丝光沸石的Monte Carlo研究 Ⅰ,原粉丝光沸石的硅,铝分布

丝光沸石原粉样品骨架上硅、铝原子占据是不违反Ｌｏｅｗｅｎｓｔｅｉｎ＇ｓ ｒｕｌｅ。而且Ａｌ－Ａｌ彼此次最近邻回避的随机分布。基于这个设想模型，Ｍｏｄｅｌ－２的Ｍｏｎｔｅ Ｃａｒｌｏ计算所得到的Ｓｉ－Ａｌ近邻分布｛Ｓｉ（ｎ－Ａｌ）｝相对于未考虑Ａｌ－Ａｌ次最近邻回避原则的Ｍｏｄｅｌ－１或二项分布模型计算与＾２９Ｓｉ ＭＡＳＮＭＲ实验观测有较好的符合。根据Ｍｏｄｅｌ－２我们也计算了Ａｌ－Ａｌ次邻分布｛     

丝光沸石的Monte Carla研究：Ⅱ.脱铝丝光沸石的骨架硅,铝分布

以马尔可夫链近似模拟线光沸石脱铝过程，用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ方法计算脱铝丝光沸石中骨架Ｓｉ－Ａｌ近邻分布｛Ｓｉ（ｎ－Ａｌ）；ｎ＝０－４｝和Ａｌ－Ａｌ次部分布｛Ａｌ（ｍ－Ａｌ）；ｍ＝０－３｝随铝浓度的演化。为使Ｓｉ－Ａｌ近邻分布与对脱铝丝光沸石样品的＾２＾９ＳｉＭＡＳＮＭＲ观测相符，而得到丝光沸石弱酸铝易于解脱的结论，这个结构与八面沸石弱酸铝易于解脱相反。根据计算丝光沸石脱铝的开始阶段，强酸中心...     

用低能电子衍射研究ⅢA—VA化合物{110}表面吸附Sb和Bi的表…

用低能电子衍射研究了Ｓｂ和Ｂｉ吸附在ＩｎＰ｛１１０｝和ＧａＡｓ｛１１０｝表面上表面结构。结果显示出：对Ｓｂ／ＩｎＰ｛１１０｝，表面原子层间距：ｄ１＝０．２７±０．２３Ａ（膨胀９．４％±０．０２Ａ）；旋转角ω１为－１０．７７°±２．２９°和ω２为１５．２６°±０．８２°；吸附键长ｌｃ１－Ａ＝２．８４±０．０５Ａ，ｌｃ２－Ｂ＝２．７５±０．０２Ａ，其键角α＝１０１．２１°±２．１°，β＝１０７．８６°     

荧光XAFS研究Si可稀浓度杂质的区域结构

荧光ＸＡＦＳ研究Ｓｉ晶体中等电子，缺电子和富电子杂质原子的区域环境结构。结果表明杂质原子的电子构型决定了杂质原子对Ｓｉ区域晶格形变的影响。相对于共价键长ＲＳｉ－Ｓｉ（０．２４０ｎｍ）来说，富电子杂质Ａｓ导致Ｓｉ晶格在Ｓｉ（１１１）方向的ＲＡｓ－Ｓｉ键长产生０．００４ｎｍ的反应增长，等电子杂质Ｇｅ的Ｒ－Ｇｒｅ－Ｓｉ和缺电子杂质Ｇａ和ＲＧａ－Ｓｉ键长收缩０．００２ｎｍ。     

[Mo3S7]分子簇和聚合簇合物的振动光谱和电子光谱

本文报道了分立簇「Ｍｏ３Ｓ７（ｄｔｐ）３Ｉ」１及它的四聚物｛「Ｍｏ３ＳＵ（ｄｔｐ）３」４Ｉ｝．｛（ＨｇＩ３）４．Ｋ｝２（ｄｔｐ＝Ｓ２Ｐ（ＯＣ２Ｈ５）＾－２的ＩＲ,Ｒａｍａｎ和ＵＶ－Ｖｉｓ光谱,并讨论分立的「Ｍｏ３Ｓ７（ｄｔｐ）３Ｉ」在四聚后这些光谱的变化。     

