BaTiO3半导体陶瓷从PTC特性向边界层电容效应过渡问题探讨——晶界势垒模型

本文分析了BaTiO₃半导体陶瓷的Daniels模型存在的问题,提出了从PTC特性向边界层电容效应过渡的晶界势垒模型,解决了Daniels模型的缺陷,使BaTiO₃半导瓷及其有关器件的物理性能的定量计算成为可能。     

复杂粒子出射几率中聚合几率γ_β的能量依赖

复杂粒子出射几率中聚合几率γ_β是一个复杂的函数.我们假设γ_β=γ_β(A,E)[ε_β/MeV]~x研究与能量的依赖关系.X=0.425对18个反应的微分能谱(dσ/dε)都有最佳拟合.由此提取γ_β(A,E),对同一复合系统的γ_β(A,E)值很接近,随着复合系统质量数A的增加,γ_β(A,E)也增加,特别是对于α衰变核~(210)Po,γ_β(A,E)明显地大于其它复合系统.     

由重离子引起的融合裂变及准裂变过程中断点形变对碎片激发能计算的影响

本文考虑了形变的影响, 利用断点方程及等温条件, 给出了重离子引起的融合裂变及准裂变过程中碎片激发能的估算公式. 在碎片四极形变参数α₁=α₂=0时, 回到人们熟知的公式.     

对Cluster模型的几点质疑

本文证明Cluster模型违背了细致平衡原理,指出了海中核子pick-up图象的不合理性。该模型的发射几率中不考虑复杂粒子正确构成的影响更是一个显著的倒退。     

一种可能的新型反应机制——双α直接转移反应

假定8Be是由两个在组态空间相邻的α粒子组成的, 因而获得在余核中⁸Be集团的谱密度正比于核表面α粒子预形成几率P_α的平方. 利用改进了的EFRDWBA重叠积分的参数化方法^[1—2], 我们计算了²⁰⁹Bi(¹²C, α)²¹⁷Fr反应中出射的α粒子的角分布和双微分能谱, 而且通过拟合实验数据提取了在²¹⁷Fr核表面的α粒子的预形成几率, 结果与由α衰变数据提取的预形成几率在计算误差范围内一致. 这个事实说明, ²⁰⁹Bi(¹²C, α)²¹⁷Fr可能是双α直接转移反应.     

激子模型中复杂粒子出射几率公式的一个修改

本文采取区分中子质子的态密度公式, 给出了复杂粒子出射几率W_αβ和纯组合几率R_αβ修正公式的一个推导. 计算结果与实验的拟合, 比文献[1][2]有较明显的改善.     

尝试利用导致连续态的α转移反应提取重核表面的α集团的预形成几率

本文完善了T.Udagawa和T.Tamura等人^[1]发展的参数化方法, 利用EFR-DWBA程序分析导致连续态的²⁰⁸Pb(¹²C, ⁸Be)²¹²Po的α转移反应的实验双微分能谱, 从中提取了在²¹²Po核表面α粒子的预形成几率, 结果与由α衰变实验数据提取的预形成几率在计算误差范围内一致.     

记忆粒子模型中碰撞比α_n的数值获取

本文给出了记忆粒子模型中n态时m粒子的碰撞比分α_n的数值获取方法;讨论了两种不同的初值赋值方法对结果的影响。在记忆粒子模型中采用本方法提供的α_n,计算预平衡发射与实验资料拟合良好。     

预平衡发射研究中的记忆粒子模型

高能的复合系统的激子被分成记忆粒子m与非记忆粒子r两部分.在引入n态m粒子碰撞比a_n后,建立了m与r粒子态-角占据几率的耦合主方程,给出了区分m、r粒子的态密度与发射几率公式.计算结果表明本模型对实验的拟合较广义激子模型有明显改进.     

记忆粒子模型中包含复杂粒子炮弹与出射粒子的预平衡发射研究

本文讨论了记忆粒子模型中复杂粒子发射几率及复杂炮弹入射引起的初值问题;提出了m-r系合作发射机制;计算结果与实验符合良好.