X2πp空间中三角多项式算子的饱和性

Let (λ_nk)_n,k≥1 be a lower triangular matrix. Let f ∈X_2π^p,S[f] be its Fourier series     

关于复平面上H∞空间,βp空间以及β0p空间的几个问题

本文讨论了单位圆中Hardy空间H^∞到p-Bloch空间β^p的复合算子T_1,φ加权复合算子T_ψ,φ的有界性,也讨论了H^∞到小p-Bloch空间β₀^p的复合算子T_1,φ的有界性问题;另外还讨论了小p-Bloch空间到H^∞空间的点乘子及小p-Bloch空间上复合算子的紧性等.     

关于P2(C)全纯曲线唯一性问题的注记*

本文讨论P²(C)中全纯曲线相交处于次一般位置超平面的唯一性.设f₁, f₂, · · · , f_λ为P²(C)中线性非退化的全纯曲线,H₁, H₁, · · · , H_q为P²(C)上处于m-次一般位置的超平面,满足A_j :f₁^-1(H_j) = · · · =f_λ^-1(H_j) (1 ≤ j ≤ q)且A_i ∩ A_j = ?(i = j).假设存在整数l (2 ≤ l ≤ λ),使得f_j1(z) ∧ f_j2(z) ∧ · · · ∧ f_jl(z) = 0 (z ∈ A_j)对任意l个指标1 ≤ j₁ < j₂ < · · · < j_l < λ成立.那么当 q > 2λ/λ-l+1 + 3/2 m时, f₁ ∧ · · · ∧ f_λ ≡ 0.关键技术是第二基本定理中不等式改进为: ∥(q - 3m/2)T_ft(r)≤ Pjq=1N²(f_t,H_j )(r, 0) + o(T_ft(r))(1 ≤ t ≤ λ).     

自伴向量型Sturm-Liouville问题特征值λn,r的依赖性*

研究定义在区间[a,b]上的m维自伴向量型Sturm-Liouville问题.首先, 利用矩阵Pr¨ufer变换讨论该问题特征值的分布, 同时得到第n组特征值λ_n,r(n ∈ N₀, r = 1, 2, · · · , m)所对应的特征函数u_n,r(x)在区间(a,b)内恰有n个零点.然后, 研究了特征值λ_n,r分别关于算子系数和边界条件的连续依赖性. 在此基础上, 假设所有特征值都是单重的,建立了第n组特征值λ_n,r (r = 1, 2, · · · , m)关于首项系数P^-1, 势矩阵Q, 权矩阵W的微分表达式,进而讨论特征值关于P^-1, Q, W的单调性. 最后, 如果允许特征值的指标可以跳跃,则任一特征值都可以嵌入到一个连续的特征值分支中,从而证明λ_n,r关于边界条件中的参数α和β的连续可微性.     

关于某类带参数λ的四阶非对称微分算子性状之研究

考虑如下具有振动背景的带参数λ的四阶非对称微分算子A_λ及其一般化?_λ:A_λ:(K_(i,j),‖·‖_H⁴)→(A_λK_(i,j),‖·‖_L²),0≤iλ:(K_(i,j),‖·‖_H⁴)→(A相似文献   

关于算子─（▽—ia）2＋Ⅴ的性质（Ⅰ）

In this paper,we consider Schrodinger forms (operators) with singular magnetic vectorpotentials ─(▽—ia）²+Ⅴ. We prove that when the negative part V_{_} of electric potentialV satisfies(?) in dependentof V and a=(a₁,a₂,…,a_N)∈L_loc²(R^N)^N, ─(▽—ia）²+Ⅴ has essential self-adjointextension F and it is the only self-adjoint realization of ─(▽—ia）²+Ⅴ. Moreover,We consider the continuity of (a,V) respect to a and V in the sense of strong resolvent.     

