光电子能谱研究Ce表面的氧化

利用光电子能谱技术研究了室温Ｃｅ膜表面的氧化，分析了在不同氧气暴露量下，稀土金属Ｃｅ氧化状态和样品功函数的变化，结果表明，在Ｏ２吸会的过程中，生成两种Ｃｅ的氧化物，在低的暴露量时，氧在Ｃｅ表面的吸队十分迅速，生成Ｃｅ２Ｏ３，同时，Ｃｅ２Ｏ３中的Ｃｅ３ｄ和Ｏｌｓ谱峰随着氧气暴露量的增加向低结合能方向漂移，在高的暴露量下，氧在表面的吸附趋子缓慢，表面的Ｃｅ２Ｏ３被氧化成ＣｅＯ２，通过对样品加热，能使得     

多相氧载体CoO－MgO和氧分子作用的ESR研究

用ＥＳＫ研究多相氧载体ＣｏＯ－ＭｇＯ表面上氧的吸附作用，发现在７７－１５０Ｋ温度范围内表面Ｃｏ￣（２＋）离子和Ｏ＿２的结合是可逆的，吸附产生Ｃｏ￣（３＋）－自由基加合物有超精细结构的ＥＳＲ谱；当温度增加，吸附态自由基发生转移并稳定在Ｍｇ￣（２＋）离子上形成Ｍｇ￣（２＋）－Ｏ自由基，文中着重讨论Ｃｏ￣（３＋）－自由基的电子结构和成键本质，认为自由基是通过自旋成对的方式形成的，由于σ－л键作用引起的自旋极化以及由于电子离域作用而引起的偶极作用与ＥＳＲ制的超精细结构线产生有关。     

准分子激光在YBa2Cu3O7—x靶面激励等离子体的角分布研究

用光学光谱分析仪测量了ＸｅＣｌ准分子激光在ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ超导靶面激励等离子体发射谱的轴向和径向分布，并由等离子发射谱的径向分布拟合得到等离子体中激发态粒子的角分布，结果表明激光等离子体呈现ｃｏｓθ分布，ｎ值范围为２．７８到７．６３，且随激光能量密度和背景氧压增大而增大，离子的ｎ值明显高于原子的ｎ值。     

准分子激光在YBa_2Cu_3O_（7－x）靶面激励等离子体的角分布研究

用光学光谱分析仪测量了ＸｅＣｌ准分子激光在ＹＢａ_２Ｃｕ_３Ｏ_７－ｘ超导靶面激励等离子体发射谱的轴向和径向分布，并由等离子体发射谱的径向分布拟合得到等离子体中激发态粒子的角分布．结果表明激光等离子体呈现ｃｏｓθ分布，ｎ值范围为２．７８到７．６３之间，且随激光能量密度和背景氧压增大而增大．离子的ｎ值明显高于原子的ｎ值．     

氧在Cs和CO共吸附物预覆盖的Ru（0001）表面上吸附的高分辨电子 …

对氧在Ｃｓ和ＣＯ共吸附物预覆盖的Ｒｕ（０００１）上的吸附进行了高分辨电子能量损失谱９ＨＲＥＥＬＳ）研究。在没有Ｃｓ预覆盖的情况下,氧在ＣＯ预覆盖的Ｒｕ（０００１）上吸附形成ＣＯ＋Ｏ的混合相,并引起ＣＯ吸附表面键弱化;在低覆盖度Ｃｓ预覆盖的Ｒｕ（０００１）上,适量的ＣＯ吸附导致形成（２×２）－Ｃｓ＋２ＣＯ的共吸附畴,接着进行Ｏ２离解吸附,ＨＲＥＥＬ谱发生了显著变化,其结果表明随着氧的吸附,Ｃｓ和ＣＯ     

氧在理想的和重构的Si（100）面吸附研究

本文分别用ＡＳＥＤ－ＭＯ和ＤＶ－Ｘａ方法对氧在理想的Ｓｉ（１００）面以及用ＤＶ－Ｘａ方法对氧在重构的Ｓｉ（１００）面吸附进行了研究，对不同吸附位的计算结果表明，当氧在硅表面暴露量较少时，其吸附为氧原子和氧分子共存。     

急性缺氧条件下EP、CM、CAP以及耳蜗毛细胞的形态学变化

本实验用同一根玻璃微电极在豚鼠耳蜗中阶记录ＥＰ（ＥｎｄｏｃｏｃｈｌｅａｒＰｏｔｅｎｔｉａｌ，耳蜗内电位）、ＣＭ（ＣｏｃｈｌｅａｒＭｉｃｒｏｐｈｏｎｉｃｓ，耳蜗振电压）、ＣＡＰ（ＣｏｍｎｏｕｎｄＡｃｔｉｏｎＰｏｔｅｎｔｉａｌ，复合动作电位），观察在不同缺氧状态下，三者动态变化过程．发现在缺氧初始（１—２分钟），ＣＭ和ＣＡＰ随ＥＰ同步迅速下降；但缺氧３—６分钟时，ＣＭ下降缓慢，似一“平台”，而ＣＡＰ和ＥＰ继续同步下降；缺氧７—１２分钟时，三者又倾于平行。扫描电镜观察：ＩＨＣ（内毛细胞）表面由底四到三圈出现广泛分泌物和球状物，ＯＨＣ汐（毛细胞）表面出现局限性分泌物和球状物，静纤毛融合。结果表明：ＯＨＣ和ＩＨＣ的功能状态与氧代谢密切相关，ＣＭ直接受ＯＨＣ和ＩＨＣ结构变化的影响。ＣＭ下降过程中的平台，则可能与盖膜（ＴＭ）的压电效应有关。ＣＡＰ的变化不完全依赖于ＣＭ。     

