铟(Ⅲ)-8-羟基喹啉-核酸三元荧光体系的研究与应用

基于核酸对铟(Ⅲ）-8-羟基喹啉配合物的荧光增强作用，应用铟(Ⅲ)-8-羟基喹啉为荧光探针，研究了铟(Ⅲ)-8-羟基喹啉与核酸的作用，建立了新的核酸测定方法。在最佳条件下，ctDNA、hsDNA、smDNA和yRNA的线性范围分别为0．20-1．40μg／mL、0．20-1．60μg／mL、0．10—1．40μg／mL、0．20—1．20μg／mL。检出限(3o／K)分别为0．004μg／mL，0．002μg／mL，0．002μg／mL，0．002μg／mL；测定实际样品，回收率为90．9％-103．5％。     

原子荧光光谱法同时测定化妆品中砷和汞

研究了原子荧光光度法同时测定化妆品中的砷和汞，并试验了硼氢化钠浓度、共存离子的影响，优化了仪器条件。方法回收率分别在：As88．7％-101．0％、Hg97．0％-107．2％之间，砷和汞的检出限分别为0．026μg／L和0．020μg／L；线性范围为As0．5—100μg／L、Hg0.5—70μg／L；RSD(n=6)As1．4％、Hg2．5％。方法具有操作简便、快速、灵敏度高等优点，可用于化妆品中As、Hg的测定。     

荧光法直接测定环境水中痕量苯酚

研究了荧光分光光度通过控制酸度直接测定环境水中苯酚的新方法。在pH＝1时，直接测定苯酚的含量，波长为λex／λem＝270／297nm，检出限为4．0g/mL，线性范围为0－3．2μg/mL。回收率为99％－101％。     

紫外分光光度法测定司帕沙星注射液主含量

紫外分光光度法测定乳酸司帕沙星葡萄糖注射液的含量。司帕沙星浓度在2—12μg／mL范围内与吸光度呈良好的线性关系。回收率为99．8％-100．1％，RSD为0．1％。该法简便、快速，重复性好，结果准确可靠。     

富氧空气-乙炔火焰原子吸收光谱法测定钨

试样在2％磷酸介质中，加入0．5％过硫酸钾，在富氧空气－乙炔火焰的条件下用原子吸收光谱测定钨，可有效地抑制干扰，具有较高的原子化效率，方法的检出限为0．23μg/mL，灵敏度为2．4μg/mL。     

微波消解-GFAAS法测定蘑菇中的痕量铅

采用微波制样技术，石墨炉原子吸收法测定蘑菇中痕量铅，结果表明，方法的线性范围为0－100μg,检出限为2．6μg,相对标准偏差为3．0％，回收率为98％，该法准确，快速、简便，与常压酸消解法比较，结果基本一致，已用于蘑菇中痕量铅的测定。     

催化动力学光度法测定芦丁

在盐酸介质中，微量芦丁对重铬酸钾氧化靛红的反应有明显的催化作用，据此建立了测定芦丁的催化动力学光度法。优化了动力学反应的条件，测定了反应级数。方法的线性范围是0.003-0.09μg／mL和0．10—1．00μg／mL，检出限为0.003μg／mL。方法简便、快速、灵敏度高，用于芦丁片剂和槐米中芦丁含量的测定，结果令人满意。     

紫外分光光度法测定穿琥宁注射液的含量

紫外分光光度法测定穿琥宁注射液的含量。在4．0-36．0μg／mL浓度范围内，呈良好的线性关系，平均回收率为99．1％，RSD为0．65％。方法简单、快速、准确。     

氢化物发生-原子荧光法测定中药葶苈子和黄连中的铅

采用HNO2-H2O2体系和高压釜消解中药样品，以AFS-2202a型双道原子荧光分光光度计和断续流动的氢化物发生法，测定了中药葶苈子和黄连中的铅。优化了光电管负高压，灯电流，屏蔽气和载气流量等实验条件。铅的检出限为0．08μg／L，相对标准偏差为0．34％。对实际样品的测定，结果令人满意。     

甘薯中微量铝的分光光度法测定

采用分光光度法与Al-CAS-CTMAB-OP四元络合物显色相结合，对甘薯中的铝含量进行了测定。A1^3 浓度在0-0．24μg／mL范围内遵守朗伯-比耳定律，相关系数r＝0．9996。回收率为91．4％-102．6％，对甘薯样品测定的结果为190．8μg／g，δ＝1．59，RSD＝0．83％(n＝5)。因甘薯中铝含量相对较高，建议在开发健康食品时应作特殊的前处理或进一步改良品种。     

基于Matlab分析负荷对多联机IPLV的影响

多联机有其特殊的优点,但是不同部分负荷的组合对IPLV的影响仍需进一步研究。文中建立IPLV与部分负荷的相关公式,运用MATLAB软件分析不同卸载级负荷与IPLV的关系,从而确定不同部分负荷的最优组合。     

超声波对木瓜蛋白酶催化活性影响的机理研究

木瓜蛋白酶经适当参数的超声波处理后酶活力提高。超声处理后酶的米氏常数Km变小,最大反应速率Vm也减小。超声处理后酶的紫外吸收光谱不变,荧光发射光谱也不改变,而差示光谱出现明显的正峰和负峰。研究结果表明,超声波处理后,木瓜蛋白酶的构型没有改变,而构象发生了变化。本文讨论了超声波影响木瓜蛋白酶活性的可能机理。     

缺陷对钠在石墨烯上吸附性能的影响

采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,研究了本征石墨烯和缺陷石墨烯吸附钠原子的电荷密度、吸附能、态密度和储存量.结果表明,本征石墨烯中,钠原子的最佳吸附位置为H位,缺陷石墨烯中,钠原子的最佳吸附位置为T_D位.缺陷石墨烯对钠原子的吸附能是-4.423 eV,约为本征石墨烯对钠原子吸附能的2.5倍;钠原子与缺陷石墨烯中的碳原子发生轨道杂化,而与本征石墨烯没有发生轨道杂化现象.缺陷石墨烯能够吸附10个钠原子,与本征石墨烯相比显著提高.因此,缺陷石墨烯有望成为一种潜在的储钠材料.     