H2(Bn)上的Toeplitz算子与复合算子

给出H²(B_n)上复合算子具有闭值域的特征,讨论了Toeplitz算子与复合算子的Fredholm性质。     

关于一类S1，13（△（2）mn）插值与逼近

设△^（2）_mn是矩形域Ｄ＝［ａ，ｂ］(?)［ｃ，ｄ］的Ⅱ－型三角剖分．S^1，1₃（△^（2）_mn）是带边界条件的二元三次样条空间：本文我们将讨论一类S^1，1₃（△^（2）_mn）的插值问题，证明了它的存在性，唯一性及逼近阶：如果ｆ∈Ｃ^４（Ｄ），则有｜ｆ－ｓ｜≤ｋ（ｌ）·ｍａ     

不动点集为常余维数6的(Z2)2作用

记J_n,k^r为具有如下性质的n维未定向上协边类α构成的集合:存在α的一个代表元Mⁿ及(Z₂)^k在Mⁿ上的作用,其不动点集为常余维数r .记J_n,k^r=∑_nJ_n,k^r,则J_n,k^r为未定向上协边环MO_n=     

关于F2n中的和集

设F₂为两个元素组成的有限域, F₂ⁿ 为F₂上的n维向量空间. 对于集合A, B ⊆ F₂ⁿ , 它们的和集定义为所有两两互异的和a+b所组成的集合, 其中a∈A, b∈B. Green 和Tao 证明了: 设K > 1,如果A, B ? F₂ⁿ 且|A + B|≤K|A|^1/2|B|^1/2, 则存在一个子空间H?F₂ⁿ 满足
|H|>>exp(-O(√KlogK))|A|
以及x,y∈F₂ⁿ, 使得
|A∩(x+H)|^1/2|B∩(y+H)|^1/2≥1/2K|H|.
本文我们将使用Green 和Tao 的方法并作一些修改, 证明如果|H|>>exp(-O(√K))|A|,
则以上的结论仍然成立.     

某些K2OF的结构

本文研究二次数域F=Q(d^1/2)的K₂O_F结构,其中d≡-3mod9和d≠-3.找到了关于F=Q((-21)^1/2)的K₂O_F的3阶元和F=Q((15)^1/2)的K₂O_F的生成元.推广了Bass和Tate的一个定理和给出了F=Q((29)^1/2)的K₂O_F的结构以及sL_n(O_F)(n≥3)的表示关系.     

d8(C3v*)EPR理论与CsMgCl3:Ni2+的光、磁性质研究

本文给出了O_h点群表象中的d^2,8(C_3v^*)完全强场矩阵,并借助于这种矩阵的特征值和特征矢量,建立了CsMgX₃:Ni²⁺(X=Cl,B,I)类晶体的全组态混合EPR理论。应用这一理论,对CsMgCl₃晶体中的Ni²⁺杂质离子的光学吸收谱、基态零场分裂参量D、顺磁g因数、基态Zeeman分裂以及EPR条件(B,hv₀)进行了统一的计算。结果与观测非常一致,从而首次对CsMgCl₃:Ni²⁺的光、磁性质作出了统一的理论解释。     

关于R(Ax)闭的连续算子族Ax的Moore-Penrose广义逆Ax+连续的充要条件

设X是拓扑空间,A_x,闭值域R(A_x)为X→B(H)的连续映射,我们知道:即使在dim(H)有限的情况下,M.-P.逆A_x⁺:也不一定连续,A_x⁺连续的充要条件,对现代分析和应用数学的一些研究是很重要的,本文给出了,在一般拓扑空间X、局部紧拓扑空间X、A_x为Fredholm算子族等情况下,A_x⁺为连续的充分必要条件。     

Littlewood—Paley算子及Marcinkiewicz积分在Campanato空间εa,p上的有界性

我们证明了下述结果:若f∈ε^a,p,则适当限制参数值时,有g(f)(x)(S(f)(x),g_λ^*(f)(x),μ(f)(x))<∞a.e.,或者g(f)(x)(S(f)(x),g_λ^*(f)(x),μ(f)(x))<∞a.e.;并且在前者成立时,有g(f)(S(f),g_λ^*(f),μ(f))∈ε^a,p,以及‖g(f)‖_a,p     

Bernstein算子的逼近

本文利用点态光滑模ωφλ2r(f,t)研究了Bernstein算子的r阶线性组合的点态逼近.当1-1/r≤λ≤1时,用ωφλ2r(f,t)给出了—个点态逼近等价定理.且用反例说明了当0≤λ<1-1/r 时,此结论不成立.但若限制0<αφλ2r(f,t)给出     

