浮栅ROM器件x射线剂量增强效应实验研究

给出了浮栅ROM器件在钴源和北京同步辐射装置(BSRF)3W1白光束线辐照的实验结果;比较了两种辐照的实验结果及其损伤异同性.通过实验在线测得位错误数随总剂量的变化,给出相同累积剂量时x射线辐照和γ射线辐照的总剂量效应损伤等效关系.获得了浮栅ROM器件x射线剂量增强因子.这些结果对器件抗x射线辐射加固技术研究有重要价值 关键词： EEPROM x射线 剂量增强剂量效应 同步辐射     

同步辐射X射线源的剂量增强效应实验研究

设计了多层平板铝电离室,利用北京同步辐射装置BSRF产生的30—100keV同步辐射硬X射线,测量了不同材料界面Kovar/Au/Al,Pb/Al,Ta/Al的辐射剂量梯度分布,给出了不同材料界面剂量增强因子DEF.在该装置上同时开展了硬X射线辐照引起的CMOS器件4069的剂量增强效应RDEF研究.采用双层膜结构,通过实验给出辐照敏感参数随总剂量的变化关系,从而给出器件损伤增强因子.这些方法为器件抗硬X射线辐射加固技术研究提供了实验技术手段.     

稳态、瞬态X射线辐照引起的互补性金属-氧化物-半导体器件剂量增强效应研究

重点开展了稳态、瞬态X射线辐照引起的金属氧化物半导体(CMOS)器件剂量增强效应relative dose enhancement effect(RDEF)研究.通过实验给出辐照敏感参数随总剂量的变化关系,旨在建立CMOS器件相同累积剂量时Χ射线辐照和γ射线辐照的总剂量效应损伤等效关系.在脉冲X射线源dense plasma focus(DPF)装置上,采用双层膜结构开展瞬态翻转增强效应研究,获得了瞬态翻转剂量增强因子.这些方法为器件抗X射线辐照加固技术研究提供了实验技术手段. 关键词： X射线 剂量增强因子 总剂量效应 剂量率效应     

多层平板电离室测量不同材料界面剂量分布及其蒙特-卡洛模拟

研究设计了多层平板铝电离室.用该电离室测量了30—100keV宽谱同步辐射X射线在Kovar/Au/Al,Pb/Al,Ta/Al界面附近的辐射剂量梯度分布,给出了不同材料界面剂量增强因子(dose enhancement fctor)(DEF).理论上用蒙特卡洛粒子输运方法模拟计算了实测模型下的不同材料的界面剂量增强因子,实验结果与理论模拟符合很好.为研究不同材料的剂量增强提供了理论和实验手段 关键词： 多层平板电离室 剂量增强 蒙特卡-洛模拟     

存储器硬X射线损伤效应实验

文章给出了大规模集成电路浮栅ROM,SRAM器件在钴源和北京同步辐射装置BSRF(Beijing Synchrotron Radiation Facility)3W1白光束线辐照的实验结果;比较了其两种辐照源的实验结果及其损伤异同性.通过实验在线测得位错误数随总剂量的变,给出基相同累积剂量时X射线辐照和γ射线辐照的总剂量效应损伤等关系.获得了浮栅ROM器件X射线剂量增强因子,给出不同集成度SRAM器件的X射线辐射加固技术研究有重要价值.     

微电路pn结瞬态电离辐射响应二维数值模拟

 用增强光电流模型对微电路pn结瞬态电离辐射响应开展了数值模拟计算。该模型在Wirth-Rogers光电流模型的基础上，增加考虑了高注入对过剩载流子寿命的影响以及衬底（准中性区）电场的效应,这些效应对于高阻材料是不容忽视的。该模型对正确预估微电路PN结瞬态电离辐射响应提供了很好的评估手段。     

不同集成度SRAM硬X射线剂量增强效应研究

给出了不同集成度16K—4Mb随机静态存储器SRAM在钴源和北京同步辐射装置BSRF3W1白光束线辐照的实验结果;通过实验在线测得SRAM位错误数随总剂量的变化,给出相同辐照剂量时20—100keVX光辐照和Co⁶⁰γ射线辐照的剂量损伤效应的比例因子;给出集成度不同的SRAM器件抗γ射线总剂量损伤能力与集成度的关系;给出不同集成度SRAM器件的X射线损伤阈值.这些结果对器件抗X射线辐射加固技术研究有重要价值.     

DPF-300脉冲X射线源同步触发系统研制

 DPF-300脉冲X射线源的同步触发系统采用三级触发：第一级由初级脉冲产生器触发氢闸流管；第二级由氢闸流管输出脉冲触发多路触发开关；第三级由多路触发开关和触发箱组成，触发主放电场畸变开关。该触发系统中多路触发开关产生负极性脉冲信号，通过耦合电容，到达开关的触发脉冲上升沿，约为40 ns，脉冲半高宽约60 ns，上升陡度大于0.67 kV/ns。能够同时触发40个同轴型场畸变开关，电压工作范围20～40 kV，不同发次触发箱输出的触发脉冲信号时间分散性小于4 ns，同一发次不同开关的放电时间分散性小于20 ns。在工作电压20 kV，主放电开关充0.115 MPa氮气时，整机负载电流达到约1 MA。