非定域位势e-μr/r·e-μr′/r′·e-αR/R及e-μr/r·e-μr′/r′·e(-(β(r+r′))1/2·R))/R的Regge渐近行为

本文证明了两个物理上有兴趣的非定域位势e^-μr/r·e^-μr′/r′·e^-αR/R及e^-μr/r·e^-μr′/r′·e^{(-(β(r+r′))1/2·R)})/R的分波S矩阵元对动量变数k在除沿虚轴的割线(-∞i,0),(μi,∞i)的全平面,对角动量变数λ在右半平面Reλ>-1/2的半纯性和当k,λ分别趋于无穷大时的渐近性质。最后得到了Regge渐近行为。     

Hulthén势散射态的解析解

在任意l波的离心项1/r²用λ²e^-λr/(1-e^-λr)²近似表达的条件下,对Hulthén势的径向Schrdinger方程作自变量指数变换,使此转化为超几何微分方程,获得了Hulthén势s波散射态的精确解和非s波散射态的近似解析解.给出了相移的解析表达式和按“k/2π标度”归一化的用超几何函数表示的径向波函数.讨论了解析解的意义.     

多层纳米硅复合膜的共振光学非线性

本文采用简并四波混频技术在室温下研究晶化a-Si:H/a-SiN_x:H多层纳米硅复合膜三阶非线性光学性质,首次观察到这种多层膜的相位共轭信号,在共振光波波长λ=589nm处实验所用样品的三阶非线性极化率为χ⁽³⁾=1.4×10^-6esu,分析表明其非线性光学响应增强的原因是纳米硅的强量子限域作用.     

Bound states of the Klein－Gordon and Dirac equations for potential V(r)=Ar-2-Br-1

The exact normalized bound-state wavefunctions and energy equations of Klein－Gordon and Dirac equations are given with equal scalar and vector potentials s(r)=v(r)=V(r)/2=(Ar^-2-Br^-1)/2.     

位势在原点有高于二阶的极点时散射振幅的Regge行为

当位势V(z)在原点有高于二阶的极点时(在右半平面V(z)解析,当z→∞时z²V→0),证明了(1)S矩阵元为λ(λ=ι+1/2,ι是角动量)的半纯函数;(2)当λ在右半平面|argλ|<π/2内趋于无穷大时,|S-1|≤C((log|λ|)/|λ|)。     

在Tokamak装置中用中空超导环段冻结环向磁场的设想

本文提出一个设想:即将n个中空超导圆柱体放置于n饼纵场线圈之中,分段冻结环向磁场,则其所需要的电功率将比常规线圈降低到2/n倍。我们知道超导材料的冻结场可近似地写为。H_fj(r,T)=H_fj(r,0)[1-(T/(T_c))²。因此选定T=T₁,当轴向场H在大圆环的内壁达到H≥H_fj(r,T₁)时,中空体的内边缘达到临界场,则场进入中空区,再使H降到零,中     

低碰撞能3.03∽17.97 meV内F+HD→DF+H的反应微分截面

基于氢原子里德堡态飞行时间谱探测方法及多通道探测的优势,利用交叉分子束实验装置系统地研究了低碰撞能3.03∽17.97 meV内的F+HD→DF+H反应. 实验中清楚地观测到来自波恩-奥本海默近似禁阻的反应F^*(²P_1/2)+HD→DF+H和波恩-奥本海默近似允许的反应F(²P_3/2)+HD→DF+H的贡献. 在后向散射方向上,波恩-奥本海默近似禁阻的反应F^*(²P_1/2))+HD的贡献远远大于波恩-奥本海默近似允许的反应F(²P_3/2)+HD,表明非绝热效应在低碰撞能下F+HD→DF+H中扮演着重要角色. 并且,后向散射信号随着碰撞能的降低而单调降低,未出现反应共振的特征. 实验中还获得了低碰撞能3.03∽17.97 meV内波恩-奥本海默近似禁阻的和波恩-奥本海默近似允许的反应微分截面,其中最出乎意料的现象是：随着碰撞能的降低,产物的角分布由后向散射逐渐转变为侧向散射,这可能是在低碰撞下存在的某种未知反应机理引起的.     

用于反应堆中子/γ 射线混合场测量的涂硼电离室性能

近年来,涂硼电离室已逐渐成为核反应堆周围大通量中子/γ射线混合场监测的辐射探测器之一. 研制了一种高灵敏度涂硼电离室,并给出了其内部结构.用fA级弱电流放大器测得: 当涂硼电离室的工作电压在700 V以下时,漏电流小于1.0 pA; 用Am-Be中子源辐照时测得涂硼电离室的电流曲线坪长为500 V, 坪斜为3.72×10^-4 V^-1;当涂硼电离室的工作电压为400 V时, 对应漏电流为0.4 pA.测试表明涂硼电离室中子信号电流与辐照源的相对位置有关, 将Am-Be中子源置于距石蜡慢化体底部8 cm时,测得中子信号电流最大值为2.0 pA. 用¹³⁷Cs和⁹⁰Sr辐照时测得涂硼电离室γ射线信号电流为 1.0---2.0 pA,但在γ射线场中坪特性不如中子场中坪特性明显. 电离室中子探测灵敏度达1.0×10^-15 Acm²s量级, γ射线探测灵敏度达9.0× 10^-22 Acm²s·eV^-1量级. 这种涂硼电离室漏电流小、灵 敏度高、坪特性好,可用于反应堆周围的中子/γ射线混合场测量.     

