Bi系超导带材的的激活能和钉扎势

本报道了在液氮温区外磁场平行ｃ轴状态下，测量不同工艺制备的银包套Ｂｉ系超导带材短样的磁回滞曲线和磁弛豫曲线。计算了样品的Ｊｃ，激活能和钉扎势，从５００Ｇｓ到５５００Ｇｓ，激活能在７４ｍｅＶ－８２ＭＥｖ范围内随磁场上升变化较小，钉扎势在１２ｍｅＶ－４９ｍｅＶ范围内随磁场上升而下降。     

高Jc熔融织构YBa2Cu3Oy块材的磁性质与钉扎机制

在不同温度和磁场下测量了熔融织构YBa_2Cu_3O_y块材的磁衰减和磁滞回线.在20K关键词：     

烧结Bi(Pb)SrCaCuO大块超导体的磁通蠕动

实验研究了 Bi(Pb)SrCaCuO 大块超导体在77.3K 下,50—2000Oe 磁场范围的磁通蠕动速率以及在150Oe、300Oe 磁场下磁通蠕动速率与温度的关系.并估算了它的磁通钉扎势,在77.3K 下,磁通钉扎势符合 U_o∝H~(-α)关系,且在50—800Oe 磁场范围α=0.87;在800—2000Oe 磁场范围α=0.28;在一定磁场下,液氮温度以上磁通钉扎势 U_o 随温度的升高而减小.     

Tl2Ba2Ca2Cu3Oy大块超导体的磁化和钉扎势

研究了Ｔｌ２Ｂａ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｙ大块超导体的磁化和磁通钉扎势。由ＺＦＣ磁化测量发现，在远低于Ｔｃ的温度发生２Ｄ－３Ｄ转变。由磁驰豫确定的磁通钉扎势Ｕｐ与磁场之间遵守Ｕｐ∝Ｈ＾－α，且α≈１，在Ｈ＜Ｈｃ１磁场范围内，弱连接超导体的钉扎势则遵守Ｕｐ∝ｅｘｐ［－Ｈ／Ａ］关系，且Ａ＝６０。     

Re掺杂对Hg系超导体U-J关系的影响

本文研究了Ｈｇ０．７Ｃｒ０．３Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｙ,ＨｇＢａ２Ｃａ２Ｃｕ２．９Ｒｅ０．１Ｏｙ,ＨｇＳｒ２Ｃａ３Ｃｕ３．８Ｒｅ０．２Ｏｙ的磁性,发现Ｒｅ的掺入会改变ＵＪ关系．由驰豫测量结果分析得到Ｈｇ（Ｒｅ）１２２３,Ｈｇ（Ｒｅ）１２３４具有对数钉扎势Ｕ＝Ｕ０Ｈ－ｎｌｎ（Ｊｃ０／Ｊ）,其中对Ｈｇ（Ｒｅ）１２２３在２０Ｋ～６０Ｋ范围里Ｕ０和Ｊｃ０近似与温度无关;对Ｈｇ（Ｒｅ）１２３４,Ｕ０和Ｊｃ０与磁场和温度有关．而Ｈｇ１２２３具有幂次方钉扎势Ｕ＝Ｕ０（Ｊｃ０／Ｊ）μ．另外,由磁化曲线Ｍ（Ｈ）的测量得到临界电流密度随磁场的变化关系．结果表明Ｈｇ（Ｒｅ）１２２３在２０Ｋ～９０Ｋ、Ｈｇ（Ｒｅ）１２３４在２０Ｋ～７０Ｋ的温度范围内,临界电流密度随磁场的变化关系均可以用由对数钉扎势得出的Ｊｃ（Ｈ）关系很好地描述．我们认为Ｒｅ掺入引起的体系的各向异性的减小和岛状钉扎中心,使得材料钉扎能力增强并引起ＵＪ关系的变化     

EuBa_2Cu_3O(7-δ)陶瓷超导体临界态磁通蠕动

本文用振动样品磁强计分别以增加外磁场和退外磁场两种情况在77K 研究了 EuBa_2-Cu_3O_(7-δ)单相多晶超导样品磁化强度弛豫行为.发现两者有显著区别.我们又用实验结果求导了样品钉扎势 U_0 和磁通束尺度参量随外场变化规律,其数值表明样品钉扎势 U_0 随外场B 变化关系仍可用 U_0-1/B~α函数关系表示.     