应力对硅烯上锂吸附的影响

本文采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法研究了双轴应力作用下锂原子吸附硅烯的结构及其稳定性. 计算结果表明,在拉应力和一定的压应力作用下,锂吸附的硅烯体系基本保持原有的结构. 而当更大的压应力作用时,硅烯产生了向锂原子方向凸起的结构变化,所得到的体系的总能也有明显地下降. 本文通过对各种应力下的硅烯声子谱的计算,分析了在压应力作用下锂吸附的硅烯结构不稳定的原因. 关键词： 硅烯 应力 第一性原理 声子谱     

五边形石墨烯负载Pt单原子稳定性能的应变调控

基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了Pt原子在五边形石墨烯(PG)上的吸附与动力学行为.研究结果表明,单个Pt原子在PG上虽然具有较大的吸附能及较高的扩散势垒,却不能够在衬底形成均匀分散的单原子.这是因为,随Pt原子数增加,Pt_n(n=1, 2, 3)在PG上的平均结合能也逐渐增加,更倾向于形成团簇,该发现有效否定了之前的报道称Pt能在PG上形成稳定的单原子催化剂这一结论(Phys. Chem. Chem. Phys. 21, 12201 (2019)).基于此,我们考虑对PG施加双轴应变,随着拉伸应力增加,Pt金属原子间的平均结合能逐渐降低,当拉伸应变施加至12%左右时,单个Pt在衬底上的结合能与Pt₂在衬底上的平均结合能相等,从而实现PG上均匀分散的Pt单原子催化剂.该结果对五边形石墨烯基材料应变调控实现单原子催化剂提供理论借鉴.     

缓冲层对InSb/GaAs薄膜质量的影响

InSb是制作3~5μm红外探测器的重要材料。在GaAs衬底上外延生长InSb,存在的主要问题在于两种材料间14.6%的晶格失配度,会引入较大的表面粗糙度以及位错密度,使外延材料的结构和电学性能均会受到不同程度的影响。通过系列实验,研究了在生长过程中缓冲层对薄膜质量的影响。利用高能电子衍射仪(RHHEED)得到了合适的生长速率和Ⅴ/Ⅲ比,研究了异质外延InSb薄膜生长中低温InSb缓冲层对材料生长质量以及不同外延厚度对材料电学性质的影响。采用原子力显微镜(AFM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线双晶衍射(DCXRD)等方法研究了InSb/GaAs薄膜的表面形貌、界面特性以及结晶质量。通过生长合适厚度的缓冲层,获得了室温下DCXRD半高峰宽为172″,77 K下迁移率为64300 cm²·V^-1·s^-1的InSb外延层。     

论卫星抛射点在椭圆运动轨道上的位置

详细分析了人造地球卫星的椭圆轨道方程和在各种情况下卫星的抛射点在其椭圆运动轨道上的位置.     

辐照处理对油菜籽光谱特性影响的研究

针对油菜籽经过核辐照处理后其光谱反射特性会发生改变的特点,提出了应用可见／近红外光谱技术进行油菜籽的快速无损鉴别。利用偏最小二乘法和BP神经网络建立鉴别模型,并比较了不同光谱预处理方法、主成分数据变换方式及隐含层节点数对模型预测结果的影响。实验采用五种剂量辐照(50, 100, 150, 200Gy和不经核辐照处理)的油菜籽共135个样本进行建模,49个进行预测。结果显示,最优模型是原始光谱数据先经过中值滤波平滑法、附加散射校正及一阶求导法预处理。经PLS方法提取6个主成分经自然对数变换后,选取神经网络隐含层结点数为4个或9个。最优模型对是否经过核辐照处理的样本识别率达100%,对核辐照剂量预测精度为85.71%, 说明提出的方法可以用于评估核辐照处理对油菜籽光谱特性产生的明显影响。     

氧掺杂对钠在石墨烯上吸附性能的影响

采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,研究了本征石墨烯(P-graphene)和氧掺杂的石墨烯(O-graphene)吸附钠原子的吸附能、电荷密度、态密度以及储存量.结果表明,两种石墨烯中,钠原子的最佳吸附位置都是H位. O-graphene对钠原子的吸附能是-4.347 eV,比P-graphene对钠原子的吸附能(-0.71 eV)低很多. O-graphene中钠原子与氧原子和碳原子发生轨道杂化,P-graphene中没有杂化现象. O-graphene能够吸附10个钠原子,较P-graphene多.因此,O-graphene更适合储钠.     

Influence of domain boundaries on polarity of GaN grown on sapphire

GaN films were grown on sapphire substrates by laser-induced reactive epitaxy. The domains in the films were determined to be the Ga-polarity by the convergent beam electron diffraction (CBED) technique, while the adjacent matrices had the N-polarity. The domain boundaries were characterized as inversion domain boundaries (IDBs). An atomic structure of the IDB is proposed based on high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM) investigations. Control of the polarity of GaN/sapphire films was achieved by suppressing the formation of IDBs with an interlayer of AlGaN and a low-temperature GaN buffer layer.