高色纯度有机白光电致发光器件

介绍了具有高色纯度的多层有机白光器件,器件发光的色坐标为x=0．33,y=0．34,非常接近白光等能点,是色度很好的白光器件。而且在8～14V很大的范围内,发光色度随器件的驱动电压或电流的变化不大,基本稳定在x=0．33,y=0．34。在电压为19V时,器件的亮度达到了最大9735cd／m^2,在电压为9V时,器件的效率达到了最大4．5cd／A。     

荧光染料掺杂的高效率、高亮度白色有机电致发光器件

制备了结构为 ITO/NPB（30 nm）/Rubrene（0.2 nm）/CBP：Bczvbi（8 nm,x%）/Bphen（30 nm）/Cs₂CO₃：Ag₂O（2 nm,20%）/Al（100 nm）的器件。研究了Bczvbi掺杂浓度（x=5,10,15）对白光器件性能的影响。综合利用发光层中主客体之间的能量转移和空穴阻挡层的空穴阻挡特性,得到了高效率、高亮度的白色有机电致发光器件。当Bczvbi的掺杂质量分数为10%时,器件的效率和亮度都为最大。驱动电压为7 V时,最大电流效率为4.61 cd/A;驱动电压为9 V时,最大亮度为21 240 cd/m²。当驱动电压从4 V增加到9 V时,色坐标从（0.36,0.38）变化为（0.27,0.29）,均处于白光区域。     

基于新型电荷生成层的P-i-N结构白色有机叠层电致发光器件

采用2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline(BCP): 5 wt.% cesium carbonate(Cs₂CO₃)和N, N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidine(NPB): 20 wt.% molybdenum oxide(MoO₃)分别作为器件的电子注入层和空穴注入层,研究了N型和P-i-N结构有机电致发光器件的载流子传输特性.载流子传输层中BCP: Cs₂CO₃和NPB:MoO₃的引入有效增强了载流子注入能力,从而降低了器件的驱动电压.基于新型电荷生成层BCP: 5 wt.% Cs₂CO₃/ NPB: 20 wt.% MoO₃制备了色稳定、高效率P-i-N结构有机叠层器件.与单元器件相比,引入新电荷生成层有机叠层器件的最大电流效率增大了2.5倍,表明该电荷生成层可以有效地将电子和空穴分别注入到相邻发光单元中.采用该电荷生成层制备了P-i-N结构白色有机叠层器件,器件的上下发光单元分别为橙光和蓝光发射.当发光亮度从500增加到5 000 cd/m²时,器件的色坐标稳定在(0.33, 0.29)附近,接近白光等能点.利用单色发光单元堆叠制备白色有机叠层器件的方法为实现色稳定、高效率的白色有机电致发光器件提供了一种有效的途径.     

利用原子层沉积技术实现有机电致发光器件的薄膜封装EI北大核心CSCD

有机电致发光器件(Organic light emitting diode,OLED)具有轻薄、便于携带、自发光、能耗低、亮度更大、柔性显示等特点,可以增加显示产品的附加值,因此被科学和产业界广泛关注。然而,OLED器件中的有机材料对空气中的水汽和氧气十分敏感,若器件在无封装保护的情况下长期在空气中存放,将会严重影响OLED的工作性能和寿命。除了选择合适的传输层材料、表面层结构和利用界面工程提高材料水氧耐受能力之外,对器件进行可靠的封装是隔绝空气中水汽和氧气侵蚀的一种有效手段。原子层沉积(Atomic layer deposition,ALD)是一种已经在实验室验证的有效薄膜沉积封装技术,由于ALD的自限制反应特性,可以在低温下沉积出厚度精确可控且均匀致密的薄膜,利用ALD沉积的薄膜往往拥有良好的机械柔性、超高的阻隔性能和光学透过率。本文将回顾原子层沉积技术的原理,分析ALD制备薄膜的水汽透过率,比较ALD在单层、有机-无机叠层薄膜封装制备上的技术优势。     

室温下磁场对基于Alq3的有机电致发光器件的影响

制备了ITO/NPB/LiF/Alq₃/LiF/Al的器件,测量了该组器件效率和亮度的磁效应.结果表明,在50 mT磁场中,当LiF缓冲层厚度为0.8 nm时,器件的效率最大增加了12.4%,磁致亮度最大变化率17%.同时,制备的磷光器件ITO/NPB/LiF/CBP:6 wt% Ir(ppy)₃/BCP/Alq₃/ LiF/Al,在50mT磁场作用下,当LiF缓冲层的厚度为0.8 nm时,器件的效率最大增加12.1%.在Alq_{3 关键词： 有机发光 磁场 效率 磁致亮度}     

