~3S_1态电子偶素3γ衰变的连续γ射线能谱的全谱测量

采用很轻重量的气凝硅胶样品作为电子偶素源以减小散射γ射线的干扰,把高纯锗γ射线探测器的定时分辨能力在很低能区改进到FWHM=5ns,在具有时间选择功能的高纯锗γ能谱仪上对~3S_1态电子偶素3γ衰变的连续γ能谱进行了全谱测量,所获得的谱形在实验误差内很好地与Ore-Powell理论预言一致,同时否定了他们的统计计算所给出的谱形。     

用联合谱仪方法观察3S1态电子偶素在气凝硅胶中的湮没

用具有时间选择功能的Ge能谱仪(即联合谱仪)观察了气凝硅胶中³S₁电子偶素(o-P_s)的产额和湮没辐射的能谱, 认为电子偶素在气凝硅胶超细微粒中的产生和湮没基本上符合扩散模型, 但微粒表面的作用也不可忽略; 比较正电子在微粒中的自由湮没和长寿命oPs的曳离(pick-off)所产生的多普勒加宽谱, 表明后一过程具有较低的湮没动量.     

在133Cs（n,γ）134Cs反应中产生的同质异能素截面比的测定

本工作是在14.8MeV中子能量下,测定了¹³³Cs（n,γ）¹³⁴Cs反应中产生的¹³⁴Cs同质异能素绝对截面: σ_n,γ^134mCs=1.76±0.14mb; σ_n,γ^134gCs=5.17±0.41mb; σ_n,γ^134m+gCs=6.93±0.55mb;同质异能素截面之比: σ_（134n）Cs/σ_（134g）Cs=0.34±0.03.这个结果与已发表的结果符合得很好。将此结果与用统计模型理论计算的结果比较,预言了自旋切割因子以及γ级联数。     

3S1态电子偶素3γ衰变的γ射线能谱测量

用具有时间选择功能的高纯锗γ能谱仪测量了³S₁态电子偶素3γ衰变放出的连续γ能谱的300—510keV能区。结果表明,在实验误差范围内与量子电动力学理论曲线一致。 关键词：     

金属性氧化物LaCuO3的高氧压合成及Cu3+态的XPS研究

 本文在成功地用超高氧压（~6.5 GPa）及高温（~980 ℃）合成和结构测定的基础上，首次对金属性化合物中LaCuO₃中的Cu³⁺离子给予标定，并研究了它与绝缘体中Cu³⁺的区别。本论文中合成的LaCuO₃为金属性化合物，电导率测量表明在大于13 K无超导电性迹象。XPS测量给出了LaCuO₃中Cu2p_3/2内层电子结合能相对于La₂CuO₄或CuO中的Cu²⁺向高结合能方向移动了约2.6 eV，这一量值远大于NaCuO₂（绝缘体）中的Cu2p_3/2相对于CuO中的Cu²⁺移动的值，约为1.3 eV。Auger谱测量表明，LaCuO₃的修正了的Auger参数与CuO的基本相同，但L₃VV的Auger电子动能相对CuO移动了2.8 eV。这些位移说明在金属性化合物LaCuO₃中，Cu³⁺处在八面体位置上，它与近邻的Cu³⁺连成单个Cu—O—Cu桥，因此可作为对比p型高T_c含铜氧化物的XPS谱的标准。     

Sol-gel法制备Er3+-Yb3+共掺杂Al2O3粉末光致发光特性

采用异丙醇铝[Al(OC₃H₇)₃]为前驱体,溶胶-凝胶(Sol-gel)法制备Er³⁺-Yb³⁺共掺杂Al₂O₃粉末.实验结果表明:900 ℃烧结的粉末为固溶Er³⁺、Yb³⁺的γ-(Al,Er,Yb)₂O₃相和少量θ-(Al,Er,Yb)₂O₃相的混合物.Er³⁺-Yb³⁺共掺杂Al₂O₃粉末具有中心波长为1.533 μm的光致发光(PL)特性.1 mol % Er³⁺和1 mol% Yb³⁺共掺杂的Al₂O₃粉末的PL强度较1 mol % Er³⁺掺杂提高2倍,半峰宽从53 nm增加到63 nm.随泵浦功率的提高,PL强度呈线性增加后渐呈饱和趋势.     

