用联合谱仪方法观察~3S_1态电子偶素在气凝硅胶中的湮没

用具有时间选择功能的Ge能谱仪(即联合谱仪)观察了气凝硅胶中~3S_1电子偶素(o-P_s)的产额和湮没辐射的能谱,认为电子偶素在气凝硅胶超细微粒中的产生和湮没基本上符合扩散模型,但微粒表面的作用也不可忽略;比较正电子在微粒中的自由湮没和长寿命o-P_s的曳离(pick-off)所产生的多普勒加宽谱,表明后一过程具有较低的湮没动量。     

3S1态电子偶素3γ衰变的连续γ射线能谱的全谱测量

采用很轻重量的气凝硅胶样品作为电子偶素源以减小散射γ射线的干扰, 把高纯锗γ射线探测器的定时分辨能力在很低能区改进到FWHM=5ns, 在具有时间选择功能的高纯锗γ能谱仪上对³S₁态电子偶素3γ衰变的连续γ能谱进行了全谱测量, 所获得的谱形在实验误差内很好地与Ore-Powell理论预言一致, 同时否定了他们的统计计算所给出的谱形.     

电子偶素在气凝硅胶中的能量损失过程及对湮没率的影响

用正电子湮联合谱仪研究电子偶素在气凝硅胶中的慢化过程.结果表明,三重态电子偶素(o-Ps)因非弹性碰撞从动能～1eV迅速跌落到0.25eV,然后通过连续的与气凝硅胶的SiO₂原子团弹性碰撞而缓慢热化.观察到电子偶素速度越大时其湮没速率也越大,推测这一效应是以往有关测量o-Ps衰变率的精密实验中尚未被察觉的主要系统误差源.     

仲态电子偶素湮没辐射能量的测量

利用充氧气的气凝硅胶电子偶素源,用与已知的¹⁰⁶Ru γ射线能量511856.2(2.3)eV相比较的方法,测得仲态电子偶素湮没2γ射线的能量为510998.7(2.5)eV将此数值(经结合能修正)与电子静止质量所对应的能量(m_ec²)进行了比较.     

仲态电子偶素湮没辐射能量的改进测量

用充氧气的气凝硅胶作仲态电子偶素源,用¹⁹²Ir精密γ能量作标准,以时间选择能谱仪和滑动比较法改进测量仲态电子偶素2γ湮没能量,得到hv=510995.34±0.69eV.经电子偶素结合能修正,得正、负电子对静止质量,与电子质量比较,表明正、负电子质量在1.4ppm内一致.     

Sol-gel法制备Er3+-Yb3+共掺杂Al2O3粉末光致发光特性

采用异丙醇铝[Al(OC₃H₇)₃]为前驱体,溶胶-凝胶(Sol-gel)法制备Er³⁺-Yb³⁺共掺杂Al₂O₃粉末.实验结果表明:900 ℃烧结的粉末为固溶Er³⁺、Yb³⁺的γ-(Al,Er,Yb)₂O₃相和少量θ-(Al,Er,Yb)₂O₃相的混合物.Er³⁺-Yb³⁺共掺杂Al₂O₃粉末具有中心波长为1.533 μm的光致发光(PL)特性.1 mol % Er³⁺和1 mol% Yb³⁺共掺杂的Al₂O₃粉末的PL强度较1 mol % Er³⁺掺杂提高2倍,半峰宽从53 nm增加到63 nm.随泵浦功率的提高,PL强度呈线性增加后渐呈饱和趋势.     

15C的中子晕结构研究

实验测量了83A MeV ^14,15C的核反应总截面(σ_R)及¹⁵C产生^14,15C和¹⁴C产生¹³C的动量分布(P_//). 分析得到了¹⁵C产生¹⁴C和¹³C的动量分布半高宽(FWHM)分别为71±9MeV/c和223±28MeV/c, 而¹⁴C产生¹³C的FWHM为195±21MeV/c. 从¹⁵C和¹⁴C产生¹³C的FWHM与Goldhaber模型的预言基本一致. 而¹⁵C产生¹⁴C的FWHM却要比该模型计算小得多. 同时观测到¹⁵C的σ_R比相邻核有反常增加. 在Glauber模型框架中, 对实验测得的P_//和σ_R进行了探讨. P_//和σ_R的分析结果同时显示¹⁵C的最后一个中主要处于s_1/2态, 具有中子晕结构.     

非谐振子囚禁势的重夸克偶素能谱

在非谐振子势: V_c(r)=1/2kr²+λr⁴中, 用广义维里－Pade逼近法(The Hypervirial-Pade Approach)研究了重夸克偶素能谱. 当选取适当的势参数时, 粲偶素族和底偶素的计算数值与实验结果相符合.     