稀土金属表面的振动弛豫

用ＬＥＥＤ谱，研究了稀土金属表面的振动弛豫。结果表示出，对Ｓｃ｛０００１｝，原子层间距：ｄ１＝２．４１３±０．００１Ａ（收缩８．６％±０．００１Ａ）和ｄ２＝２．６８±０．０２Ａ（膨胀１．５％±０．０２Ａ）。对Ｇｄ｛０００１｝，原子层间距：ｄ１＝２．８０±０．０４Ａ（收缩３．１％±０．０４Ａ）和ｄ２＝２．９６±０．０３Ａ（膨胀２．４％±０．０３Ａ）。对Ｔｂ｛０００１｝，原子层间距：ｄ１＝２．７５±０．０３Ａ（收缩３．３％±０．０３Ａ），ｄ２＝２．８５±０．０１Ａ（膨胀０．１８％±０．０１Ａ）和ｄ３＝２．９８±０．０３Ａ（膨胀４．７％±０．０３Ａ）。对Ｔｂ｛１１２０｝，原子层间距：ｄ１＝１．６５±０．０２Ａ（收缩８．３％±０．０２Ａ）和ｄ２＝１．８０±０．０４Ａ（膨胀０．０６％±０．０４Ａ）     

Ni（II）与壳聚糖的配位作用及其催化性质的研究

用ＥＳＲ、ＸＰＳ、ＩＲ、ＵＶ－Ｖｉｓ、ＤＴＡ－ＴＧ和电导率法研究Ｎｉ（Ⅱ）与壳聚糖（ＣＳ）的配位作用、所形成的配位聚合物（配聚物）的组成和结构。确定Ｎｉ（Ⅱ）与ＣＳ分子以配位键相结合形成高自旋Ｎｉ－ＣＳ配聚物，配聚物的配位单元由１个Ｎｉ（Ⅱ）与３个ＣＳ单体单元的氨基Ｎ原子和仲羟基Ｏ原子形成扭曲的六配位的八面体结构所组成。此外，对Ｎｉ－ＣＳ配聚物与Ｎａ２ＳＯ３体系在ＭＭＡ聚合中的催化性质进行了研究。     

STM针尖和外电场在Si（111）—7＊7表面单原子操纵中的作用

利用第一性原理的离散变分局域密度泛函方法,采用团簇模型（Ｓｉ３４Ｈ３６－Ｗ１１）来模拟ＳＴＭ操纵（Ｓｉ１１１）－７＊７表面顶角吸附原子的过程,通过分析在进行原子操纵过程中体系的能量与电子云密度分布来研究针尖和外电场的作用。     

一甲基硫脲与支持电解质的阴离子在银电极上共吸附的拉曼光谱研究

本文用电化学现场表面增强拉曼散射光谱（ＳＥＲＳ）技术研究了ＭＴＵ在ＨＣｌＯ４、Ｈ２ＳＯ４和ＨＮＯ３介质中分别与一种或两种无机阴离子的共吸附行为，发现ＣｌＯ－４、ＳＯ２－４和ＮＯ－３等弱吸附无机阴离子均能被ＭＴＵ诱导物理吸附在其质子化了的氨基（ＮＨ＋３）上，这三种无机阴离子被ＭＴＵ诱导物理吸附的强弱顺序是：在电极电位位于－０．２Ｖ～－０．７Ｖ区间时，ＳＯ２－４＞ＣｌＯ－４＞ＮＯ－３，在电位位于－０．８Ｖ～－１．２Ｖ区间时，ＣｌＯ－４＞ＳＯ２－４＞ＮＯ－３。     

Si衬底上异质外延金刚石的初始阶段原子H的作用及其界面结构

用高分辨率电子能量损失谱方法研究了原子 Ｈ 与被 Ｃ２ Ｈ２ 吸附的 Ｓｉ（１００） 界面的相互作用．结果显示,在 Ｓｉ（１００） 界面上, Ｓｉ— Ｓｉ 二聚化键和 Ｃ２ Ｈ２ 中的 Ｃ— Ｃ 键被 Ｈ 原子打开,它们分别形成 Ｓｉ— Ｈ, Ｃ— Ｈ 键．用 Ａ Ｍ１ 量子化学方法,计算了 Ｃ２ Ｈ２ 和 Ｃ２ Ｈ４ 在 Ｓｉ（１００） 上的吸附结构,指出了 Ｃ２ Ｈ２ 在 Ｓｉ（１００） 上的吸附位置,进一步讨论了金刚石在 Ｓｉ 异质外延初始阶段的形核机制．计算结果显示：在原子 Ｈ 的作用下,可以显著地降低反应的活化能,有利于 Ｃ Ｈ３ 的产生和 Ｃ Ｈ３ 向 Ｓｉ 衬底的键连．计算结果与实验相符合．