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1.
Gallium Nitride (GaN) room temperature α particle detectors are fabricated and characterized, whose device structure is Schottky diode. The current-voltage (I- V) measurements reveal that the reverse breakdown voltage of the detectors is more than 200 V owing to the consummate fabrication processes, and that the Schottky barrier and ideal factor of the detectors are 0.64 eV and 1.02, respectively, calculated from the thermionic transmission model. ^241Am α particles pulse height spectra from the GaN detectors biased at -8 V is obviously one Gauss peak located at channel 44 with the full width at half maximum (FWHM) of 15.87 in channel. One of the main reasons for the relatively wider FWHM is that the air between the detectors and isotope could widen the spectrum.  相似文献   
2.
 利用中子飞行时间技术和BC501A液体闪烁探测器的粒子分辨特性,测量了0°方向、20 MeV氘束轰击厚金属铍靶反应产生的中子源能谱,测量的中子能谱范围为0.7~25.0 MeV。在60°方向放置芪晶体闪烁探测器,由刻度好的BC501A液体闪烁探测器归一校正后,用于中子源强度监测。利用Be(d, n) 反应中子源,采用单粒子灵敏度标定方法,实验标定了0.75~15.75 MeV能量范围内的薄膜闪烁探测器中子能量响应曲线,实验结果与蒙特卡罗模拟计算结果在8%的不确定度范围内一致。  相似文献   
3.
对HR-1型奥氏体不锈钢在室温下注入了70keV 5×1016—1018cm24He离子,进行了上升至1273K的恒时退火实验。使用2.5MeV的质子弹性散射、TEM和SEM分析法研究了He在其中的捕获、迁移与释放特性。 关键词:  相似文献   
4.
电流型大面积PIN探测器   总被引:7,自引:0,他引:7       下载免费PDF全文
研制了灵敏区面积为40,50和60mm,耗尽层厚度为200—300μm的电流型大面积薄型PIN半导体探测器,并对其物理性能进行了测量.测试和应用表明,这些探测器性能稳定,漏电流符合使用要求.与市场上的大面积PIN半导体探测器相比,这些探测器主要在几百伏偏压下工作在电流模式,但也可用于计数模式,而目前的商用产品仅适用于计数测量. 关键词: 半导体探测器 大面积 电流型  相似文献   
5.
本文用低频内耗的方法研究了氧离子导体材料La1.95K0.05Mo2-xMnxO9中氧离子的微观扩散机制.当测量频率为0.5 Hz时,在130℃和520℃附近分别观察到一弛豫内耗峰,而在280℃~300℃范围内有一相变峰存在.讨论了各个内耗峰的机理.  相似文献   
6.
在大约四十年的短暂时间内,大分子科学已从新兴阶段发展为繁荣昌盛的领域。不仅已经获得了大量知识,而且新的观点已出现在这个学科的各个分支中。这些发展是分布在全世界实验室中的许多具有献身精神的研究人员努力的结果。实际上我是作为他们的代表出现在这个场合。在此情况下,要作一个与瑞典皇家科学院授与我诺贝尔化学奖金的极大荣誉相称的讲演是一个极其困难的任务。我不想全面谈论皇家科学院所详细介绍的广泛领域,而是选择一个  相似文献   
7.
The light output functions for protons of ST-401 and BC-408 plastic scintillators were measured using white neutron source produced by the 9Be(d,n) 10B reaction at the HI-13 Tandem Accelerator at China Institute of Atomic Energy(CIAE).The LOFs of plastic scintillators for protons in the energy range of 0.5-16.5 MeV were obtained by the time-of-flight(TOF) technique and an iterative procedure.Two parameters(kB and C) were deduced by fitting the experimental data.  相似文献   
8.
PIN detectors have been extensively used to detect charged particles and X-ray. The new type PIN detectors were irradiated by different energy protons, and their irradiation tolerance was investigated. Relative charge collection efficiency, energy spectrometer and relative energy resolution were also measured. With the increasing of irradiation dose, charge collection efficiency decreased and relative energy resolution grown. The results suggested that the irradiation tolerance in the PIN detector depended on the range of the protons in the detector. The maximum tolerance irradiation doses of the detector for the impacts of 3.5 and 7.2 MeV protons were 3×1010p/cm2 and 7.2×109p/cm2, respectively.  相似文献   
9.
张国光  李万通  郭可信 《物理学报》1984,33(7):1040-1043
用电子衍射和点阵象方法观察到Co-Al合金发生马氏体相变时产生大量层错,其中有局部的短程有序21R排列。实验表明光学衍射法对分析点阵象中的局部短程有序是一种有效的方法。 关键词:  相似文献   
10.
本文用低频内耗的方法研究了氧离子导体材料La1.95K0.05Mo2-xMnxO9中氧离子的微观扩散机制。当测量频率为0.5 Hz时,在130℃和520℃附近分别观察到一弛豫内耗峰,而在280℃~300℃范围内有一相变峰存在。讨论了各个内耗峰的机理。  相似文献   
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