TiO薄膜的制备及电输运性质

利用磁控溅射技术,通过改变氧分压在MgO (001)单晶基片上外延生长了一系列TiO薄膜,并对薄膜的结构、价态和电输运性质进行了系统研究. X射线衍射结果表明,所制备的薄膜具有岩盐结构,沿[001]晶向外延生长. X射线光电子能谱结果表明,薄膜中Ti元素主要以二价形式存在.所有样品均具有负的电阻温度系数,高氧分压下制备的薄膜表现出绝缘体的导电性质,低温下电阻与温度的关系遵从变程跳跃导电规律.低氧分压下制备的薄膜具有金属导电性质,并具有超导电性,超导转变温度最高可达3.05 K.所有样品均具有较高的载流子浓度,随着氧分压的降低,薄膜的载流子类型由电子主导转变为空穴主导.氧含量的降低可能加强了TiO中Ti—Ti键的作用,从而使低氧分压下制备的样品显现出与金属Ti相似的电输运性质,薄膜超导转变温度的提升可能与晶体结构或电子结构突变相关联.     

多晶TaN1-δ薄膜的电输运性质研究

利用射频溅射法在石英玻璃基底上制备了一系列面心立方结构的多晶TaN_1-δ薄膜, 并对其晶体结构和2–350 K温度范围的电子输运性质进行了系统研究. 薄膜呈多晶结构, 并且平均晶粒尺寸随着基底温度的升高逐渐增大. 电输运测量结果表明, TaN_1-δ薄膜在5 K以下表现出类似超导体-绝缘体颗粒膜的电输运性质; 随着温度的升高, 薄膜在10–30 K表现出类似金属-绝缘体颗粒膜的性质; 在70 K以上, 热涨落诱导的遂穿导电机理主导着电阻率的温度行为. 我们的结果表明: TaN_1-δ多晶薄膜的类颗粒膜属性使其具有较高的电阻率和负的电阻温度系数.     

La1-xNaxMnOz的结构、热性质及电磁性质

实验研究了由Ｐｅｃｈｉｎｉ方法制备的Ｌａ１－ｘＮａｘＭｎＯｚ系列多晶陶瓷样品的磁性质、热性质和输运性质，在７７Ｋ到居里温度范围得到了较高的低场磁电阻，并且，在电阻率－温度曲线观察到了两个峰：一个在居里温度附近，另外一个在远低于居里温度处，退火实验表明，氧含量的不均匀是造成电阻率－温度曲线上存在两个峰的主要原因。     

La掺杂BaSnO3薄膜的低温电输运性质

利用射频磁控溅射技术在MgO(001)单晶基片上沉积了一系列Ba_0.94La_0.06SnO₃薄膜,并对薄膜的结构和电输运性质进行了系统研究.所有薄膜均表现出简并半导体(金属)导电特性:在T>T_min的高温区(T_min为电阻最小值对应的温度),薄膜的电阻率随温度的升高而升高,并且与温度的平方呈线性关系.在T min的低温区域,薄膜的电阻率随温度降低而上升,并且电阻率随lnT呈线性变化,均匀无序系统中的电子-电子相互作用、弱局域效应以及Kondo效应均不能解释这种现象.经过定量分析,发现电阻率在低温下lnT的依赖关系源于颗粒间电子的库仑相互作用.同时,在Ba_0.94La_0.06SnO₃薄膜中也观察到霍尔系数R_H与lnT呈线性关系,并且该线性关系也定量的符合金属颗粒体系中库仑相互作用的理论.薄膜断面高分辨透射电子显微镜结果表明,虽然薄膜整体呈现外延结构,但其中...     

Phase Separation and Magnetoresistance in Nd0.52Sr0.48MnO3

Polycrystalline Nd0.52Sr0.48MnO3 ceramic is prepared by a Pechini process. Its electron spin resonance spectra,magnetic and transport properties have been investigated experimentally. At temperature above 270K, the compound is paramagnetic insulator, while in temperature between 160 K and 270 K, the compound is separated into a paramagnetic insulator and a ferromagnetic metal coexisting state. Below 160 K, the ferromagnetic phase coexists with an antiferromagnetic state, but the ferromagnetic phase remains to be dominant. This makes the compound exhibiting a metallic character even at temperature far below TN.     

Mn掺杂SnO_2块体样品的铁磁性:载流子的作用（英文）

本文研究了掺杂杂质对Sn_(1-x)Mn_xO_2多晶样品的影响.实验发现,当Sn_(1-x)Mn_xO_2中掺入+2价的Cu离子时体系的铁磁性增强,此时样品仍为绝缘体.而当Sn_(1-x)Mn_xO_2中掺入Sb元素时其铁磁性减弱,并且当Sb的掺杂量达到0.04时样品Sn_(0.97-z)Mn_(0.03)Sb_zO_2的电阻率显著下降.实验结果表明,自由移动的载流子会破坏样品的铁磁性,束缚极化子可能是Mn掺杂SnO_2样品产生铁磁耦合的主要原因.     

X射线背景辐射谱佯谬的解释 *

宇宙X射线背景(CXB)谱佯谬是指分立X射线源(主要是活动星系核,AGNS)叠加的谱与CXB的观测谱不一致.采用68个AGNs中能X射线谱,统计分析出X射线谱指数的演化规律,并计算对CXB的贡献可达100%,特别是在2～10keV能段叠加的谱与CXB谱一致,解释了谱佯谬.