《自然》披露ISI统计数据错误

 据《科学时报》报道英国《自然》杂志在社论中披露了提供论文引用统计数据的机构---位于美国费城的科学信息研究所(ＩｎｓｔｉｔｕｔｅｆｏｒＳｃｉｅｎｔｉｆｉｃＩｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ,简称ＩＳＩ)在数据统计中出现错误的事实。社论说:“对于那些主要依靠这些统计数据来对科学表现进行评价的机构和人来说,这种情形令人担扰。”在ＩＳＩ公布的引用率最高的热门论文排行榜上,去年由国际人类基因组测序组发表的人类基因组序列测序结果的论文却榜上无名。这一奇怪的现象促使《自然》杂志社对ＩＳＩ的引用数据的统计数据进行了调查。调查发现,该机构的相关统计数据还有多处不准确的地方。     

正确使用SCI数据库

在科学界 ,无论是发达国家还是发展中国家 ,研究工作者往往被鼓励在ＳＣＩ(ＳｃｉｅｎｃｅＣｉｔａｔｉｏｎＩｎｄｅｘ)影响因子 (ｉｍｐａｃｔｆａｃｔｏｒ ,以下简称ＩＦ)高的学术期刊上发表论文 .按照编纂ＳＣＩ数据库的费城科学信息研究所 (ＩＳＩ)的计算方法 ,所谓期刊的ＩＦ ,它代表的是 ,一种期刊所发表的论文被全世界 5 70 0种期刊引用的平均次数 .例如 ,Ｎａｔｕｒｅ和Ｓｃｉｅｎｃｅ的ＩＦ约为 2 5 ,Ｐｈｙｓ .Ｒｅｖ .Ｌｅｔｔ.和Ｐｈｙｓ .Ｒｅｖ .Ｂ的ＩＦ约为 6 5和 2 8.在一定意义上 ,ＩＦ客观地反映了某种期刊在其所属学…     

相干与非相干激光成丝不稳定性的数值模拟研究

利用二维三温磁流体力学激光靶程序（ＣＡＳＴＯＲ）数值模拟了相干光和诱导空间非相干（ｉｎｄｕｃｅｄ ｓｐａｔｉａｌ ｉｎｃｏｈｅｒｅｎｃｅ ＩＳＩ）光的成丝不稳定性．用求解激光传播方程和简化流体模型的方法研究了随机相位板（ｒａｎｄｏｍ ｐｈａｓｅ ｐｌａｔｅ ＲＰＰ）光滑化技术对成丝不稳定性的影响，结果表明ＩＳＩ和ＲＰＰ去相干方法可以有条件地减弱或抑制成丝不稳定性． 关键词：     

CO（a）与CS2和CS传能反应中激发态碎片形成速率

本文利用流动余辉技术研究了亚稳态ＣＯ（ａ）与ＣＳ２和ＣＳ的传能反应，测定了反应产生的激发态碎片ＣＳ（Ａ）和ＣＳ（ａ）的形成速率常数。ＣＯ（ａ）与ＣＳ２传能反应中ＣＳ（Ａ）和ＣＳ（ａ）的形成速率常数分别为３．４６×１０＾－１１ｃｍ＾３·ｍｏｌｅｃ＾－１·ｓｅｃ＾－１和１．１４×１０＾－１０ｃｍ＾３·ｍｏｌｅｃ＾－１·ｓｅｃ＾－１。ＣＯ（ａ）与ＣＳ传能反应中ＣＳ（Ａ）和ＣＳ（ａ）的形成速率常数分别为１     

《化学物理学报》被美国ISI出版物收录

《化学物理学报》编辑部近日接到美国科学信息研究所 (ＩｎｓｔｉｔｕｔｅｆｏｒＳｃｉｅｎｔｉｆｉｃＩｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ ,ＩＳＩ)物理、化学、地球科学编辑ＲｏｄｎｅｙＣｈｏｎｋａ先生来信 ,告知《化学物理学报》已入选ＩＳＩ的期刊源 ,并从 2 0 0 2年第 1期起被ＩＳＩ的《ＳｃｉｅｎｃｅＣｉｔａｔｉｏｎＩｎｄｅｘ Ｅｐａｎｄｅｄ(ＳＣＩＥ) ,ＩｎｃｌｕｄｉｎｇｔｈｅＷｅｂｏｆＳｃｉｅｎｃｅ(ＷｏＳ)》 ,《ＣｈｅｍｉｃａｌＣｉｔａｔｉｏｎＩｎｄｅｘ(ＣＣＩ)》 ,《ＲｅｓｅａｒｃｈＡｌｅｒｔ》收录 .Ｃｈｏｎｋａ先生的来信…     