纳米银掺杂对Bi(2223)超导体的影响

研究了不同含量纳米银掺杂的（Ｂｉ,Ｐｂ）２Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｘ块材。ＤＴＡ分析表明纳米银掺杂使材料熔点降低,加速了高Ｔｃ相的形成。磁场下Ｒ－Ｔ展宽测试表明,纳米银掺杂大大提高了磁通蠕动激活能,其中最佳掺杂１５ｗｔ％Ａｇ时激活能提高５～６倍;掺杂样品的钉扎能Ｕ（Ｈ）随磁场降低比非掺杂样品要慢,改善了磁场下的传输性能。交流磁化率测量表明纳米银掺杂使晶间损耗峰向高温移动２０Ｋ,说明纳米银掺杂改善了晶界     

高压下 MgB2 超导的涡旋动力学研究*

我们首次通过磁弛豫的方法系统研究了高压下 MgB2 样品的磁通钉扎以及涡旋动力学, 测量了其在不同温度和磁场下的磁化强度 M 随时间t 的衰变, 即 M(t) . 根据集体蠕动理论, 明确了高压效应在低磁场时抑制了磁衰变速率, 但在高场下大大的加快了磁衰变. 高压降低了临界电流密度J c 和钉扎能. 另外, 在 MgB2 样品里低场下没有观测到弹性蠕变向塑性蠕变的转变.     

Y_(0.928)Pr_(0.072)Ba_2Cu_3O_7超导单晶的钉扎机制研究

研究了Y0.928 Pr0.072 Ba2 Cu3 O7(后文称YPBCO)单晶在不同温度下的磁特性,计算了不同温度下的钉扎力密度Fp对磁场的依赖关系.结果表明,在不同温度下的钉扎力密度可近似标度在同一条曲线上;标度函数和峰效应引起的最大Jc所对应的磁场与不可逆场的比值都表明,YPBCO单晶在磁通玻璃态的钉扎机制主要是样品中Pr的微观电子分布不均匀性引起的正常相面钉扎.     

弱场下熔融织构YBa_2Cu_3O_(7-δ)样品局域磁通蠕动的实验研究

利用半导体霍尔探头测量法在液氮温度下研究了低场下圆柱状熔融织构YBa2 Cu3O7-δ样品的局域磁通蠕动行为 .对瞬时加减场样品端面局域磁场的磁弛豫 ,磁滞回线以及不同扫场速率下局域磁场的变化进行了测量 ,观察到了对数时间磁弛豫的行为 ,发现由加场和去场数据所得的激活能U0 有明显的不同 .磁滞回线测量中 ,局域点的磁场随外场几乎同步变化 ,不同扫场速率下局域磁场随外场变化的差别不大 .实验结果表明 ,外场除对样品侧面外 ,对端面也有明显的穿透 .所得U0 的不同来源于磁通线与ab平面的位置关系 .实验结果表明弱磁场下的磁测量有可能进一步发展成为获得样品的钉扎特性的简单而有效的方法     

非理想第二类超导体局域磁弛豫的计算模拟：非均匀钉扎势和表面势垒影响

从热激活模型出发,对非理想第二类超导的局域磁行为进行了计算模拟.讨论了超导体体内非均匀钉扎势和表面势垒对局域磁通运动的影响.计算结果表明,体内非均匀钉扎势对磁通线的运动产生大的阻碍,表面势垒明显抑制了磁通线的进入和离开样品.相对于样品的平均磁弛豫行为和平均磁滞回线,非均匀钉扎以及扫场速率的差异更强地显示在样品的局域磁行为. 关键词： 非理想第二类超导体 局域磁弛豫 非均匀钉扎 表面势叠     

Nb_3Sn超导材料的高场钉扎行为

本文利用线性回归分析法处理扩散和气相沉积Nb_3Sn带材样品以及青铜法多芯Nb_3Sn线材样品在高场(～22T)下的临界电流测试数据,得到J_c-B曲线和钉扎力随磁场变化的经验规律。该规律与Kramer模型的钉扎力公式不一致,有待提出新的理论模型加以说明。     

