Low driving voltage in an organic light-emitting diode using MoO3/NPB multiple quantum well structure in a hole transport layer

The driving voltage of an organic light-emitting diode(OLED) is lowered by employing molybdenum trioxide(MoO3)/N,N’-bis(naphthalene-1-yl)-N,N’-bis(phe-nyl)-benzidine(NPB) multiple quantum well(MQW) structure in the hole transport layer.For the device with double quantum well(DQW) structure of ITO/[MoO3(2.5 nm)/NPB(20 nm)]2/Alq3(50 nm)/LiF(0.8 nm)/Al(120 nm)],the turn-on voltage is reduced to 2.8 V,which is lowered by 0.4 V compared with that of the control device(without MQW structures),and the driving voltage is 5.6 V,which is reduced by 1 V compared with that of the control device at the 1000 cd/m2.In this work,the enhancement of the injection and transport ability for holes could reduce the driving voltage for the device with MQW structure,which is attributed not only to the reduced energy barrier between ITO and NPB,but also to the forming charge transfer complex between MoO3 and NPB induced by the interfacial doping effect of MoO3.     

Organic Light-Emitting Diodes with Magnesium Doped CuPc as an Efficient Electron Injection Layer

Bright organic electroluminescent devices are developed using a metal-doped organic layer intervening between the cathode and the emitting layer. The typical device structure is a glass substrate/indium-tin oxide （ITO）/copper phthalocyanine （CuPc）/N,N＇-bis-（1-naphthl）-diphenyl-1,1＇-biphenyl-4,4＇-diamine （NPB）/Tris（8-quinolinolato） aluminum（Alq3）/Mg-doped CuPc/Ag. At a driving voltage of 11 V, the device with a layer of Mg-doped CuPc （1：2 in weight） shows a brightness of 4312cd/m^2 and a current efficiency of 2.52cd/A, while the reference device exhibits 514 cd/m^2 and 1.25 cd/A.     

白色有机电致发光器件的制备及掺杂对其色度影响的研究

采用具有空穴阻挡层的器件,结构为ITO/2T-NATA(60nm)/NPB(50nm)/NPB(30nm):DCJTB/NPB(40nm)/BCP(10nm)/Alq(80nm)/LiF(1nm)/Al(20nm),结果表明,DCJTB的掺入量的微小改变对器件的色度影响很大,当DCJTB的掺入量为1.22%时,器件的颜色偏黄绿,其色坐标为（0.3363,0.3871）,峰值波长为561nm,起亮电压为10V。亮度为19000cd/m2。而当DCJTB的掺入量为0.94%时,器件的色度偏蓝,其色坐标为（0.2555,0.2741）峰值波长为449nm,亮度为15000cd/m2。当DCJTB的掺浓度为1.0时,器件接近白色。此时器件的起亮电压为7V,亮度也很好。     

Low driving voltage in organic light-emitting diode using MoO3/NPB multiple quantum well structure in hole transport layer

Driving voltage of organic light-emitting diode (OLED) is lowered by employing molybdenum trioxide (MoO₃)/N, N'-bis(naphthalene-1-yl)-N,N'-bis(phe-nyl)-benzidine (NPB) multiple quantum well (MQW) structure in hole transport layer. For the device with double quantum well (DQW) structure of ITO/ [MoO₃ (2.5 nm)/NPB (20 nm)]₂/Alq₃(50 nm)/LiF (0.8 nm)/Al (120 nm)], the turn-on voltage is reduced to 2.8 V, which is lowered by 0.4 V compared with that of the control device (without MQW structures), the driving voltage is 5.6 V, which is reduced by 1 V compared with that of the control device at the 1000 cd/m². In this work, the enhancement of the injection and transport ability for holes could reduce the driving voltage for the device with MQW structure, which is attributed not only to the reducing energy barrier between ITO and NPB, but also to the forming charge transfer complex between MoO₃ and NPB induced by the interfacial doping effect of MoO₃.     

Nondoped-type White Organic Light-Emitting Diode Using Star-Shaped Hexafluorenylbenzene as an Energy Transfer Layer

采用真空蒸镀的方法以星形六苯芴类新材料1,2,3,4,5,6-hexakis(9,9-diethyl-9H-fluoren-2-yl)benzene(HKEthFLYPh)作为能量传输层制备了indium-tin-oxide(ITO)/N,N′-bis-(1-naphthyl)-N,N′-diphenyl-(1,1'-biphenyl)-4,4′-diamine(NPB)/HKEthFLYPh/5,6,11,12-tetraphenylnaphtacene(rubrene)/tris(8-hydroxyquinoline) aluminum (Alq3)/Mg:Ag的白色有机电致发光器件. NPB和Alq3分别作为蓝色发光层和电子传输层,NPB和Alq3之间的超薄Rubrene层 作为黄色发光层. 结果表明,超薄rubrene层改善了白光器件的色纯度与稳定性,器件的光谱及色坐标几乎不随驱动电压的变化而改变.当rubrene层厚度为0.3 nm时,器件的Commissions Internationale De L′Eclairage (CIE)色坐标为(0.32,0.33). 驱动电压为18 V时,器件的最大亮度为4816 cd/m2.     

