MSM结构GaAs探测器的抗辐照性能

研究一种双金属接触的GaAs半导体探测器在14MeV中子辐照下的性能.测量了探测器经过10¹²n/cm²中子辐照剂量后的反向漏电流、电荷收集效率和最小电离粒子能谱,并且与⁶⁰Co 1.25MeV光子辐照的测量结果相比较.对中子辐照引起探测器时间性能变化和辐照损伤机制进行了探讨.并根据实验结果提出了这种双金属接触GaAs探测器灵敏层分布的一种假设,理论计算和实验数据相符合.     

光电倍增管对14 MeV脉冲中子的直照响应

 采用ING-103型DPF脉冲中子源产生的14.1 MeV脉冲中子对EMI两个不同型号的光电倍增管EMI-9815B和EMI-9850B进行了直照实验。针对DPF脉冲中子源产生中子脉冲的同时也会产生X射线脉冲的特点，采取了飞行时间法及吸收衰减法来消除X射线对中子脉冲的干扰。利用中子及X射线速度的差异，将光电倍增管放置在离源较远的测点位置，测得了X射线脉冲和中子脉冲时间上错开的双峰波形。通过在辐射通道内添加5 cm厚的铅吸收体有效地抑制了X射线峰，在离源较近的测量位置测到了干净的脉冲中子波形。根据实测波形，得到的光电倍增管EMI-9815B和EMI-9850B中子直照灵敏度分别为10^-13与10^-15量级，该结果与理论计算结果在量级上一致。     

大面积闪烁体探测器的中子探测效率刻度

介绍了一种利用同位素中子源(²⁴¹Am⁹Be)通过γn符合的中子飞行时间法对大面积探测器的中子探测效率进行刻度的方法,并用蒙特卡罗方法对该探测器的探测效率进行了模拟.实验与模拟结果基本一致.     

电荷比较法测量液体闪烁体n,γ分辨性能

描述了一种采用CAMAC一微机系统采集数据,电荷比较法测量液体闪烁体的中子、γ射线分辨性能的新方法,同时测量了液体闪烁体NE213或BC519样品在²⁴¹Am–Be或²⁵²C_f中子源照射下的脉冲总电荷及多路不同时间段的部分电荷,对数据的离线分析给出闪烁体n,γ分辨与延迟时间及能量分布的关系,并可利用n,γ鉴别方法测量中子或γ射线的能量分布及闪烁体快或慢脉冲形状.     

新核素238Th的鉴别

利用60MeV/u的¹⁸O离子束轰击天然铀靶,通过多核子转移反应生成重丰中子新核素²³⁸Th.观测到了²³⁸Th的子体²³⁸Paγ活性的生长、衰变行为,鉴别了²³⁸Th的存在,并测得它的半衰期为(9.4±2.0)min.同时,发现了一条能量为(89.0±0.3)keV、半衰期为(8.9±1.5)min的新γ射线,指定为²³⁸Th的衰变γ射线.     

175Er的衰变纲图

用14MeV中子照射天然Yb靶,通过¹⁷⁶Yb(n,2p)¹⁷⁵Er反应产生了新的重丰中子同位素¹⁷⁵Er,借助X-γ,γ-γ符合测量方法,首次鉴别出了¹⁷⁵Er,并测得其半衰期为(1.2±0.3)min.同时还观察到了¹⁷⁵Er衰变所发射的8条新γ射线,建立了¹⁷⁵Er的部分γ衰变纲图,从中指定了¹⁷⁵Tm的一个基态转动带.     

208Hg β－ 衰变γ纲图

以¹⁸O重离子束轰击厚天然铅靶,通过多核子转移反应生成²⁰⁸Hg核.辐照铅片放入离线熔化铅靶气相热色谱装置中处理,分离并收集汞元素产物.完成了4πΔE_βγ-γ,γX(γ)关联事件谱及γ射线时序单谱测量.建议了21条γ射线,以及能量为1365,1727keV的两条²⁰⁸Tl新能级的²⁰⁸Hg β^－ 衰变部分γ纲图.     