PHOTO ACOUSTIC MEASUREMENTS OF WATER VAPOR ABSORPTION COEFFICIENT IN UV SPECTRAL REGION

Data on the absorption coefficient of H₂O in binary mixture with N₂ in UV region of spectra are presented. With the use of the high sensitivity photoacoustic spectrometer, the following values of the absorption coefficient were found: 2.3×10^-9cm^-1·Pa^-1(λ=255 nm), 0.9×10^-9 cm^-1·Pa^-1(λ=271 nm), and 1.6×10^-9cm^-1 ·Pa^-1(λ=289 nm).     

缓冲夹层影响异质结有机光伏器件性能研究

制备了结构为CuPc/缓冲层/C₆₀异质结的有机光伏器件,分别选用三氧化钼和红荧烯为缓冲层,研究了增加缓冲层对器件性能的影响.结果表明,增加三氧化钼和红荧烯缓冲层后器件的开路电压和光电转换效率都得到提高,器件的短路电流密度和填充因子都有所降低.开路电压从没有缓冲层时的0.39 V分别提高到0.58 V、0.55 V,转换效率从0.36%提高到0.44%,短路电流从1.92 mA/cm²分别降低到1.77 mA/cm²、1.81 mA/cm²,填充因子从0.48分别减少到0.43、0.44.进一步研究表明器件的短路电流密度受缓冲层厚度的影响很大,当缓冲层厚度很小时,器件短路电流密度还有所增加,但随着缓冲层厚度的增加,短路电流密度逐渐减小,当缓冲层厚度为10 nm时,器件短路电流密度减少到0.35 mA/cm².开路电压随着厚度的增加逐渐增加,从1 nm时的0.43 V增加10 nm时0.63 V.根据整数电荷转移模型和界面能级理论解释有机光伏器件开路电压提高以及短路电流密度减少的原因,为有机太阳能电池性能的改善提供了研究方法.     

蒙特卡罗等效哈密顿量的1+1维检验

用最近发展起来的蒙特卡罗等效哈密顿量新方法,研究了与量子场论中Φ4模型相似的1+1维量子力学系统V(x)=μ²x²+λx⁴(其中μ²<0,λ>0)的低能物理特性.计算了能谱、波函数以及热力学可观察量.获得良好的结果,表明这种新方法有希望推广到多自由度系统和格点规范场论.     

蒙特卡罗哈密顿新方案及其检验

蒙特卡罗哈密顿方法(MCH)是研究量子理论的数值模拟新方法, 其优点是可求出超出基态的能谱和波函数. 旧MCH方案需要自由粒子的信息, 较难推广应用于格点规范理论. 本文提出克服这个困难的新方案. 首先介绍这一方案的思想, 并以1维量子力学模型V(x)=μ²x²+λx⁴(其中μ²< 0,λ>0)为例说明实现这一新方案的具体计算步骤和方法.     

ON THE APPLICATION OF THE HILCER PRISM INTERFEROMETER TO THE RESOLUTION OF SPECTRAL LINES

An interference pattern of two systems of fringes has been obtained by vising two radiations in a Hilger prism interferometer A system of white bands with equal spacing which are always parallel to the refracting, edge of the prisin is the result of the intersection of the two systems of fringes. The white bauds travel as one of the reflecting mirror in the interferometer makes a parallel displacement. Let d be the displacement of mirror when the white bauds travel one spacing, we have 1/λ₂-1/λ₁=1/2d. Two yellow doublets in sodium and mercury lamps were used. The values found for 1/λ₂-1/λ₁ were 17.22cm^-1 and 63.29cm^-1 respectively. A comparison of this method with the visibility corve by Michelson interfero-ineter has been discussed.     

聚芳香杂环甲烯的三阶非线性光学效应与时间分辨光克尔效应

合成了一系列聚芳香杂环甲烯,包括聚吡咯甲烯和聚噻吩甲烯.采用四波混频法研究材料的共振三阶非线性光学效应(λ＝532nm),其共振二阶超分子极化率γ三阶非线性光学系数分别达到10^-30esu和10^-8esu.选择具有良好溶解性、成膜性的聚吡咯对二甲氨基苯甲烯(PPDMAB),采用飞秒时间分辨光克尔效应方法研究材料的非共振三阶非线性光学效应(λ=790nm).实验表明,翠绿亚胺碱溶液的光克尔信号仅表现一超快响应的成分,归功于π电子云扭转产生的非共振激发.PPDMAB的非共振二阶超分子极化率γ三阶非线性光学系数分别达到γ=5.78×10^-32esu和χ⁽³⁾=1.26×10^-10esu.     