高偏压金属─绝缘体─金属结的光发射

我们制作了一种可在６—１１Ｖ偏压范围内均匀发射可见光的新型金属—绝缘体—金属结型发光器件，其内层结构是Ａｌ－Ａｌ２Ｏ３－ＭｇＦ２－Ａｎ（Ｃｕ），其承受偏压、单位面积发光功率及相应的外量子效应高过迄今已知的Ｍ－Ｏ－Ｍ遂道结型发光器件．本文首次报导并论证了这一由Ｓｃｈｏｔｔｋｙ热电子所激发的光发射及其物理图象：Ｓｃｈｏｔｔｋｙ热电子在ＡＯ（Ｃｕ）－真空界面激发表面等离极化激元（ＳＰＰ）；Ａｕ（Ｃｕ）－真空界面的ＳＰＰ通过表面粗糙度与外光子耦合．这一图象与该器件的电流—电压（Ｉ—Ｖ）、电流—温度（Ｉ－Ｔ）关系及其发射光谱的主要特征一致．     

用MOCVD法在YSZ衬底上制备YBCO膜

用低压ＭＯＣＶＤ多源法在单晶ＹＳＺ和具有双轴取向ＩＢＡＤＹＳＺ的金属基带上沉积了ＹＢＣＯ膜,它们的Ｊｃ（７７．３Ｋ,０Ｔ）分别为～２×１０６Ａ／ｃｍ２和～７×１０４Ａ／ｃｍ２．分析了本试验中的Ｊｃ差别原因．在单晶ＹＳＺ上ＹＢＣＯ高Ｊｃ数值显示了用ＭＯＣＶＤ制备涂层膜导体的潜力     

KH_2PO_4和（CH_3NHCH_2COOH）_3CaCl_2在高压下的状

在活塞圆筒式Ｐ～Ｖ关系测量装置上，研究了ＫＨ＿２ＰＯ＿４（ＫＤＰ）和（ＣＨ＿３ＮＨＣＨ＿２ＣＯ－ＯＨ）＿３ＣａＣＩ＿２［Ｔｒｉｓ－ｓａｒｃｏｓｉｎｅｃａｌｃｉｕｍｃｈｌｏｒｉｄｅ（ＴＳＣＣ）］在室温下、４．５ＧＰａ内的ｐ～Ｖ关系。实验结果表明：ＫＤＰ在２．１ＧＰａ左右有一个相变；ＴＳＣＣ在０．８ＧＰａ和３．２ＧＰａ左右各有一个相变。本工作还给出了它们在相变前后的状态方程，以及它们的格临爱森参数γＯ、体积模量Ｂ＿ｏ和Ｂ＿ｏ的压力导数Ｂ＿ｏ。     

GaAs衬底上生长的GaInP_2外延单晶薄膜的杂质污染研究

各种外延技术已被用来在ＧａＡｓ衬底上生长ＧａｘＩｎ１－ｘＰ外延单晶薄膜（ＧａＩｎＰ２／ＧａＡｓ）．很多文献认为,在ＧａＩｎＰ２／ＧａＡｓ生长过程中会被Ｃ杂质污染．我们用高灵敏的ＣＡＭＥＣＡＩＭＳ４Ｆ型二次离子质谱仪直接测量的结果表明,污染ＧａＩｎＰ２／ＧａＡｓ的微量杂质是Ｓｉ,而不是Ｃ．由ＧａＩｎＰ２／ＧａＡｓ在１．１７ｅＶ附近的光致发光峰的峰值随激发强度的变化形状表明了它应属于施主－受主对复合发光．进一步分析表明,施主为处在Ｇａ格位上的Ｓｉ杂质（ＳｉＧａ）,受主为Ｇａ空位（ＶＧａ）．     