高亮度下具有较高效率的绿色和蓝绿色有机电致发光器件的制备和性能研究(英文)

以铱配合物Ir(tfmppy)2(tpip)(1,tfmppy=4-三氟甲基苯基吡啶,tpip=四苯基膦酰胺)和Ir(dfp-py)2(tpip)(2,dfppy=4,6-二氟苯基吡啶)为发光中心分别制备了绿色和蓝绿色有机电致发光器件ITO/TAPC(1,1-bis[4-[N,N-di(p-tolyl)amino]phenyl]cyclohexane,60 nm)/Ir(Ⅲ)complex(x%,质量分数)∶Sim-CP(3,5-bis(9-carbazolyl)tetraphenylsilane,40 nm)/TPBi(2,2’,2″-(1,3,5-benzinetriyl)-tris(1-phenyl-1-H-benzimidazole,60 nm)/LiF(1 nm)/Al(100 nm)。配合物Ir(tfmppy)2(tpip)掺杂质量分数为6%时,以其为发光中心的绿色器件在5 930 cd/m2亮度下的最大电流效率为47.10 cd/A,CIE色坐标为(0.28,0.65),在16.4V驱动电压下的最大发光亮度为38 674 cd/m2。配合物Ir(dfppy)2(tpip)掺杂质量分数为10%时,以其为发光中心的蓝绿色器件在3 175 cd/m2亮度下的最大电流效率为14.80 cd/A,色坐标为(0.15,0.50),在11.8 V驱动电压下的最大发光亮度为25 985 cd/m2。     

采用复合空穴注入层提高有机电致发光器件的性能

制备了以Ag/SAM/m-MTDATA为复合空穴注入层的NPB/Alq₃双层异质结发光器件,研究了器件的性能并与传统的器件进行了对比。考察了银膜厚度的变化对器件性能的影响。研究了光谱窄化以及微腔效应对器件的影响。研究结果表明:在ITO表面制备4-FTP自组装单分子膜修饰的5 nm厚的金属银膜,可以在保持阳极透明性的基础上,增强空穴的注入,改善界面的形貌,进而提高器件性能。制备的ITO/Ag/SAM/m-MTDATA/NPB/Alq₃/LiF/Al器件的启亮电压为4 V,最 大电流效率为6.9 cd/A, 最大亮度为34 680 cd/m²(12 V);优于以ITO为阳极的对比器件(25 300 cd/m² @12 V)。     

基于一种新型有机金属配合物的量子阱结构有机电致白光器件的性能研究

利用一种新型有机金属配合物二(2-(4-三氟甲基-2-羟基苯基)苯并噻唑锌(Zn(4-TfmBTZ)₂),基于NPB/Zn(4-TfmBTZ)₂界面电致激基复合物,制备了一系列异质结量子阱结构有机电致白光器件.结果表明,量子阱结构可以有效提高界面电致激基复合物的发光效率以及器件的显色指数和色度稳定性.得出器件ITO/NPB (60 nm)/Zn(4-TfmBTZ)₂(3.0 nm)/NPB (4.0 nm)/Zn(4-TfmBTZ)_{关键词： 二(2-(4-三氟甲基-2-羟基苯基)苯并噻唑锌 电致激基复合物 量子阱 白光}     

热稳定空穴传输材料的合成及其电致发光器件

合成了两种NPB的新衍生物:N,N’-二(1-萘基)-N,N’-二(4-甲基苯基)-1,1’-联苯-4,4’二胺(NTB)和N,N’-二(1-萘基)-N,N’-二(4-叔丁基苯基)-1,1’-联苯-4,4’二胺(NBB)。DSC测得其玻璃态转变温度分别为108℃和129℃,表现出好的热稳定性。紫外光电子能谱测得其电离势均为5.2eV。NTB和NBB固体光致发光光谱的最大发射波长分别位于455nm和460nm。分别以NPB、NTB、NBB作为空穴传输层材料(HTM)制作了结构相同的有机电致发光器件,3种器件发光光谱相同,均为Alq₃的绿色发光,器件的起亮电压分别为11,9,8V,在15V工作电压时的亮度分别为1000,1300,1200cd/m²,初步研究了器件的发光特性和稳定性。     

