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金属-氧化物-半导体(MOS)系统,它不仅作为金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)在超大规模集成电路中占有主导地位,而且也是半导体器件、材料和工艺方面的重要研究手段之一.故对它的研究日益发展、深入.本文仅从集成电路的角度出发,着重介绍与MOS系统电学特性有关的基础知识,而未涉及工艺制造问题. 一、半导体表面空间电荷区[1-3] 表面势的存在,由于自由载流子数目偏离平衡值,将使表面层中形成非电中性区,即表面空间电荷区.这里面的载流子分布、电位分布均与体内不同,呈现一系列的表面物理效应.1.平衡态、载流子非简并 这是一种最简… 相似文献
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新型MSM结构砷化镓半导体探测器的性能 总被引:1,自引:1,他引:0
研究一种新型双金属接触GaAs半导体探测器的性能,测量了241Am 5.48MeVα粒子、57Co 122keV的光子和90Sr 2.27MeVβ粒子的最小电离粒子谱,比较了一个3×3mm2的GaAs芯片在经过137Cs 662keV光子约1300rad辐照前后的电荷收集效率和能量分辨率.测量结果显示这种新型金属─半导体─金属(MSM)结构的半导体探测器不仅在室温下对各种粒子具有良好的探测能力,而且具有很好的抗辐照性能. 相似文献
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