作者索引

Ｃｕｍｕｌａｔｉｖｅ Ａｕｔｈｏｒ Ｉｎｄｅｘ ｆｏｒ Ｖｏｌ．２２,Ｎｏ．１～４ ａｎｄ Ｓｕｐｐ．ＡＮ Ｙｕｙｉｎｇ（安毓英）ｐ．１４３Ａｒａｋａｗａ Ｙ Ｓｕｐｐ．５７,６１,６７ＢＡＥ ＨｙｕｎｓｏｏＫ（裴贤淑）ｐ．５５ＢＡＯ Ｘｉｍａｏ（鲍希茂）ｐ．３３９ＢＡＮ Ｓｈｉｌｉａｎｇ（班士良）ｐ．３３Ｂｅｎｔｈａｍ Ｆ Ｃ Ｓｕｐｐ． １０３ＢＩ Ｚｈａｏｒｏｎｇ（毕朝荣）Ｓｕｐｐ．５７ＣＡＩ　Ｓｈｕｈｕｉ（蔡淑惠）ｐ．１７２,１８２ＣＡＩ Ｗｅｉｙｉｎｇ（蔡炜颖）　ｐ．１０７,１６１Ｃａｏ Ｌｉｘｉｎ（曹…     

Dual Wavelengh Pr:YLF Laser

ＤｕａｌＷａｖｅｌｅｎｇｈＰｒ：ＹＬＦＬａｓｅｒ￥ＲＵＡＮＳｈｕａｎｇｃｈｅｎ（Ｘｉ＇ａｎＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＯｐｔｉｃｓａｎｄＦｉｎｅＭｅｃｈａｎｉｃｓ，ＡｃａｄｅｍｉａＳｉｎｉｃａ，ＸＩ＇ａｎ７１００６８，Ｃｈｉｎａ）Ｊ．Ｍ．Ｓｕｔｈｅｒｌａｎ...     

远离稳定线原子核的实验研究（Ⅰ）

综述了近年来我国在远离稳定线原子核实验研究中取得的重要进展．这些实验研究工作主要是在中国科学院近代物理研究所（ＩＭＰ）、中国原子能科学研究院（ＣＩＡＥ）和中国科学院上海原子核研究所（ＳＩＮＲ）进行的．文章还简要介绍了ＩＭＰ和ＣＩＡＥ现有加速器上研制的放射性束流线及进一步的发展计划．     

Bi-2212单晶各向异性电阻率的研究

测量了从欠掺杂区域到过掺杂区域变化的一系列Ｂｉ２２１２单晶样品ａｂ平面内和ｃ方向电阻率ρａｂ．ρｃ随温度Ｔ的变化关系．按照几种不同模型分析了测量数据．比较两块处于过掺杂区域的Ｂｉ２Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ８＋δ（单晶和Ｂｉ２－ｘＰｂｘＳｒ２ＣａＣｕ２Ｏ８＋δ（单晶，发现尽管平面内电阻率ρａｂ与温度Ｔ依赖行为类似，且Ｔｃ值基本相同，但ｃ方向电阻率ρｃ与温度Ｔ的行为差别很大．这种氧空缺和离子取代的无序效应所造成ｃ方向电阻率ρｃ不同温度行为表明：无序的阻挡层（ｂｌｏｃｋｉｎｇｌａｙｅｒ）对于ｃ方向电阻率ρｃ有重要影响     

LaH2分子基态（C2V,A1）的势能函数

在ＱＣＩＳＤ水平上基于相对论紧致有效势（ＲＣＥＰ：Ｒｅｌａｔｉｖｉｓｔｉｃ Ｃｏｍｐａｃｔ Ｅｆｆｅｃｔｉｖｅ Ｐｏｔｅｎ－ｔｉａｌ）方法优化出ＬａＨ２分子的基态为Ｃ２ｖ（Ｘ＾２Ａ１）构型,其〈ＨＬａＨ－１２４４°、平衡核间距Ｒｅ＝２．１９４５Ａ和离子解能Ｄｅ＝５．５９９ｅＶ,并计算出谐振频率：ｖ１＝１２１６．５２１ｃｍ＾－１、ｖ２＝１０８７．４１７ｃｍ＾－１和ｖ３＝２１５６．９５７２ｃｍ＾－１。     