气固界面氧化学吸附物种的动态研究

用自编的傅里叶变换红外（ＦＴ－ＩＲ）动态谱批处理程序，在２０－６５０℃对Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｓｍ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｖ，Ｎｂ，ｃＲ，Ｍｏ，Ｗ，ＭＮ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ和Ｓｎ等一系列金属氧化物上的氧化学吸附物种进行了原位动态三维谱学研究，就所观测到的超氧（Ｏ＾－２）和过氧（Ｏ＾２－２）物种随温度的变化情况以及甲烷氧化偶联催化反应中的活性氧物种进行了讨论。     

CoCr2O4在催化氢四氢萘的可控气氛下化学吸附氧的EPR研究

钴铬氧化物ＣｏＣｒ２Ｏ４对四氢萘催化氧化的比活性和得到萘满酮的选择性均高于单组分氧化物ＣｏＯ和 Ｃｒ２Ｏ３的。用ＥＰＲ方法对三个催化剂样品表面吸附氧及其在可控气氛下与四氢萘的作用进行了研究。     

电池正极材料中Li~+运动特性的~7Li NMR研究

利用变温７ＬｉＮＭＲ实验对Ｌｉ电池正极材料ＬｉＭｎ２Ｏ４和ＬｉＣｏＯ２中Ｌｉ＋的运动特性进行了研究，结果表明，随实验温度的提高，ＬｉＭｎ２Ｏ４的７ＬｉＮＭＲ谱线窄化，表明其中Ｌｉ＋迁移能力增加，而ＬｉＣｏＯ２的谱线无变化．此外随温度提高，ＬｉＭｎ２Ｏ４的７Ｌｉ的Ｔ１变短，而ＬｉＣｏＯ２的Ｔ１变长，产生这种不同变化趋势的原因在于ＬｉＭｎ２Ｏ４和ＬｉＣｏＯ２晶相结构的差异造成其中Ｌｉ＋迁移能力的差别，它们各自的相关时间τｃ使７Ｌｉ核的Ｔ１分别位于Ｔ１－τｃ曲线极小点两侧     

Sm／Ni模型催化剂的研究：Ⅳ.与CO的相互作用

用ＴＤＳ和ＡＥＳ考察了ＣＯ在多晶Ｎｉ上的Ｓｍ膜和Ｓｍ／Ｎｉ表面合金上的吸附与反应。化学吸附的氧和ＣＯ解离生成的表面碳之间的反应，使热脱附谱中６００－８００Ｋ的中间温度区出现新的ＯＣ脱附峰。     

Cu（001）表面CO吸附的电子结构效应

本文应用Ｒｅｃｕｒｓｉｏｎ方法，计算了ＣＯ在Ｃｕ（００１）表面不同位置（顶位、桥位和空位）吸附的电子结构，分析了ＣＯ与Ｃｕ表面原子之间的键作用。分析表明ＣＯ在顶位吸附时，Ｃｐｘ（ｐｙ）－Ｃｕｄｓ（１号）和Ｃｐｘ（ｐｙ）－Ｃｕｄ２（ｄｓ）（２号）之间存在较强的键作用，这有利于ＣＯ在顶位吸附。桥位和空位吸附时，ＣＯ与表面原子形成的键较弱，是不稳定的。计算结果得到了实验的支持。     

类氧离子CoⅩⅩ,NiⅩⅪ,CuⅩⅩⅡ和ZnⅩⅩⅢ精细结构能级…

本文用相对论多组态Ｄｉｒａｃ－Ｆｏｃｋ广义平均能级（ＭＣＤＦ－ＥＡＬ）模型计算了可能成为激光工作物质的类氧离子ＣｏⅩⅩ，ＮｉⅩⅪ，ＣｕⅩⅩⅡ和ＺｎⅩⅩⅢ的４８个精细结构能级和９３个３ｓ－３ｐ跃迁波长。３ｐ组态能级和３ｓ－３ｐ跃迁波长是本文首次预言的。     

类氧离子CoⅩⅩ，NiⅩⅪ，CuⅩⅩⅡ和ZnⅩⅩⅢ精细结构能级和跃迁波长的MCDF计算

本文用相对论多组态Ｄｉｒａｃ－Ｆｏｃｋ广义平均能级（ＭＣＤＦ—ＥＡＬ）模型计算了可能成为激光工作物质的类氧离子ＣｏⅩⅩ，ＮｉⅩⅪ，ＣｕⅩⅩⅡ和ＺｎⅩⅩⅢ的４８个精细结构能级和９３个３ｓ—３ｐ跃迁波长。３ｐ组态能级和３ｓ—３ｐ跃迁波长是本文首次预言的。     