态|ψ3(3)〉q中广义磁场分量的等幂次高次和压缩

根据量子力学中态的线性叠加原理,构造了由多模复共轭相干态|{Z_j^*〉_q(j=1,2,……q)、多模复共轭虚相干态|{iZ_j^*〉_q和多模真空态|{0_j}〉_q的线性叠加组成的第Ⅲ类三态叠加多模叠加态光场|ψ₃⁽³⁾〉_q.利用多模压缩态理论,研究了态|ψ₃⁽³⁾〉_q广义磁场分量(即第一正交相位分量)的广义非线性等幂次高次和压缩特性结果发现:当腔模总数q与压缩次数N之积qN取偶数时,态|ψ₃⁽³⁾〉_q广义磁场分量在一定条件下可分别呈现出周期性变化的、广义非线性等幂次奇数模—偶数次、偶数模—奇数次或偶数模—偶数次的高次和压缩效应.     

在133Cs（n,γ）134Cs反应中产生的同质异能素截面比的测定

本工作是在14.8MeV中子能量下,测定了¹³³Cs（n,γ）¹³⁴Cs反应中产生的¹³⁴Cs同质异能素绝对截面: σ_n,γ^134mCs=1.76±0.14mb; σ_n,γ^134gCs=5.17±0.41mb; σ_n,γ^134m+gCs=6.93±0.55mb;同质异能素截面之比: σ_（134n）Cs/σ_（134g）Cs=0.34±0.03.这个结果与已发表的结果符合得很好。将此结果与用统计模型理论计算的结果比较,预言了自旋切割因子以及γ级联数。     

Yb:YAG晶体的晶胞参量及Yb3+分凝系数的研究

应用提拉法生长出不同Yb³⁺浓度的Yb_3xY_3(1-x)Al₅O₁₂晶体.Yb³⁺离子的分凝系数1是1.08±0.01,与Yb³⁺离子掺杂浓度无关.研究了Yb_3xY_3(1-x)Al₅O₁₂晶体的晶胞参量,推导出联系晶胞参量、密度与Yb³⁺离子掺杂浓度的关系方程式.     

Pure annihilation type decays B0→Ds- K2+ and Bs→Da2 in perturbative QCD approach

We calculate the branching ratios of pure annihilation type decays B⁰→D_s^- K₂^*+ and B_s→Da₂ using the perturbative QCD approach based on k_T factorization. The branching ratios are predicted to be (60.6_{-16.5-10.4-2.1}^{+17.3+4.3+3.2} )× 10^-6 for B⁰→D_s^- K₂^*+, (1.1_-0.4-0.2-0.1^+0.4+0.1+0.1)×10^-6 for B_s→D⁰a₂⁰ and (2.3_-0.8-0.4-0.1^+0.8+0.2+0.1)×10^-6 for B_s→D^-a₂⁺. They are large enough to be measured in the ongoing experiment. Due to the shortage of contributions from penguin operators, there are no direct CP asymmetries for these decays in the Standard Model. We also derive simple relations among these decay channels to reduce theoretical uncertainties for the experiments to test the accuracy of theory and search of new physics signal.     

SU(2)×U(1)×S3模型及类K0-K0系统的混合和CP破坏效应

本文内容包括:(ⅰ)进一步给出SU(2)×U(1)×S₃模型的结果S₂≈S₃≈(m_s²)/(m_b²);sin δ≤(m_um_d)/(m_cm_s),并预言b夸克的主要衰变道是b→u+W,b夸克的寿命可能长到10^-9秒.(ⅱ)给出类K⁰-K⁰系统混合时的精确表达式ρ=错号事例数/对号事例数=(1/2)(|p/q|²+|q/p|²)([Γ²+(Δm)²]²-(γ1γ2)²)/([Γ²+(Δm)²]²+(γ1γ2)²);并给出CP破坏的精确表达式:A=(1-ρ')/(1+ρ')=(I_M12Γ₁₂^*)/(|M₁₂|²+1/4|Γ₁₂|²),这里ρ′=(负电错号事例数)/(正电错号事例数)。     

金属性氧化物LaCuO3的高氧压合成及Cu3+态的XPS研究

 本文在成功地用超高氧压（~6.5 GPa）及高温（~980 ℃）合成和结构测定的基础上，首次对金属性化合物中LaCuO₃中的Cu³⁺离子给予标定，并研究了它与绝缘体中Cu³⁺的区别。本论文中合成的LaCuO₃为金属性化合物，电导率测量表明在大于13 K无超导电性迹象。XPS测量给出了LaCuO₃中Cu2p_3/2内层电子结合能相对于La₂CuO₄或CuO中的Cu²⁺向高结合能方向移动了约2.6 eV，这一量值远大于NaCuO₂（绝缘体）中的Cu2p_3/2相对于CuO中的Cu²⁺移动的值，约为1.3 eV。Auger谱测量表明，LaCuO₃的修正了的Auger参数与CuO的基本相同，但L₃VV的Auger电子动能相对CuO移动了2.8 eV。这些位移说明在金属性化合物LaCuO₃中，Cu³⁺处在八面体位置上，它与近邻的Cu³⁺连成单个Cu—O—Cu桥，因此可作为对比p型高T_c含铜氧化物的XPS谱的标准。     

