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| 光电子能谱研究O2和Rb在InSb（111）表面上共吸附 | |
| 引用本文： | 吴建新,麻茂生.光电子能谱研究O2和Rb在InSb（111）表面上共吸附[J].化学物理学报,1995,8(6):559-563. |
| 作者姓名： | 吴建新 麻茂生 |
| 摘 要： | 本文利用光电子能谱（ＸＰＳ和ＵＰＳ）技术研究了室温下Ｏ２和Ｒｂ在ＩｎＳｂ（１１１）表面上共吸附，分析了碱金属Ｒｂ在ＩｎＳｂ（１１１）表面上吸附的键合状态以及对衬底的催化氧化作用。结果表明，Ｒｂ与ＩｎＳｂ表面上的Ｓｂ发生化学反应，Ｒｂ在ＩｎＳｂ表面上吸附提高了衬底表面的氧化速率，衬底表面上的Ｉｎ和Ｓｂ被氧化，分别生成锑和铟的氧化物。在Ｏ２吸附的过程中，还观察到两种Ｒｂ的氧化物，即过氧化铷（Ｒｂ２Ｏ２ |
| 关 键 词： | 光电子能谱 氧气 铷 铟 锑 半导体表面 吸附 |
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