进行晶体位向和位向关系分析，结晶相鉴定和晶体应变等方面工作，故它是近代材料科学研究中的一种有力工具。     

阈值光电子分析器及其在原子分子光电离研究中的应用

合肥国家同步辐射实验室（ＮＳＲＬ）光化学实验站上，国内首例用于研究原子、分子结构的阈值光电子谱（ＴＰＥＳ）技术。系统给出了阈值光电子分析器的结构和原理、检测控制系统、性能测试以及提高系统分辨率的措施和想法等，用该装置获得了一些分子的阈值光电子谱、及采用离子飞行时间质谱（ＴＯＦＭＳ）得到的光离子效率谱（ＰＩＥＳ）。用Ａｒ￣＋（￣２Ｐ＿（１／２）和Ｋｒ￣＋（￣２Ｐ＿（１／２）峰作标定，我们的阈值光电子分析器分别获得了２０ｍｅｖ和１７ｍｅＶ能量分辨（ＦＷＨＭ）。通过对Ｎ＿２分子在６３０－８１０振动态和Ｒｇｄｂｅｒｇ自电离态的初步探讨可知该系统性能。     

SPECT研制及其影像研究

对单光子发射型计算机断层（ＳＰＥＣＴ）方面的研制和开展ＳＰＥＣＴ影像研究进行了描述，介绍了ＳＰＥＣＴ的基本组成，性能指标和临床软件，为提高ＳＰＥＣＴ影像的质量，提出了ＳＰＥＣＴ分辨率和灵敏度方面所作改进的建议和计算机仿真在ＳＰＥＣＴ中的应用。     

宽禁带II—VI族化合物半导体薄膜及超晶格的外延生长及特性研究

介绍了宽禁带ＩＩ－ＶＩ族化合物半导体ＺｎＳｅ，ＺｎＳＳｅ和ＺｎＣｄＳｅ外延膜及它们的超晶格的分子束外延生长。用Ｘ射线衍射法（ＸＲＤ）和光致发光（ＰＬ）法分别对其结构特性和光学特性进行了研究。尤其是对超晶格样品所进行的温度变化的ＰＬ研究，得出了对于ＺｎＳｅ／ＺｎＳＳｅ超晶格，其激子激活能（Ｅａｃｔ）仅为１７ｍｅＶ，我们用ＺｎＳｅ／ＺｎＳＳｅ导带不连续较小来解释这个结果。而对于ＺｎＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ超     

自由基和激发态原子分子反应装置

自由基和激发态原子分子反应装置是一台综合了分子束技术，激光诱导荧光技术，共振多光子电离技术及质谱和化学发光光谱测量技术相结合的功能比较齐全的分子反应动力学研究装置。利用稀有气体（Ｈｅ，Ａｒ，Ｘｅ）亚稳态与Ｎ２，ＣＳ２等分子碰撞传能发射光谱测量及Ｃ（＾３Ｐ）＋Ｎ２Ｏ（Ｘ＾１Σ＾＋）反应产物ＣＮ（Ｘ＾２Σ＾＋，Ｖ＾ｎ）的激光激发谱测定证实了这台装置具有良好的工作性能。并将装置分为超音束源，质谱室及激光     

工业中的现代表面分析技术(Ⅰ) 主要仪器和方法简介

本文扼要地介绍了几种工业中常用的现代表面分析仪器和方法，如俄歇电子谱（ＡＥＳ）、Ｘ－射线光电子谱（ＸＰＳ）［或称化学分析用电子谱（ＥＳＣＡ）］、二次离子质谱（ＳＩＭＳ）等的基本工作原理、仪器结构、使用方法及其特点，简单讨论了与表面分析有关的超高真空技术、样品表面的清洁、离子束溅射及无损检测等问题．     

光电子能谱研究O2和Rb在InSb（111）表面上共吸附

本文利用光电子能谱（ＸＰＳ和ＵＰＳ）技术研究了室温下Ｏ２和Ｒｂ在ＩｎＳｂ（１１１）表面上共吸附，分析了碱金属Ｒｂ在ＩｎＳｂ（１１１）表面上吸附的键合状态以及对衬底的催化氧化作用。结果表明，Ｒｂ与ＩｎＳｂ表面上的Ｓｂ发生化学反应，Ｒｂ在ＩｎＳｂ表面上吸附提高了衬底表面的氧化速率，衬底表面上的Ｉｎ和Ｓｂ被氧化，分别生成锑和铟的氧化物。在Ｏ２吸附的过程中，还观察到两种Ｒｂ的氧化物，即过氧化铷（Ｒｂ２Ｏ２     