Mo2N催化剂的XPS研究

用ＸＰＳ考察了制备温度、钝化气氛和氢还原活化温度对Ｍｏ２Ｎ催化剂表面的影响，在４００℃氨可将ＭｏＯ３中的Ｍｏ还原到＋４价；继续升温到７００℃氨还原后，则Ｍｏ＾２＋成为主要组分，钝化样品的表面存在着来自氨的吸附氨和晶格氮两种不同的形式。而在表面钝化过程中引入的氧则在催化剂表面形成氧化薄层。经高温氢还原后，８０％以上的氧物种可被除去，结合ＴＤＳ，ＸＲＤ和热分析等其它研究结果，对Ｍｏ２Ｎ表面的钝化的活化     

用热脱附谱研究氢在Si(100)清洁表面的吸附

用超高真空中对样品进行闪烁加热的方法,测量了Si(100)清洁表面吸附氢以后的热脱附谱。得到在室温下暴露氢时,低暴露量下只有一个脱附峰A,暴露量增大后,出现第二个脱附峰B。升高温度暴露氢,如在230℃以上暴露,热脱附谱中不出现B峰;在530℃以上暴露,则A,B峰均不出现。在室温下吸附氢后再加热退火,温度超过350℃,则热脱附谱中B峰不再存在;在530℃退火,则A峰也消失。热脱附的这些规律,使我们相信A峰和B峰分别对应于Si(100)表面的单氢化相和双氢化相的脱附。测量了它们的脱附活化能分别为52.9kcal/mol和14.5kcal/mol。从级数图证实了A峰的脱附属于一级脱附,但其机理并不与一般的一级或二级脱附机理相同。 关键词：     

硫氰酸铵树脂相分光光度法同时测定天然水中微量铁和钴

研究了在Ｔｗｅｅｎ－８０存在的酸性介质中，Ｆｅ（Ⅲ）和Ｃｏ（Ⅱ）与ＳＣＮ＾－形成稳定的有色络阴离子与阴树脂交换吸附，有色络合物富集显色于树脂组上，进行树脂组分光光度集显色于树脂相上，进行树脂相分光光度法同时测定铁和钴的实验条件，Ｆｅ（Ⅲ）和Ｃｏ（Ⅱ）树脂具有色络合物最大吸收波长λｍａｘ分别为４９０ｎｍ和６３０ｎｍ，摩尔吸光系数，ε为２．４×１０＾５Ｌ．ｍｏｌ＾－１．ｃｍ＾－１和２．１×１０＾５Ｌ．     

MoS2摩擦表面氧化与电子转移

利用电子自旋共振谱（ＥＳＲ）和Ｘ射线光电子谱（ＸＰＳ）研究了ＭｏＳ２摩擦表面的氧化行为和摩擦表面氧化的电子转移,发现Ｍｏ２在摩擦失效过程中Ｍｏ＾４＋与氧作用生成稳定的Ｍｏ＾６＋终态氧化物,其间经过Ｍｏ＾５＋过渡态。深入揭示了ＭｏＳ２摩擦表面氧化过程的复杂性,指出Ｍｏ在摩擦表面氧化过程中以多种化学状态存在,Ｍｏ原子的氧化是Ｍｏ４ｄ轨道上的单电子转移过程。     

用HREELS研究氢在GaAs和InP的（111），（III）表面上的吸附

氢在GaAs, 和InP 表面上的吸附可以用高分辨率电子能量损失谱(HREELS) 来探测.Ga-H侧, As-H , In-H 和P-H 键的伸缩振动各自对应于不同的能量损失. 但是A-H 振动极容易和Ga-H 振动追加声子损失相混淆, 只有从损失峰的相对强度比较上来区别。实验得到吸附的氢与表面原子的成键情况取决于表面的原子结构及电子分布. 对于GaAs (1 1 1)面, 低暴露量时只形成Ga-H 键, 而高暴露量时还可以形成As-H 键.而InP(1 1 1 ) 表面由于是经过磷气氛退火处理的, 在低暴露量下In 一H 与P一H 键均可形成. InP (III) 面上只看到P-H 损失峰, 说明这个表面是完全以P 原子结尾的. 在(1 1 1 ) 面上出现小面的情形, 则表面III族和V族原子均可同氢成键. 关键词：     

TiO2表面氧空位对NO分子吸附的作用

采用程序升温热脱附(TPD)实验方法测定了NO在TiO2表面吸附后的脱附谱，利用分子轨道理论研究了TiO2吸附NO的原子簇模型及吸附前后的原子簇能级变化．结果表明，NO在TiO2表面吸附后可在两个峰值温度450和980K脱附出N2．TiO2表面经预覆氧处理后，N2的脱附量降低．吸附时NO中的O能够占据TiO2表面氧空位并与N脱离，而N原子则相互结合成为N2脱附．分子轨道理论计算证明在TiO2(110)表面能够存在氧空位并具备吸附NO的结构条件．