高温高压下C3N6H6分解产物的研究

 采用高温高压方法分解缩聚三聚氰胺（C₃N₆H₆），得到一种棕黑色粉末。经过X射线粉末衍射分析，产物主要由未完全分解的原料、碳和分解过程中的过渡相组成。透射电镜观察结果显示，过渡相在某一方向具有长周期结构；在扫描电镜下观察形貌，产物为片状组织，且其中有少量气孔；X射线能散结果表明，C∶N≈3.27∶1（原子比）；此外，进行了红外吸收谱和X射线光电子能谱测试，产物主要键合状态是C(sp²)＝N和C(sp²)—N。     

MIT口袋模型中的π0→2γ衰变

本文用MIT口袋模型和波包方法计算了π⁰→2γ过程的宽度. 计算发现m_π→0是一个好的近似. MIT口袋模型给出, Γ(π⁰→2γ)∝m³_π/F²_π, 这种形式与Adler的结果相符合, 但数字结果显示, Γ(π⁰→2γ)的理论值是实验值的2.7倍, 这个差主要来自F_π的理论值与实验值的差. 而这个差很强地依赖于MIT口袋模型的方程和边界条件, 从而对MIT口袋模型构成了一个检验.     

双稀土氧化物LnEuO3的Mossbauer效应研究

 本文首次利用高温高压方法合成了双稀土氧化物LaEuO₃、PrEuO₃、NdEuO₃和SmEuO₃。此外，还合成了CeEuO_3.5。X射线衍射分析表明LaEuO₃属A型（六方）结构，PrEuO₃、NdEuO₃和SmEuO₃属B型（单斜）结构，CeEuO_3.5属F型（萤石）结构。室温下用¹⁵¹Eu的21.6 eV γ射线测量了它们的Mossbauer谱，观察到了¹⁵¹Eu同质异能移位和四极劈裂强烈地依赖于Eu离子配位体体积而呈线性关系。超精细相互作用的这种体积效应，主要原因是由于Eu离子5s壳层的重叠畸变所引起。     

硅酸锶掺Er3+的高压合成及发光特性

 首次采用高压高温方法合成了Sr₂SiO₄:Er³⁺Bi³⁺和SrSiO₃:Er³⁺Bi³⁺发光材料，研究了合成压力、合成温度对发光特性的影响。与常压合成产物相比较，发光谱发生了红移；谱线半宽度显著增大；发光强度和量子发光效率下降。X射线衍射分析得出，SrSiO₃:Er³⁺Bi³⁺发生了结构相变，Sr₂SiO₄:Er³⁺Bi³⁺结构未变但晶格参数发生了变化，且主衍射峰强度发生了反转。分析表明，发光特性的变化是压致晶场、库仑及自旋-轨道相互作用的变化引起的。     

双奇核170Re中πh11/2⊙νi13/2带的实验观测及其系统学分析

通过束流能量为166MeV的重离子熔合蒸发反应¹⁴²Nd(³²S,1p3nγ)¹⁷⁰Re, 用在束γ谱学方法研究了¹⁷⁰Re的高自旋激发态, 首次观测到了双奇核¹⁷⁰Re的转动带能级纲图. 应用推转壳模型的基本理论, 进行了简要讨论. 在系统学上发现该转动带与A=170核区双奇核中πh_11/2⊙νi_13/2组态带的旋称劈裂特征及规律相符.     

J/ψ辐射衰变过程中3－+胶子球的产生

本文导出了过程J/ψ→γ+G(3^－+), G(3^－+)→M₁M₂的多重角关联函数, 其中G是J^pc=3^－+的态, M₁和M₂是自旋为零的介子. 本文还讨论了3^－+胶子球态并计算了过程J/ψ→γ+G(3^－+)的螺旋性(helicity)振幅之比. 结果表明, 其中的一个比率与胶子球的质量无关, 其值很小.     

Eu3+离子掺杂钛酸盐纳米管的直接水热合成与发光性能

 采用纳米管制备和离子掺杂同步进行的直接水热合成方法，合成了纯钛酸盐纳米管（TNT）和Eu³⁺离子掺杂的纳米管（TNT-Eu）；并利用X射线衍射（XRD）、透射电子显微镜（TEM）、光致发光谱仪研究了纳米管的形貌特征、物相组成、热稳定性和发光性能。结果显示：这种方法简便易行、稳定性好、产率高。钛酸盐纳米管物相可近似表示为(H,Na)₂Ti₃O₇或(H,Na)₂(Ti,Eu)₃O₇。高温处理对钛酸盐纳米管的结构产生很大的影响，450 ℃下纳米管的层状结构被破坏，晶体结构转化为锐钛矿型的TiO₂。TNT-Eu样品的发光性能较强，出现的393.5 nm、593 nm、614 nm的谱带归属于⁵D₀-⁷F₁和⁵D₀-⁷F₂电子的跃迁。     