207Rn能级结构的实验研究

利用能量为85—95MeV的¹⁶O束流,通过¹⁹⁶Pt(¹⁶O,5n)²⁰⁷Rn反应布居了²⁰⁷Rn的高自旋态.实验进行了γ射线的激发函数、γ射线的单谱、衰变谱和γ-γ-t符合测量.建立了由17条γ射线组成的²⁰⁷Rn能级纲图,并且基于实验测量的DCO系数建议了各能级的自旋值.用一个f_5/2价中子空穴与²⁰⁸Rn核芯耦合定性地解释了²⁰⁷Rn的低位激发态.     

入射能量为5.1MeV中子58Ni(n,α)55Fe反应截面和出射粒子角分布测量

用屏栅电离室测量了入射中子能量为5.1MeV的⁵⁸Ni(n,α)⁵⁵Fe核反应的α粒子角分布,²³⁸U裂变电离室作中子注量率的测量,测得该能点⁵⁸Ni(n,α)⁵⁵Fe的总截面为(47.4±5.0)mb.用中国核数据中心推荐的理论计算程序UNF计算了在1—8MeV能区⁵⁸Ni(n,p)⁵⁸Co,⁵⁸Ni(n,α)⁵⁵Fe的反应截面和入射中子能量为5.1MeV的⁵⁸Ni(n,α)反应角分布.理论和测量数据的比较说明,用复合核模型来描写该能点的角分布是可行的.     

一种多阳极横向场电离室

描述了一种将用于兰州放射性束流线较重离子鉴别的多阳极横向场电离室.对其性能进行了初步测试,得到该电离室有较长的坪区和较好的能量分辨.在10⁴Pa的P10工作气体(10%CH₄+90%Ar)下,坪区长度为700V.对²⁴⁴Cm α放射源,在第4片阳极对应的灵敏区域能量损失为1.30MeV,能量分辨41.1keV,相对能量分辨约3.16%。     

141Nd激发态的在束γ谱学研究

通过¹³⁰Te(¹⁶O,5nγ)¹⁴¹Nd反应布居了¹⁴¹Nd的高自旋态能级.对反应产生的在束γ射线进行了γ射线单谱和γ–γ符合测量.建立了激发能达7614.5keV的¹⁴¹Nd能级纲图,新发现了12条γ射线和15个能级.基于实验测量的γ跃迁各向异性,建议了¹⁴¹Nd部分能级的自旋值.用一个h_11/2价中子空穴与¹⁴²Nd核芯晕态的耦合可以定性地解释¹⁴¹Nd的能级结构.     

内转换效应在稀土区丰中子新核素鉴别中的应用

用14MeV中子轰击天然镱靶,通过¹⁷⁶Yb(n,2p)反应产生了新核素¹⁷⁵Er的活性.由于丰中子核¹⁷⁵Er衰变γ跃迁有较大的内转换系数,因而伴随其衰变产生了较强子核Tm的特征X射线,因此,本工作借助于X-γ-t,γ-γ-t符合测量技术并结合对反应道的分析,成功地从复杂反应产物中鉴别出稀土新丰中子同位素¹⁷⁵Er的活性,并首次建议了该核素的部分衰纲图.     

131Ce和131Pr价核子对形状变化的影响

利用95MeV的¹⁹F束轰击¹¹⁶Sn靶,采用11台反康普顿BGO-HPGe探测器对蒸发剩余核退激发射的γ射线进行γ-γ符合测量.通过对多普勒展宽峰的形状分析测定了¹³¹Ce和¹³¹Pr高自旋态的寿命.根据寿命数据提取的跃迁四极矩显示,在带交叉区发生形状变化.通过与相邻偶-偶核芯¹³⁰Ce的比较表明,价中子对核芯形状变化的影响大于价质子的影响.     