Mn(C)中的不可约性

对于M_n(C)(所有n×n矩阵的全体)中的不可约矩阵得到以下结果:对于任意A∈M_n(C),设λ₁, λ₂,…,λ_m为A的所有特征值,这里m≤n而且当i≠j时,λ_i≠λ_j.则A是不可约的当且仅当任意P∈A′(A),P^*=P=P²,有σ(P|ker(A-λ₁))=σ(P|ker(A-λ₂))=…=σ(P|ker(A-λ_m))为单点集.     

新概念下的Sn掺杂(La1-xSrx)2Cu1-xSnxO4超导体的MÖssbauer谱研究 *

对新概念指导下而设计的 (La_1-xSr_x)2Cu_1-xSn_xO₄超导体进行了¹¹⁹Sn M_Össbauer谱研究 .对不同掺杂量样品的系统研究表明 ,M_Össbauer谱实验结果进一步证实了Sn以Sn⁴⁺价态存在并占据Cu晶位 ,不存在占据La晶位的Sn^{2 +}离子 .Sn⁴⁺离子附近的局域晶格畸变较小 ,但是随Sn掺杂量有增加趋势 .在对La₂ CuO₄母体进行Sr和Sn同时掺杂所引入的载流子对超导电性的影响存在新的机制 .在新的额外氧机制下 ,讨论了Sn掺杂所导致的额外氧对超导电性的影响 .     

YBa2Cu3Ox超导体的光谱研究

能带是决定固体特性的头等重要的因素。我们用光谱方法对单相YBa₂Cu₂O_x高T。超导体进行了研究,测量了样品的反射-吸收谱、Raman光谱和荧光光谱.其350和500nm吸收带以及390nm,560nm荧光峰来自晶格中Cu⁺发光中心,是跃迁过程¹A_1g(3d¹⁰)-¹E_g和~3E_g(3d⁹4s¹)。其720nm和860nm荧光峰来自Cu²⁺发光中心,是由于自由离子光谱项²D在八面体晶场、正交晶系晶场中分裂为5个能级之间的跃迁。此外,还有一些光谱可能来自晶格中Cu³⁺发光中心,其481cm^-1和551cm^-1声子对说明了312cm^-1处声子对与电子系统是强耦合。     

关于迭代函数方程f2(x)=af(x)+bx的通解

设λ的二次三项式λ²－ａλ－ｂ的两个零点为λ₁＝ｒ，λ₂＝ｓ（ａ及ｂ为实数）．对０＜ｒ＜ｓ，ｒ＜０＜ｓ≠－ｒ及ｒ＝ｓ≠０这三种情形，Ｊ．Ｍａｔｋｏｗｓｋｉ与Ｗｅｉｎｉａｎ Ｚｈａｎｇ在“Ｍｅｔｈｏｄ ｏｆ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ ｆｏｒ ｆｕｎｃｔｉｏｎａｌ ｅｑｕａｔｉｏｎｓ ｉｎ ｐｏｌｙｎｏｍｉａｌ ｆｏｒｍ”一文中给出了迭代函数方程ｆ²（ｘ）＝ａｆ（ｘ）＋ｂｘ，对任ｘ∈Ｒ；ｆ∈Ｃ⁰     

λKv的最大K2,3填充设计和最小K2,3覆盖设计

对于一个有限简单图G,λK_v的G-设计(G-填充,G-覆盖),记为(v,G,λ)-GD((v,G,λ)-PD,(v,G,λ)-CD),是一个(X,B),其中X是K_v的顶点集,B是K_v的子图族,每个子图(称为区组)均同构于G,且K_v中任一边都恰好(最多,至少)出现在B的λ个区组中.一个填充(覆盖)设计称为是最大(最小)的,如果没有其它的这种填充(覆盖)设计具有更多(更少)的区组.本文对于λ>1确定了(v,K_2,3,λ)-GD的存在谱,并对任意λ构造了λK_v的最大K_2,3-填充设计和最小K_2,3-覆盖设计.