Nb_3Sn的热电势率

我们测量了Nb_3Sn从4.2K到273K的绝对热电势率,结果表明在18 K以上,Nb_3Sn的热电势率都是正的.在60K左右,观察到由于声子曳引引起的平坦的峰.第一次观察到在超导临界温度附近,热电势率也有一个明显的转变过程.     

La2-xSrxCuO4单晶膜的热电势与电阻率

测量了高质量的单晶膜La2-xSrxCuO4(x=010,020,025)的电阻率和热电势.La19Sr01CuO4电阻率呈现S型行为,表明存在一个赝能隙,在赝能隙态可以用公式ρ=ρ0+βexp(-ΔT)很好地拟合.热电势的测量表明,在超导转变前样品的残余热电势值非常小,这是膜的高质量引起的,三个样品在200K以上都出现一个宽峰,对其进行了一些理论模型分析,并与电子型超导体热电势结果作了比较. 关键词： 薄膜 输运性质 热电势     

Nd2CuO4及其微量Zn掺杂单晶样品的传输性质研究

用助溶剂方法高温烧制了电子型超导体母体材料Nd2CuO4及其微量Zn掺杂的单晶样品,并系统地研究了在15～300K范围内样品的电阻率和热电势行为.两者在25～200K之间的温区都表现相同的物理行为高温区为半导体热激活行为,低温区为二维变程跳跃行为.在206K附近发现了反铁磁转变对热电势行为影响的精细峰和弛豫现象.我们的实验结果表明在180K以上温区载流子的行为不满足传统的能带理论.退火对25K以下的温区的热电势的行为有非常显著的影响,其本征的物理性质还需要深入的研究.     

Nd2CuO4及其微量Zn掺杂单晶样品的传输性质研究

用助溶剂方法高温烧制了电子型超导体母体材料Nd2CuO4及其微量Zn掺杂的单晶样品，并系统地研究了在15-300K范围内样品的电阻率和热电势行为．两者在25-200K之间的温区都表现相同的物理行为—高温区为半导体热激活行为，低温区为二维变程跳跃行为．在206K附近发现了反铁磁转变对热电势行为影响的精细峰和弛豫现象．我们的实验结果表明在180K以上温区载流子的行为不满足传统的能带理论．退火对25K以下的温区的热电势的行为有非常显著的影响，其本征的物理性质还需要深入的研究．     

Bi_2Sr_2CaCu_2O_8单晶a-b平面热电势率的各向异性

测量了Bi_2Sr_2CaCu_2O_8单晶a方向的热电势率Sa和b方向的热电势率Sb与温度T的关系,发现在a-b平面内热电势率存在各向异性。认为Sa与Sb的差异来源于b方向的调制结构,并用扩散热电势率Sd,声子曳引热电势率Sg和相关跳跃热电势率Sh三种贡献,对实验结果进行了解释。     

超巨磁电阻材料Pr2/3Sr1/3MnO3薄膜输运性质的研究

对1/f噪声缺口的超巨磁电阻Pr2/3Sr1/3MnO3薄膜样品从10K到室温的热电势值进行了测量,热电势为负值,低温下随温度线性变化,表现为金属扩散热电势,在150K开始急剧减小,过渡到与温度T成反比的变化关系,与小极化子模型相符.结合在电阻极大温度附近对电阻和1/f噪声行为的讨论,对于发生在电阻极大温度附近的相变过程,结果支持源于相分离的渝渗模型.     

PTS单晶的低温热膨胀系数

本文用电容法测量了PTS单晶从77—273K平行于分子链方向和垂直于分子链方向的热膨胀系数,实验观察到沿链方向的热膨胀系数在195K附近有突变,在200K附近出现负值。对此,我们作了定性的讨论。 关键词：     

电子型超导体Sm1.85Ce0.15CuO4单晶的赝能隙行为研究

测量了在O2中退火不同时间的Sm1.85Ce0.15CuO4单晶样品的热电势S与电阻率ρ的温度依赖关系.所有的样品电阻率高温下呈现线性温度依赖行为.未退火的样品在148K发生超导转变,而退火后的样品在低温下发生金属半导体相变,其超导电性消失,表明退火引起了载流子浓度下降,体系进入欠掺杂态.随着温度降低,所有的样品ST和ρT曲线在200K附近(T)都发生斜率的改变,可以用赝能隙现象解释.热电势S在低温下出现一个正的曳引峰,意味着载流子符号发生改变,由电子型转变为空穴型 关键词： 电子型超导体 热电势 赝能隙     

超巨磁电阻材料Pr2/3Sr1/3MnO3薄膜输运性质的研究

对1/f噪声缺口的超巨磁电阻Pr_2/3Sr_1/3MnO₃薄膜样品从10K到室温的热电势值进行了测量，热电势为负值，低温下随温度线性变化，表现为金属扩散热电势，在150K开始急剧减小，过渡到与温度T成反比的变化关系，与小极化子模型相符.结合在电阻极大温度附近对电阻和1/f噪声行为的讨论，对于发生在电阻极大温度附近的相变过程，结果支持源于相分离的渝渗模型. 关键词： 稀土锰氧化物 热电势 渝渗模型     