Dye Laser-pumped Cr: LiSrAIF_6 Laser

ＤｙｅＬａｓｅｒ－ｐｕｍｐｅｄＣｒ：ＬｉＳｒＡＩＦ_６Ｌａｓｅｒ￥ＷＵＸｉｎｇ（Ｄｅｐｔ．ｏｆＰｒｅｃｉｓｉｏｎＩｎｓｔｒｕｍｅｎｔＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，Ｔｉａｎｊｉｎ３０００７２，Ｃｈｉｎａ）Ｔ．Ｏｋａｄａ，Ｋ．Ｋａｅｄａ（Ｄｅｐｔ．ｏｆＥｌｅｃ?..     

Bi2Sr2CaCu2O8中输运特性研究新发现

Ｂｉ２Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ８中输运特性研究新发现高温超导（ＨＴＳ）的研究热潮，从１９８６年ＩＢＭ苏黎世实验室发现Ｔｃ＝３５Ｋ的镧钡铜氧化物超导体起，至今已持续１２年．世界各国数以千计的科学家参与了这一科学竞赛，目的是：（１）寻找更高Ｔｃ的新材料；（２）...     

LaH分子的X1∑+态的势能函数

应用原子分析反应静力学原理导出ＬａＨ分子的电子状态和可能的离解极限,考虑相对论紧致有效势ＰＣＥＰ（Ｒｅｌａｔｉｖｉｓｔｉｃ Ｃｏｍｐａｃｔ Ｅｆｆｅｃｔｉｖｅ Ｐｏｔｅｎｔｉａｌ）近似下,用ＱＣＩＳＤ方法计算了ＬａＨ分子基态Ｘ＾１Σ＾＋的平衡几何Ｒｅ和离解能Ｄｅ为２．１２５Ａ和２．６２３ｅＶ,并在计算出来的一系列背地里点势能基础上,用正规方程组拟合Ｍｕｒｒｅｌｌ－Ｓｏｒｂｉｅ（Ｍ－Ｓ）势能函数,得     

智能剥离——有竞争力的SOI制备新技术

ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ－ｏｎ－Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）技术被认为是２１世纪的硅集成电路技术，近年来，国际上出现了一种引人注目的ＳＯＩ制备新技术－智能剥离（Ｓｍａｒｔｃｕｔ）技术，它的出现为解决ＳＯＩ技术中质量与价格的矛盾带来了新的希望，将会有力地堆动ＳＯＩ技术的进一步发展，文章简要回顾了目前存在的几种ＳＯＩ制备技术，并结合我们的工作重点介绍了智能剥离这种有竞争力的ＳＯＩ制备新技术。     

布里渊散射研究In-BCVIG单晶的体磁振子和偶极——交换磁振子

布里渊散射研究Ｉｎ－ＢＣＶＩＧ单晶的体磁振子和偶极——交换磁振子刘玉龙张昊朱恪（中国科学院物理研究所北京１０００８０）萧季驹李泽民（香港城市大学物理及材料科学系香港九龙）ＭａｇｎｏｎＬｉｇｈｔＳｃａｔｅｒｉｎｇｆｒｏｍＩｎ－ＢＣＶＩＧＳｉｎｇｌｅＣｒ...     

Optical Recording Performance of In_（47）Sb_（14）Te_（39）Phase Change Thin Films using 514．5nm Wavelength Laser Beam

ＯｐｔｉｃａｌＲｅｃｏｒｄｉｎｇＰｅｒｆｏｒｍａｎｃｅｏｆＩｎ_（４７）Ｓｂ_（１４）Ｔｅ_（３９）ＰｈａｓｅＣｈａｎｇｅＴｈｉｎＦｉｌｍｓｕｓｉｎｇ５１４．５ｎｍＷａｖｅｌｅｎｇｔｈＬａｓｅｒＢｅａｍ￥ＭＥＮＬｉｑｉｕ；ＪＩＡＮＧＦｕｓｏｎｇ；ＧＡＮ?..