发光层掺杂对红光OLED性能影响研究

制备高效率、高亮度的红光有机发光二极管是显示器实现全彩色的关键,对高性能的红光有机发光二极管器件研究具有十分重要的意义.本文主要研究了掺杂剂(DCJTB)浓度对红光有机发光二极管性能影响.实验采用真空热蒸镀的方法,选取结构为ITO／2-TNATA(20 nm)/NPB(30 nm)/AlQ(50 nm):(X%)DCJTB／AlQ(30 nm)／LiF(0.8 nm)／Al(100 nm)的红光器件,在高准确度膜厚控制仪的监控下,实现了有机薄膜功能材料的精确蒸镀.研究表明:红光掺杂剂掺杂浓度为(2.5~3.0)%时,在12 V电压下,可以得到发光亮度最高达到8 900 cd/m²,发光效率大于2.8 cd/A,且发光光谱波长为610~618 nm较为理想的红光有机发光二极管器件.     

高稳定性的红色有机薄膜电致发光器件

有机薄膜电致发光作为新型的平板显示器件受到人们广泛的关注。有机发光器件研究的一个目标是发展全色显示。目前绿色和蓝色器件都实现了高亮度和长寿命。有关红色有机发光器件也有一些报道。如 Ｃ．Ｗ．Ｔａｎｇ等报道的 ＤＣＭ红光器件［１］,Ｊ．Ｋｉｄｏ［２］利用稀土有机物作为红色发射体,Ｐ．Ｅ．Ｂｕｒｒｏｕｓ报道的ＴＰＰ掺杂［３］Ｙ．Ｈａｍａｄａ报道的ＺｎＴＰＰ掺杂［４］, Ｍ． Ａ． Ｂａｌｄｏ利用ＰｔＯＥｐ［５］都得到红光。最近 Ｙ． Ｈａｍａｄａ报道利用ｒｕｂｒｅｎｅ作为辅助掺杂得到的红光器件色度不随电压的…     

双空穴注入的绿色磷光有机电致发光器件

制作了一种新型绿色磷光有机电致发光二极管。器件结构为ITO/HAT-CN(x nm)/MoO3(30 nm)/NPB(40 nm)/TCTA(10 nm)/CPB∶GIr1(30 nm,14%)/BCP(10 nm)/Alq3(25 nm)/LiF(1 nm)/Al(100 nm),其中X=0,8,10,12,14,15 nm。电流密度-电压-亮度特性表明该结构有利于降低驱动电压和增加器件亮度。当HAT-CN厚度为12 nm时,器件的最高亮度可以达到32 480 cd/m2,起亮电压为3.5 V左右,发光效率为24.2cd/A。所设计的空穴型器件证明该器件结构具有很好的空穴注入和传输特性。     

基于红色荧光染料3-(dicyanomethylene)-5, 5-dimethyl-1-(4-dimethylamino-styryl) cyclohexene的高性能白色有机电致发光器件

研究了基于红色荧光染料3-（dicyanomethylene）-5, 5-dimethyl-1-（4-dimethylamino-styryl） cyclohexene（DCDDC）的白色有机电致发光器件的性能,分别制备了基于DCDDC超薄层和DCDDC掺杂主体材料的两种器件结构: 1）indium-tin oxide（ITO）/N, N′-diphenyl-N, N′-bis（1-naphthyl-pheny1）-1, 1′-biphenyl-4, 关键词： 有机电致发光器件 白色发光 红色荧光染料 掺杂     

利用NPB/MoO3/NpB作为空穴传输层的低驱动电压的有机发光器件

通过引入(NPB/MoO3)x/NPB作为空穴传输层,获得了低驱动电压的有机电致发光器件(OLEDs),(NPB/MoO3)x为多层结构(x为0,1和2).通过对比发现,在相同亮度下,x=1对应的器件具有最低的工作电压.这是由于在NPB和MoO3之间产生了电荷转移复合物(charge transfer,CT),这将会降低器件的空穴注入势垒,从而降低其工作电压,文中所研究器件为基于8-羟基喹啉铝(tris(8-hydroxyquino-line)aluminum,Alq3)的绿光器件.与x=0时的普通器件相比,在亮度为1 000 cd·m-2时,x=1时的工作电压降低了 0.8 V.     