Eu3+离子掺杂钛酸盐纳米管的直接水热合成与发光性能

 采用纳米管制备和离子掺杂同步进行的直接水热合成方法，合成了纯钛酸盐纳米管（TNT）和Eu³⁺离子掺杂的纳米管（TNT-Eu）；并利用X射线衍射（XRD）、透射电子显微镜（TEM）、光致发光谱仪研究了纳米管的形貌特征、物相组成、热稳定性和发光性能。结果显示：这种方法简便易行、稳定性好、产率高。钛酸盐纳米管物相可近似表示为(H,Na)₂Ti₃O₇或(H,Na)₂(Ti,Eu)₃O₇。高温处理对钛酸盐纳米管的结构产生很大的影响，450 ℃下纳米管的层状结构被破坏，晶体结构转化为锐钛矿型的TiO₂。TNT-Eu样品的发光性能较强，出现的393.5 nm、593 nm、614 nm的谱带归属于⁵D₀-⁷F₁和⁵D₀-⁷F₂电子的跃迁。     

态|ψ3(3)〉q广义电场分量的等幂次N次方H压缩

构造了由多模复共轭相干态|{iZ_j^*}〉_q、多模复共轭虚相干态|{iZ_j^*}〉_q(j=1,2,…q)和多模真空态|{0_j}〉_q线性叠加所组成的第Ⅲ类三态叠加多模叠加态光场|ψ₃⁽³⁾〉_q.利用多模压缩态理论,研究了态|ψ₃⁽³⁾〉_q中广义电场分量(即第二正交相位分量)的广义非线性等幂次N次方H压缩特性.发现:态|ψ₃⁽³⁾〉_q是一种典型的三态叠加多模非经典光场;当腔模总数q与压缩次数N之积q·N为偶数时,在一定条件下,态|ψ₃⁽³⁾〉_q的广义电场分量可分别呈现出周期性变化的广义非线性等幂次奇数模-偶数次、偶数模-奇数次、偶数模-偶数次N次方H压缩效应.     

Er3+/Yb3+共掺TeO2-Li2O-B2O3-GeO2玻璃系统的光谱性质和热稳定性研究

制备了Er³⁺/Yb³⁺共掺的70TeO₂-5Li₂O-(25-x)B₂O₃-xGeO₂（x=0,5,10,15,20 mol%）系列玻璃, 研究了玻璃的热稳定性能, 测试了玻璃的吸收光谱、荧光光谱以及Er3+离子4I13/2能级荧光寿命, 并根据McCumber理论计算了Er³⁺离子4I13/2→4I15/2跃迁的受激发射截面. 结果表明：随着GeO₂含量的增加, 玻璃的热稳定性逐渐提高, 荧光谱线半高宽（FWHM）保持在70 nm左右, 而荧光强度和Er3+离子4I13/2能级荧光寿命逐渐提高, 研究表明这种玻璃系统是一种具有应用潜能的宽带光纤放大器用的基质材料.     

(Fe0.03Ni0.97)8(Si0.79P0.21)3的等温状态方程研究

 采用固态高温烧结反应方法,成功合成出了陨硅镍铁石样品(Fe_0.03Ni_0.97)₈(Si_0.79P_0.21)₃。X射线衍射结果表明,合成样品的结构为R3'c,对应的晶胞参数为a=b=0.663 8(1) nm,c=3.789 2(2) nm,V=1.446 15(6) nm³。在室温下,对样品进行原位高压X射线衍射研究,实验最高压力达到21.3 GPa,随着压力的升高,晶胞体积逐渐减小,但并没有观察到结构相变。利用Birch-Murnaghan状态方程对体积与压力的关系进行拟合,获得常温常压下的体积V₀=1.441 4(24) nm³,体积模量K₀=220(7) GPa。晶轴与压力的关系利用Murnaghan状态方程拟合,获得a轴和c轴的模量分别为K_a=257(9)和K_c=165(4),c轴较a轴容易压缩。     

Zn0.83Mn0.17Se和ZnSe/Zn0.84Mn0.16Se超晶格材料中Mn2+的压力光谱研究

 采用压力光谱技术在低温下观测到了Mn²⁺离子的⁴T₁→⁶A₁跃迁,该谱线在Zn_0.83Mn_0.17Se和ZnSe/Zn_0.84Mn_0.16Se超晶格样品中有不同的压力行为,体材料中其压力系数为-42.4 peV/Pa,超晶格中为-29.5 peV/Pa。用晶体场理论计算得到体材料Zn_0.83Mn_0.17Se中Mn²⁺离子⁴T₁→⁶A₁谱线的压力系数为-38.3 peV/Pa,与实验结果基本一致。结合材料中发光峰积分强度随压力的变化关系进行分析,证实Mn²⁺离子的发光性质主要与其近邻的晶体场环境有关。     

氧分子对电子偶素的态转换

把气凝硅胶作为可变能量的电子偶素源,用时间选择γ能谱仪研究电子偶素在氧气中的运动,验证快速电子偶素与氧分子非弹性碰撞发生的态的转换效应,测得在两个阈能附近的截面为2.1×10^－17cm²和6.6×10^－18cm².研究慢速电子偶素与氧分子弹性碰撞交换电子所致态转换,发现过程的截面与电子偶素平均速度的平方根成反比,这一过程可以提供比较干净的仲态电子偶素源进行其它精密物理实验.