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压电驻极体是具有压电效应的微孔结构空间电荷驻极体材料,其压电性能与材料的微结构和空间电荷密切相关.本文首先利用压缩气体膨化工艺对聚丙烯(PP)的微结构进行改性,然后利用接触极化方法,研究了极化电压与PP膜空间电荷密度之间的关系,及其对压电性能的影响.结果表明对于极化前厚度为100μm的PP膜,其内部建立有序空间电荷分布的阈值极化电压为2 kV;一旦有序空间电荷建立起来,PP膜即具有压电效应.随着极化电压的提高,PP膜的空间电荷密度逐步增大,压电效应显著增强.当峰值电压为8 kV时,PP膜电极上的电荷密度、准静态压电系数和品质因数FOMv(d33·g33)分别为0.56 mC/m2,379 pC/N和8.6(GPa)-1.PP压电驻极体膜的FOMv比聚偏氟乙烯(PVDF)铁电聚合物膜高2个量级以上,且声阻抗非常低(~0.025 MRayl),因此该压电膜在超声波发射-接收系统或脉冲-回波系统中具有明显的优势. 相似文献
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基于Hilbert变换的相空间重建方法在HLS逐束团测量系统中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
引入基于Hilbert变换的相空间重建手段, 对合肥光源(HLS)逐束团测量系统采集的数据进行了全面的分析, 其中包括单个束流位置监测器(BPM)数据的相空间重建, 逐圈逐束团振荡相位信息、束团振荡模式信息、逐束团横向工作点(tune值)变换. 提出了新的分析束团tune值的手段, 提供传统方法无可比拟的更高的时间和频率分辨率. 还对不同模式的阻尼率进行了计算, 这为衡量逐束团反馈系统的效果提供了确实可靠的方法. 相似文献
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Performance of optical amplifier employing silica host magnesium-aluminum-germanium co-doped erbium-doped fiber 总被引:1,自引:0,他引:1
Two silica host magnesium(Mg)-aluminum(Al)-germanium(Ge) co-doped erbium-doped fibers (EDFs) have been fabricated, which have different Mg concentrations. The concentration of all the compositions in the preform is measured through electronics probe micro analysis (EPMA). The maximum Mg concentrations of fibers A and B are 3.98 and 1.28 mol%, respectively. The performance characteristics including absorption spectrum and gain are measured and analyzed. The absorption coefficients of fibers A and B are 13.3 and 14.3 dB/m respectively at wavelength of 1532 nm. The max gains of these two erbium-doped fiber amplifiers (EDFAs) are 30.1 and 35.9 dB with input signal power of -30 dBm and pump power of 100 mW at 980 nm. Fiber B with maximum Mg concentration 1.28 mol% has better performance than fiber A. Fiber B has high absorption coefficient and high gain characteristics. The optimum fiber B length of C-band EDFA is 7 m and that of L-Band EDFA is about 30 m, which is much shorter than standard commercial EDFAs. 相似文献
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Zn杂质扩散诱导AlGaInP/GaInP量子阱混杂 总被引:1,自引:0,他引:1
杂质扩散诱导量子阱混杂技术可用于制作腔面非吸收窗口,提高大功率半导体激光器的输出功率.以Zn2As2为扩散源,采用闭管扩散方式,在550℃下对650 nm半导体激光器的外延片进行了一系列Zn杂质扩散诱导量子阱混杂的实验.实验发现,随着扩散时间从20~120 min,样品光致发光(PL)谱蓝移偏移增加,峰值波长蓝移53 nm;当扩散时间超过60 min后,样品的PL谱中不仅出现了常见的蓝移峰,同时还出现了红移峰,峰值波长红移32 nm.分析表明PL谱蓝移来自Zn扩散引起的AlGaInP/GaInP间的量子阱混杂;红移来自Zn杂质扩散对样品中Ga0.51In0.49P缓冲层的影响.还研究了扩散温度(550℃)和扩散时间对样品晶体品质的影响,并在理论上计算了AlGaInP/GaInP量子阱混杂巾的Al-Ga的互扩散系数. 相似文献
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