用于质子和伽马射线探测的金刚石薄膜探测器的辐照性能

 研制出CVD金刚石薄膜探测器,在国家串列加速器和⁶⁰Co稳态辐射源上分别完成了该探测器对9 MeV质子束流和1.25 MeV γ射线的辐照性能研究。结果表明:该探测器在9 MeV质子照射累积强度达到10¹³ cm^-2时,探测器信号电荷收集效率减小量低于3.5%,辐照前后探测器暗电流没有明显变化。计算得到9 MeV质子对该探测器的损伤系数为1.3×10^-16 μm^-1·cm²。由于γ射线与金刚石作用产生的电子起到了填补缺陷的作用,探测器信号电荷收集效率随γ射线照射剂量的增加略有增加,在γ射线累积照射量达到10.32 C/kg时,其增幅小于0.7%。说明金刚石薄膜探测器具有较高耐辐照强度,适用于高强度辐射测量领域。     

元素分离样品中丰中子同位素弱γ活性探测

MPGeγ探测器的γ能量信号与4πΔEβ探测器的β射线能损信号符合后再与BGO探测的β+衰变的正电子湮灭511keV γ信号作反符合组成一种新的探测系统. 该系统可使γ谱测量的康普顿本底下降约一个数量级. 对缺中子同位素衰变γ射线的探测作强抑制的同时,丰中子同位素衰变γ射线的探测仍能保持相对单谱为(46±3)%的高效率. 使用该系统对已被合成的丰中子核素²⁰⁸Hg的半寿命进行了一次新的测定. 所得新的²⁰⁸Hg半寿命测定值41.5+min,与以往用放射化学母牛法给出的结果一致,测量误差有较大改进.     

单能中子源中低能成份对活化截面测量的影响

对用单能中子源作活化截面测量时低能中子干扰的影响作了分析研究,并从测量的两种常用中子源T(d,n)⁴He和D(d,n)³He的中子源能谱中验证了这种定性分析.最后给出了两个比较典型的反应⁵⁸Ni(n,P)⁵⁸Co和⁶⁴Zn(,P)⁶⁴Cu反应的截面测量结果.     

中重核中子辐射俘获γ射线强度函数研究

假设退激过程中除包含巨偶极共振模式外还存在⁶He,⁶Li,⁶Be,⁷Li和⁷Be等粒子集团激发态的退激过程.本文对这一物理假定作了进一步分析.利用据此建立的包括这些过程在内的γ射线强度函数,计算了在核素⁹³Nb,¹⁸¹Ta和天然元素Ag上入射中子能量在0.01—5MeV能区以及在核素¹⁹⁷Au上入射中子能量在0.01—10MeV能区的中子辐射俘获反应截面和γ能谱,得到了与实验数据较好符合的结果.特别是可以较好地解释γ能谱中5.5MeV之后的反常突起.这表明,上述物理假定适用于中重核中子辐射俘获反应.     

不同集成度SRAM硬X射线剂量增强效应研究

给出了不同集成度16K—4Mb随机静态存储器SRAM在钴源和北京同步辐射装置BSRF3W1白光束线辐照的实验结果;通过实验在线测得SRAM位错误数随总剂量的变化,给出相同辐照剂量时20—100keVX光辐照和Co⁶⁰γ射线辐照的剂量损伤效应的比例因子;给出集成度不同的SRAM器件抗γ射线总剂量损伤能力与集成度的关系;给出不同集成度SRAM器件的X射线损伤阈值.这些结果对器件抗X射线辐射加固技术研究有重要价值.     

197Au中子辐射俘获过程中γ射线强度函数与能谱研究

文章假定在复合核首次和级联γ退激过程中,除包含巨偶极共振模式外,还存在⁶He,⁶Li,⁶Be,⁷Li和⁷Be等粒子集团的激发态的退激过程,并据此建立了包括这些过程的γ射线强度函数,计算了入射中子能量在0.01—3MeV能区的中子辐射俘获反应:¹⁹⁷Au(n,γ)的反应截面和γ能谱,得到了与实验数据较好符合的结果.特别是,很好地解释了γ能谱中5.5MeV之后的反常突起.     

冷中子与冷中子源

 一九八八年十月,我国的重水反应堆冷中子源建成并投入使用.这使我国重水反应堆外围的实验设施进一步完善,为冷中子研究和应用提供了一定的条件.冷中子是些什么样的中子?冷中子源是一个什么样的装置?这里向大家做一简单介绍.（一）中子与冷中子中子是英国科学家查德威克于1932年发现的,是原子核的组成粒子之一.研究测量得到:中子所带的电荷不大于1.6021892×10（-37）库仑,可以认为是不带电的中性粒子;中子的静止质量为1.674954×10^-27千克;中子的磁矩为负9.6651855×10^-27焦耳·特斯拉^-1.