Bi2Sr2CaCu2O8单晶a-b平面热电势率的各向异性

测量了Bi₂Sr₂CaCu₂O₈单晶a方向的热电势率S_a和b方向的热电势率S_b与温度T的关系,发现在a-b平面内热电势率存在各向异性。认为S_a与S_b的差异来源于b方向的调制结构,并用扩散热电势率S_d,声子曳引热电势率S_g和相关跳跃热电势率S_h三种贡献,对实验结果进行了 关键词：     

PTS单晶的低频介电常数

测量了一维聚合物PTS单晶从77—273K沿分子链方向的低频介电常数,发现在相变温度附近,介电常数存在尖锐的峰值,与反铁电相变类似。     

CoSb_3纳米薄膜的制备与热电性能（英文）

通过对低压化学气相沉积制得的CoSb3纳米薄膜在300~800K温度范围内的热电性能测试,发现其电阻率较其他单晶CoSb3块状样品低一个量级,热导率值在1.08~4.05 Wm-1 K-1之间,比单晶CoSb3低得多.这表明纳米结构导致热导率显著降低,最高热电优值在773K出现且为0.114.这种纳米薄膜材料在研制新型高效热电半导体方面极具应用前景.     

NbSe_3的热电势率

测量了NbSe_3从4.2K 到273K的热电势率(S)与温度(T)之间的关系.由 S-T 曲线分析了在相变点附近由于形成 CDW,被破坏的 Fermi 面占总 Fermi 面的百分比α随温度的变化规律.实验发现 S-T 曲线在10K 附近还存在一个峰.     

CoSb3纳米薄膜的制备与热电性能

通过对低压化学气相沉积制得的CoSb3纳米薄膜在300～800K温度范围内的热电性能测试,发现其电阻率较其他单晶CoSb3块状样品低一个量级,热导率值在1.08～4.05 Wm-1K-1之间,比单晶CoSb3低得多.这表明纳米结构导致热导率显著降低,最高热电优值在773K出现且为0.114.这种纳米薄膜材料在研制新型高效热电半导体方面板具应用前景.     

TlBaCaCuO超导体的热电势率

测量了零电阻温度为114K 的 TlBaCaCuO 超导体的热电势率,结果表明,在150K 以上热电势率与温度的关系可用 S=AT+B/T 表示,说明在这类高温超导体中声子曳引热电势即使在高温区也不能忽略,存在电-声子相互作用.     

低温热偶材料的绝对热电势率

我们测量了国产常用低温热偶材料的绝对热电势率,给出了镍铬、金铁、铜和康铜从4.2到273 K的测量结果.根据材料的热电势率计算了这些热偶材料配对组成的热电偶的热电势率和热电势与温度的关系.结果表明与实验一致.     

NaxCoO2晶体的制备、结构和物性

本文以氢氧化钠(NaOH)为溶剂,用高温溶液电解法成功生长出了α相和γ相的NaxCoO2单晶.通过少量SrCO3的添加,可以人为控制晶体产品的晶体学相.以NaOH为溶剂生长出γ相NaxCoO2晶体,添加SrCO3则生长出α相NaxCoO2晶体.对单晶样品的电阻率的测量发现,α相NaxCoO2的电阻率随温度降低而升高,呈半导体特性,而γ相NaxCoO2的电阻率则随温度降低而降低,呈金属性.α相NaxCoO2的热电势低于同温度下γ相NaxCoO2热电势,在300K时分别为30μV/K和70μV/K左右,但均随温度降低而减小,即热电势的温度关系均表现为金属型行为.     

激光调制交流测量高温热电势

本文设计了一种交流法测量室温到1200K的热电势的实验装置。与传统的直流测量方法相比，这一方法有许多优点：方便、适合小样品、能够测量单晶的各向异性，可以连续的测量热电势对温度的依赖关系。为了检验这一新方法的可靠性和准确性，我们测量了纯Pt丝的热电势。     

非晶态Fe_(90-x)Cu_xZr_(10)合金的电子输运特性和结构弛豫

对非晶态Fe_9(1-x)Cu_xZr_10(x=0,4,6,8,10,15,20)合金的低温电阻率、热电势率、高温电阻率和循环退火过程中的电阻率进行测量,结果表明:样品低温电阻率在T_c.附近出现极小值,可用相干交换散射模型说明,热电势率在77—380K间为负值,可用Motts-d散射模型解释:高温电阻率与温度关系和Ziman理论不一致,是相分离的结果;可逆和不可逆结构弛豫分别与CSRO和TSRO有关 关键词：     

毫微晶Pd的热电势率

测量了晶粒尺寸为6.6～23nm 的亳微晶 Pd 从77K 到273K 的热电势率.结果表明,毫微晶 Pd 的热电势率强烈地依赖于晶粒尺寸.我们认为这可能是由于过渡金属 Pd 的电子能带结构或费米能随晶粒尺寸变化所致.