B离子对SiO2基质凝胶中Eu3+特征光谱的加强作用

使用正硅酸乙酯、硼酸和硝酸铝为前驱体，硝酸铕为掺杂剂，以溶胶-凝胶法制备了Eu单掺和Eu、B共掺的SiO2干凝胶，并成功地在钠钙玻璃上制备了光洁度很好的掺杂SiO₂多层薄膜.利用荧光光谱、红外光谱（IR）、X射线衍射（XRD）等技术研究了B离子、退火温度对样品发光性能的影响.荧光光谱显示发光体能产生很强的红色发光，经500℃以上退火处理，产生6条谱带，分别归属于Eu³⁺的⁵D₀→⁷F_J（J=0, 1, 2, 3, 4）的电子跃迁, ⁵D₀→⁷F₁的跃迁分裂为两个峰.实验结果表明，B离子的加入，由于在材料中形成了Si-O-B键，使Eu³⁺的配位环境的对称性降低，加强了Eu³⁺的红光发射.退火处理改变了材料的网络结构，降低了水和羟基的含量有助于提高发光强度，但退火温度太高（850℃），发生了荧光猝灭效应，源于稀土离子发生位置迁移形成的团簇.XRD测试结果显示材料是非晶态的.     

SU(2)×U(1)×S3模型及类K0-K0系统的混合和CP破坏效应

本文内容包括:(ⅰ)进一步给出SU(2)×U(1)×S₃模型的结果S₂≈S₃≈(m_s²)/(m_b²);sin δ≤(m_um_d)/(m_cm_s),并预言b夸克的主要衰变道是b→u+W,b夸克的寿命可能长到10^-9秒.(ⅱ)给出类K⁰-K⁰系统混合时的精确表达式ρ=错号事例数/对号事例数=(1/2)(|p/q|²+|q/p|²)([Γ²+(Δm)²]²-(γ1γ2)²)/([Γ²+(Δm)²]²+(γ1γ2)²);并给出CP破坏的精确表达式:A=(1-ρ')/(1+ρ')=(I_M12Γ₁₂^*)/(|M₁₂|²+1/4|Γ₁₂|²),这里ρ′=(负电错号事例数)/(正电错号事例数)。     

~3S_1态电子偶素3γ衰变的γ射线能谱测量

用具有时间选择功能的高纯锗γ能谱仪测量了~3S_1态电子偶素3γ衰变放出的连续γ能谱的300—510keV能区。结果表明,在实验误差范围内与量子电动力学理论曲线一致。     

正电子湮没多普勒谱中的3γ/2γ分析

在慢正电子束研究表面的实验中,一般仍使用高纯Ge γ谱仪测量正电子湮没多普勒展宽能谱,对能谱的分析采用线形参数S,W,这些参数提供的信息有限. 例如,当电子与正电子在材料中形成电子偶素时,简单的线形参数非但不能表征它们,反而因它们的存在使得分析变得复杂. 本工作在对多普勒展宽能谱进行数据处理的过程中,引入正态电子偶素自衰变强度I_3γ参数,建立了从能谱中获得I_3γ参数值的方法. 以标准样品为基准,选用Ag盖帽的气凝硅胶进行I_3γ参数计算,工作表明新参数对研究介孔材料及纳米薄膜能提供更丰富的信息.     

复杂粒子出射几率中聚合几率γβ的能量依赖

复杂粒子出射几率中聚合几率γ_β是一个复杂的函数. 我们假设γ_β=γ_β(A, E)[ε_β/MeV]^χ     

高温高压合成CeTbO3+δ的XPS研究

 经过高温高压合成的CeTbO_3+δ进行了XPS研究，发现在1.0 GPa下，Tb⁴⁺在~600 ℃开始转变成Tb³⁺，而Ce⁴⁺在~800 ℃开始向Ce³⁺转变。在1 000~1 200 ℃形成单相萤石结构化合物CeTbO_3+δ的Ce是以Ce³⁺、Ce⁴⁺混合价形式存在，Tb全部变成Tb³⁺。实验表明，用Ce_3d谱上~888 eV峰的峰位及其与882 eV峰的相对强度变化可以定性判断化合物中是否含有Ce³⁺。研究了高温高压合成的CeTbO_3+δ的稳定性随时间的变化问题。     

相互作用玻色子模型的Dyson表示与（满壳）50(d5/2g7/2s1/2d3/2h11/2)12中子组态集体能谱的微观计算

本文从包括对力、四极对力及四极力的核子-核子有效相互作用出发,按照相互作用玻色子模型（IBM）的Dyson表示,对于（满壳）⁵⁰(d_5/2g_7/2s_1/2d_3/2h_11/2¹²中子组态的集体能谱进行了微观计算.我们在有效作用强度较广的取值范围内确定IBM玻色子及IBM哈密顿量的微观结构,并把这样得出的IBM哈密顿量对角化,分析了各有效作用项对能谱结构的影响.结果表明:在适当选择的有效作用强度下计算的振动谱与Cd¹¹⁰的实验结果符合较好.而且,通过调节有效相互作用中各强度参量,能够体现从振动谱到转动谱的过渡趋势.