荧光染料掺杂的高效率、高亮度白色有机电致发光器件

制备了结构为 ITO/NPB（30 nm）/Rubrene（0.2 nm）/CBP：Bczvbi（8 nm,x%）/Bphen（30 nm）/Cs₂CO₃：Ag₂O（2 nm,20%）/Al（100 nm）的器件。研究了Bczvbi掺杂浓度（x=5,10,15）对白光器件性能的影响。综合利用发光层中主客体之间的能量转移和空穴阻挡层的空穴阻挡特性,得到了高效率、高亮度的白色有机电致发光器件。当Bczvbi的掺杂质量分数为10%时,器件的效率和亮度都为最大。驱动电压为7 V时,最大电流效率为4.61 cd/A;驱动电压为9 V时,最大亮度为21 240 cd/m²。当驱动电压从4 V增加到9 V时,色坐标从（0.36,0.38）变化为（0.27,0.29）,均处于白光区域。     

使用PTB7作为阳极修饰层提高有机发光二极管的性能

采用poly[[4,8-bis[(2-ethylhexyl)oxy]benzo[1,2-b:4,5-b’]dithiophene-2,6-diyl][3-?uoro-2-[(2-ethylhexyl)carbonyl]thieno[3,4-b]thiophenediyl]](PTB7)作为有机发光二极管器件的阳极修饰层,制备了结构为indium tin oxide(ITO)/PTB7(不同浓度)/N,N’-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N’-bis(phenyl)benzidine(NPB,40 nm)/8-hydroxyquinoline(Alq3,60 nm)/LiF(1 nm)/Al的系列器件,同时研究了不同浓度的PTB7对器件性能的影响.PTB7的最佳浓度为0.25 mg/mL,器件性能得到明显的改善,起亮电压为4.3 V.当驱动电压为14.6 V时,最大亮度为45800 cd/m2,最大电流效率为9.1 cd/A.与没有PTB7修饰的器件相比,其起亮电压降低了1.9 V,最高亮度提升了78.5%.器件性能提高归因于PTB7的插入使得空穴注入和传输能力大大改善.     

LiF超薄层引起的OLEDs发光光谱展宽

将LiF插入到发光层Alq₃中,制备了有机电致发光器件(OLED),其器件的结构为:ITO/NPB (45 nm)/Alq₃ (x nm)/LiF (0.3 nm)/Alq₃ /Al(150 nm)。发现器件的电致发光谱(Electroluminescence spectra, EL)有非常明显的展宽现象,这为白光器件的制备提供了一条简单的途径。通过对比LiF在Alq₃中不同厚度处的发光谱,发现在x=10时谱线展宽最显著,器件最大亮度在22 V时达到8 260 cd/m²,最大效率可达 4.83 cd/A,并对其光谱展宽的机理及器件特性进行了分析。     

利用BCP层调节白色磷光有机电致发光器件色度的研究

制备了三种结构的白色有机电致发光器件，通过比较得出：在发光层中间插入2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(BCP)能有效控制载流子在不同发光层的分布，进而对器件色度进行调节；而掺杂磷光染料Ir(ppy)₃作敏化剂能有效提高器件的效率. 结构为:氧化铟锡/聚乙烯基咔唑∶N，N′-二(1-萘基)-N，N′-二苯基-1，1′-联苯-4-4′-二胺(30nm)/二-(2-甲基-8-羟基喹啉)-4-联苯酚铝：3.0 wt%2，5，8，11-tetra-tertbutylperylene(TBPe)(30nm)/BCP(5.0nm)/4,4N,N二咔唑基二苯：5.0 wt%Ir(ppy)₃:2.0 wt%红荧烯(15nm)/BCP(10nm)/Mg:Ag的器件色度和效率俱佳. 其在17V工作电压下具有的亮度为4670cd/m²，对应色坐标为(0.31,0.37). 器件具有的最大外量子效率为1.4%，当驱动电压从5.0V升高到17V，器件色坐标严格位于白光色域区内. 关键词： 磷光染料 阻挡层 白光 双发光层     

新型苯乙烯衍生物掺杂的蓝色及白色有机电致发光器件

研究了新型高效蓝色掺杂剂EBDP的电致发光性能. 分别以EBDP为掺杂剂制备了结构为氧化铟 锡(ITO)/酞菁铜(CuPc)/N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4-4′-二胺(NPB)/2- 叔丁基-9,10-二-(2-萘基)蒽(TBADN):EBDP/8-羟基喹啉铝(Alq₃)/LiF/Al 与ITO /CuPc/NPB/TBADN:EBDP: 4-二氰亚甲基-2-叔丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久咯呢定基-9-烯基)- 4H-吡喃/Alq_{3 关键词： 有机电致发光 蓝色掺杂剂 蓝色电致发光器件 白色电致发光器件}     

一种多层白色磷光有机电致发光器件的制备及性能研究

制备了一种结构为ITO/NPB/NPB:Ir(piq)₂(acac)/CBP:TBPe/BAlq:rubrene/BAlq/Alq₃/Mg:Ag的白色磷光有机电致发光器件.其中空穴传输型主体NPB掺杂磷光染料Ir(piq)₂(acac)作为红色发光层,双载流子传输型主体4,4′-N,N′-dicarbazole-biphenyl (CBP)掺杂TBPe作为蓝色发光层,电子传输型主体材料BAlq掺杂rubrene作为绿色发光层.以上发光层夹于 关键词： 电致发光 磷光染料 异质结 白光