光热偏转光谱检测水中氟离子含量

本文应用光热偏转光谱（ＰＤＳ）检测水中微量元素氟离子的含量。它克服了常规光度方法测量溶液浓度中存在的二个干扰因素的影响，提高了检测灵敏度。讨论了ＰＤＳ信号随调制频率、泵浦光功率、探测光功率的变化，优化了测量装置的参数选择。     

光热偏转光谱检测水中氯离子含量

本文应用光热偏转光谱（ＰＤＳ）检测水中微量元素氟离子的含量。它克服 常规光度方法测量溶液浓度中存在的二个干扰因素的影响，提高了检测灵敏度。讨论了ＰＤＳ信号随调制频率，泵浦光功率、探测光功率的变化，优化了测量装置的参数选择。     

主动光纤

光纤通信领域中引起人们广泛关注的物理问题是光纤中的非线性效应，其中包括光纤受激喇曼散射和布里渊散射（ＢＳＲＳ，ＢＳＢＳ）、光纤克尔效应（ＢＫＦ）、光纤四波混频（ＢＦＷＭ）、光纤自相位调制（ＢＳＰＭ）与光孤子（Ｓｏｌｉｔｏｎ）效应等．这些效应赋予光纤以“主动性”，为其开辟了广阔的重要应用前景．本文从这些效应的基础─—耦合波方程出发，简明地阐述了它们的物理机制，并给出了一些有实际意义的重要结果，包括ＢＳＢＳ和ＢＳＲＳ的增益Ｇ、有效光纤长度Ｌ以及它们的临界功率ＰＢｃ和ＰＲｃ，ＢＫＦ的偏振特性，ＢＳＰＭ的临界功率 Ｐｃ，ＢＦＷＭ的相位匹配条件和新方法等等．文中还对这些效应在光放大等方面的应用以及目前的水平等作了概要介绍．     

硅基低维半导体材料

Ｓｉ／Ｇｅ超晶格外延生长技术的发展和纳米硅（ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ）多孔硅（ＰＳ）发光现象的发现，引起了们们对硅基低材料的关注，文章简要综述了近年来在Ｓｉ／Ｇｅ超晶格的电子态和光学性质以及ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ，ＰＳ的结构和发光机理等方面的研究进展。     

PSII技术中考虑靶表面二次电子发射的等离子体鞘层演变

本文建立了ＰＳＩＩ技术中靶表面有二次电子发射的等离子体鞘层演变平板模型。在某些简化下，对随时间变化的鞘层边界位置和速度作了计算。计算表明，靶表面二次电子发射对鞘层演变影响很小，可忽略不计，这跟实验是相符的。     

Eu（Sm）－DBM－CPB体系的激光感生时间分辨荧光光谱的研究

用自装的激光感生时间分辨荧光光谱装置，研究了Ｅｕ、Ｓｉｎ－二苯甲酰甲烷（ＤＢＭ）体系在阳离子表面活性剂溴代十六烷基吡啶（ＣＰＢ）存在下的光谱特性和荧光衰减动力学特性。给出同时测定Ｅｕ和Ｓｉｎ的激光感生时间分辨荧光光谱分析方法，用于高纯氧化物中痕量Ｅｕ和Ｓｉｎ的测定，获得了满意的结果。     

聚乙烯咔唑超分子膜／p－Si体系的表面光电压谱研究

利用ＬＢ技术，以二十碳酸作辅助成膜材料，在疏水处理的Ｐ－Ｓｉ上分别制备了２、４、６、１０和２０层聚乙烯咔唑（ＰＶＫ）超分子膜。对这种体系的表面光电压谱（ＳＰＳ）研究结果表明，表面光电压随ＰＶＫ膜层数的增加而增强，在紫外区增强较为明显。随着膜层数的增加，表面光电压有趋于饱和的趋势。膜对基底的敏化主要是由于ＰＶＫ的光导电性引起的。