表面层对1 064 nm高反射镜损伤阈值影响

 采用电子束蒸发的方法制备了３种具有不同表面层材料及结构的中心波长为1 064 nm的零度高反镜,３种膜系表面层分别为1/4波长光学厚度的HfO₂,1/2波长光学厚度的SiO₂,以及1/4波长光学厚度的SiO₂。光谱测试表明：三者在1 064 nm处均有较高的反射率（高于99.8%）,利用热透镜的方法测量得到３个膜系辐照激光正入射情况下,薄膜对光的吸收比例分别为3.0×10^-6,5.0×10^-6和6.5×10^-6,其损伤阈值分别为32.5,45.2和28.4 J/cm²。并在膜层内部电场分布和膜层材料物理特性的基础上分析了３种不同表面层膜系吸收和损伤阈值差别的原因。     

NORMAL-INCIDENCE QUANTUM WELL INFRARED PHOTODETECTOR WITHOUT GRATING COUPLER

The n-type GaAs/Al_xGa_1-xAs multiple quantum well infrared photodetectors have been demonstrated without any grating couplers. We have achieved a responsivity R_v of 1.7×10⁵V/W and a detectivity D_λ^* of 4.0×10¹⁰ cm (Hz)^1/2/W for a wavelength of 8.4 μm at a temperature T = 77 K in normal incidence.     

HD+离子在两个超短脉冲激光场作用下的解离几率分布

本文报告HD⁺离子在波长λ=306.7nm的三倍频超短脉冲弱光场E₃和不同延时的二倍频超短脉冲强光场E₂作用下解离几率分布的定量计算结果。E₃和E₂的脉冲宽度均为10fs.E₃先行,E₂延时取0、4、8、12、16、20、24、28fs.计算结果用三维图表出。图中看到,沿相对动量坐标有三个峰,分别位于动量2.1×10^-18、4.4×10^-18、5.8×10^-18g·cm/s处,依次称为1号峰、2号峰、3号峰,位置各是λ=306.7nm的单光子能量、双光子能量、三光子能量消耗于解离能之后离子碎片具有相对动量。据分析,1号峰来源于E₂场引起的受激发射作用。     

AlGaN/AlN/GaN结构中二维电子气的输运特性

对使用金属有机物汽相沉积法生长的AlGaN/AlN/GaN结构进行的变温霍尔测量，测量结果指出在AlN/GaN界面处有二维电子气存在且迁移率和浓度在2K时分别达到了1.4×10⁴cm²·V^-1·s^-1和9.3×10¹²cm^-2，且在200K到2K范围内二维电子气的浓度基本不变，变磁场霍尔测量发现只有一种载流子(电子)参与导电.在2K温度下，观察到量子霍尔效应，Shubnikov-de Haas (SdH) 振荡在磁场约为3T时出现，证明了此结构呈现了典型的二维电子气行为.通过实验数据对二维电子气散射过程的半定量分析，推出量子散射时间为0.23ps，比以往报道的AlGaN/GaN结构中的散射时间长，说明引入AlN层可以有效减小合金散射，进一步的推断分析发现低温下以小角度散射占主导地位.     

固定边矩形板的弯曲问题

The problem of bending of orthotropic rectangular plates with clamped edges on elastic foundation may be reduced to the following differential equation and boundary conditions (?⁴w)/(?x⁴)+2λ(?⁴w)/(?x²?y²)+(?⁴w)/(?y⁴)+kw=q/D. w=0, (?w)/(?x)=0 at x=±a, w=0, (?w)/(?y)=0, at y=±b. In the case of isotropic plates, λ = 1. In this paper a perturbation method is proposed for the solution of this problem fay expanding w in power series of λ: w=w₀+w₁λ+w₂λ²+……. It is proved that this series is convergent when -1 ≤λ≤1.     

羟基自由基双光子激发解离动力学

本文利用高里德堡态氢原子飞行时间探测技术，研究了羟基自由基的双光子激发解离动力学. H(²S)+O(¹D)和H(²S)+O(¹S)解离通道是由于羟基在经由A²Σ⁺(v''=2, J''=0.5-2.5)中间态通过双光子激发最终到排斥性的激发态势能曲线2²Ⅱ和B²Σ⁺上产生. 这两种解离通道产物都具有各向异性的角向分布，其中H(²S)+O(¹D)产物角分布异向因子β为-0.97，H(²S)+O(¹S)产物角分布异向因子β为1.97. 各向异性的角向分布与OH自由基在排斥性的激发态势能曲线上直接解离机理相吻合. 此实验观测到羟基自由基的解离能为35580±15 cm^-1.