双量子阱结构OLED效率和电流的磁效应

通过结构为ITO/NPB(60 nm)/ Alq₃ ∶1 wt% rubrene(20 nm)/ Alq₃(3 nm)/ Alq₃ ∶1 wt% rubrene(20 nm)/ Alq₃(20 nm)/LiF/Al的双量子阱的黄色有机电致发光器件,研究了不同磁场强度下的发光效率和电流变化特性. 研究结果表明该器件的电流是随着磁场强度的增加而单调下降的,显示了器件的电阻是随着磁场强度的增加而增加的. 同时也得到了该结构有 关键词： 量子阱 磁场 OLED 磁效应     

Realization of Red-Organic-Light Emitting Diode by Introducing the Double Emitting Zone

A saturated red-organic-light emitting diode (OLED) has been realized by doping an emitting material both in the hole-transporting layer (HTL) and the electron-transporting layer (ETL) to form double emitting zone. The red dopant, 4-(Dicyanomethylene)-2-t-butyl-6-(1,1,7,7-tetramethyljulolidyl-9-enyl)-4H-pyran (DCJTB), was doped into the N,N′-bis-(1-naphthyl)-N,N′-diphenyl-1,1′-biphenyl-4,4′-diamine (NPB) layer and the tris (8-quinolinolate) aluminium (Alq3) layer, both of which act as the emitting layers. The optimal device, with a structure of ITO/CuPc/NPB/NPB:DCJTB/Alq3:DCJTB/Alq3/LiF/Al, showed good chromaticity coordinates (x = 0.63,y = 0.36) at 8 V. Uniquely, the current efficiency of the device was relatively independent of the drive voltage in a wide range from 8 V to 20 V. That may be helpful to ameliorate the lifetime of the organic electrol,Jmlnescent devices and to adjust the grey-scale for the future full-colour display panel.     

磁场作用下的有机电致发光

分别制备了荧光器件ITO/NPB/Alq₃/LiF/Al和磷光器件ITO/NPB /CBP: Ir（ppy）₃/BCP/Alq₃/LiF/Al, 测试了50 mT磁场作用下器件的I-V和L-V特性. 与零磁场相比荧光器件和磷光器件的效率分别增加了44%和7%. 从有机电致发光的机制出发对该现象进行了解释, 认为外加磁场可以使三重态激子发生塞曼分裂, 进而在荧光器件中引起了三重态激子T     

基于N-乙基咔唑-2-乙烯基-8-羟基喹啉锌的黄绿色有机电致发光器件的性能

通过用一种既具有空穴传输特性又具有发光特性的新型荧光染料N-乙基咔唑-2-乙烯基-8-羟基喹啉锌((E)-2-(2-(9-ethyl-9H-carbazol-3-yl)vinyl) quinolato-zinc, CzHQZn)作为受主, 制备了结构为ITO/2T-NATA (30 nm)/CBP: 6%Ir(ppy)3:wCzHQZn(20 nm)/Alq3(50 nm)/LiF/Al(ITO: indium-tin oxide, 2T-NATA: 4,4',4'-{N,N-(2-naphthyl)-N-phenylamino}-triphenylamine, CBP: 4,4-N,N'-dicarbazole-biphenyl, Ir(ppy)3: factris (2-phenylpyridine) iridium, Alq3: tris(8-quinolinolato) aluminum; w 是CzHQZn 的质量分数)的黄绿色有机电致发光器件(OLEDs). 研究了掺杂体系在不同掺杂浓度(w=5%、10%、12%、15%)时的电致发光(EL)特性. 结果表明, CzHQZn 掺杂浓度为10%的器件在11 V 电压下实现了黄绿光发射, 色坐标为(0.4045, 0.5113), 最大发光亮度为16110 cd·m-2; 而在7 V电压下的最大发光效率为2.19 cd·A-1, 最大外量子效率为0.775%.     

一种利用双发光区的有机红光电致发光器件

针对一般掺杂结构的红光有机电致发光器件效率随外加电压的增加而迅速下降。同时色度逐渐变差的特点,我们引入了在NPB层和Alq3层内同时掺杂DCJTB的具有双发光区的器件结构。制备的双发光区掺杂器件在驱动电压8—20V内发光效率只下降了4％;而色度从8V时的(x=0．6287,y=0．3663)变化到20V时的(x=0．6075,y=0．3841);器件的发光亮度从8V时的178cd／m^2变化到20V时的5962cd／m^2,具有较好的性能水平。观察到器件效率基本上不依赖于外加电压的变化而变化的特性,同时器件也保持一个比较好的色纯度,并对结果进行了分析。