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通过对离子轰击下固体表面电离过程重新考虑认为,在固体表面覆氧或氧离子轰击下除表面原子的直接电离外,激发态双原子间电子交换和断键亦起重要作用。在此基础上修正了局部热力学平衡模型,得到了一个包含各类离子内配分函数、电离能、金属-氧原子键断键能以及表面金属原子与氧原子结合份数等参数决定的新电离几率分析表达式。应用该分析表达式解释了金属表面覆氧、氧离子轰击金属、化合物半导体表面二次离子发射中氧增强效应、充氧量对二次离子发射的影响及其基体效应等实验现象。并由此得到了元素相对灵敏度因子的分析表达式,对化合物半导体及一些陶瓷材料表面二次离子质谱分析中元素灵敏度因子随元素电离能变化曲线给予了相应的物理解释。 相似文献
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第五届个国表面与界面物理学术会议于1988年10月7-10日在兰州举行,来自全国18个省市共150名代表参加了会议.西德Levbold公司、美国Perkin-Flmer公司、法国Comef公司均派代表参加了会议,并在会上介绍了表面分析仪器的新进展. 这次会议是由中国物理学会委托航空航天工业部兰州物理研究所、中国科学院兰州化学物理研究所和兰州大学联合筹办的,并得到了甘肃省科委、中国科学院兰州分院等单位的关心和义持,开幕式由表面与界面物理专业委员会委员范垂祯教授主持,专业委员会副主任委员林彰达教授致开幕词,中国真空学会副理事长、航空航天工业部兰… 相似文献
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覆氧或氧离子轰击下固体表面二交正离子发射的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
通过对离子轰击下固体表面电离过程重新考虑认为,在固体表面覆氧或氧离子轰击下除表面原子的直接电离外,激发态双原子间电子交换和断键亦起重要作用,在此基础上修正了局部热力学平衡模型,得到了一个包含各类离子内配分函数、电离能、金属-氧原子键断键能以及表面金属原子与氧原子结合份数等参数决定的新电离几率分析表达式。应用该分析表达式解释了金属表面覆氧、氧离子轰击金属、化合物半导体表面二次离子发射中氧增强效应、充 相似文献
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以Shimizu提出的定量AES分析关系为基础,作者提出一种可用于二元和多元合金定量AES分析的迭代方法。通过引入合金的原子序数和原子密度的概念,计算了合金中元素的基体效应修正因子。与其它方法不同的是,本法中基体效应修正因子是合金元素浓度的函数,受到整体组分的影响。通过对文献报道的五种典型单相多晶二元合金Ag-Pd,Ni-Pd,Cr-Fe,Mo-Fe和Ni-Mg的定量分析计算发现,本法的分析精密度优于F因子法、K因子法及改进K因子修正法。 相似文献
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近20年来表面分析技术已经渗透到了各个工业部门,由于现代表面分析技术在解决当前工业生产中的实际间题和关键工艺的质量控制中发挥了巨大的作用,所以引起了工业各部门工程技术人员的普遍重视和关注.本文主要讨论了几种主要的现代表面分析技术在电子、冶金、材料、机械和化学等工业生产中的一些应用领域及其典型的应用实例. 相似文献
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利用XPS原位研究了Mg Kα X射线辐照对ITO表面的影响.结果表明,随着X射线辐射时间的延 长,表面辐照区域In,Sn相对含量增加,而O则逐渐减少,同时,In,Sn3d光电子峰随X射线 辐射的增强而变化.分析说明X射线的辐照导致了ITO表面光化学反应,氧的脱离使In,Sn有 被还原的趋势,受损较重的In明显存在亚氧化态.In,Sn俄歇参数的变化进一步证实ITO表面 发生了光化学反应.并讨论了X射线引起ITO表面光化学反应的机制.
关键词:
X射线辐照
光电子能谱
光化学反应 相似文献