(BiPb)-Sr-Ca-Cu-O2223相高Tc超导体磁通钉扎与蠕动

本文介绍了(BiPb)-Sr-Ca-Cu-O2223相高T_c超导体烧结工艺,用振动样品磁强计测量了磁化强度地豫率随外磁场的变化,并相应求得钉扎势U₀随外磁场的依赖关系。发现在0—0.23T外磁场范围内U₀与外磁场B的关系为U₀-B^-1/2与Palstra对单晶用电阻展宽实验所得结果有类似的函数形式。 关键词：     

Bi系2223相银包套带材在15-77K温度范围的临界电流密度和磁通钉扎

实验测量了具有较高临界电流密度J_c(J_c=1.6×10~4A/cm~2.77K,OT)的Bi系2223相银包套带材在15-77K温度范围内的临界电流密度J_c与温度和磁场的关系,实验结果用热激活磁通蠕动模型予以解释,并求出钉扎势U_0随外磁场的依赖关系,发现在0-1T外磁场范围内,U_0与外磁场H的关系为U_0=0.069H~(-0.08)(eV),其中H的单位为千高斯。     

熔融织构YBa_2Cu_3O_x中碰通钉扎的各向异性及211相对钉力的影响

通过测量不同温度的磁滞回线和不同温度、不同磁场下的磁弛豫，对熔融织构ＹＢａ２ＣＵ３Ｏｘ样品的钉扎各向异性及２１１含量对钉扎力的影响进行了研究（外加磁场分别平行和垂直于Ｃ轴），发现熔融织构样品的钉扎力具有强各向异性，这是由钉扎中心形状的各向异性导致的．临界电流随２１１含量的增加反而降低，表明在这些样品中２１１相颗粒及其周围的缺陷对磁通钉扎起负作用．仅当外场平行于ｃ轴时，才能观察到鱼尾效应，表明这些样品中至少存在两种钉扎中心．     

熔融织构YBa2Cu3Ox中磁通钉扎的各向异性及211相对钉力的影响

通过测量不同温度的磁滞回线和不同温度、不同磁场下的磁驰豫，对熔融织物ＹＢａ２ＣｕＯｘ样品的钉扎各向异性及２１１含量钉扎力的影响进行了研究（外加磁场分别平行和垂直于Ｃ轴），发现熔融织构样品的钉扎力具有强各向异性，这是由钉扎中心形状的各向异性导致的、临电流随２１１含量的增加反而降低，表明在这些样品中２１１相颗粒及其周围的缺陷对磁通钉扎起负作用，仅当外场平行于Ｃ轴时，才能观察到鱼尾效应，表明这些样品中至     

含不同211相颗粒的区域熔炼YBa2Cu3O6＋x样品的临界电流

在５５－７８Ｋ的温度范围内，最大磁场为２．３Ｔ下，用ＶＳＭ测量了含Ｙ２ＢａＣｕＯ５颗粒的区域熔炼ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ６＋ｘ的磁滞回线。利用Ｂｅａｎ模型计算了磁临界电流密度，发现Ｊｃ与外加磁场Ｈ有一普适关系。实验结果能用集体钉扎理论解释。我们同时发现Ｙ２ＢａＣｕＯ５（２１１）颗粒在磁通钉扎中有很大作用，在较高增场下，随２１１相颗粒含量的增加，样品的Ｊｃ下降越缓慢。     

Bi_2Sr_2CaCu_2O_(8+δ)单晶的钉扎力标度和磁通钉扎机制

测量了 Bi2 Sr2 Ca Cu2 O8+δ单晶不同温度下的磁化曲线。根据 Bean临界态模型得到了不同温度下的钉扎力密度 FP 对磁场的依赖关系 ,发现在不同温度下的钉扎力密度可以标度在同一条曲线上。标度函数和最大钉扎力所对应的磁场与不可逆场 Hirr的比值都表明 Si2 Sr2 Ca Cu2 O8+δ单晶在磁通玻璃态的钉扎机制主要是正常相面钉扎。     

Tl2Ba2Ca2Cu3Oy超导体低场钉扎力的性质

测量了Tl₂Ba₂Ca₂Cu₃O_y超导体多晶样品在不同外磁场和不同温度下的磁滞性质,利用临界态方程求出有效钉扎力随外磁场及温度的变化,有效钉扎力包括晶粒界面处及晶粒内的贡献,发现有效钉扎力有峰效应,峰位置随温度降低向较高磁场移动,峰效应被解释为两种钉扎机制产生的,即两种机制的贡献与外磁场的关系不同,还讨论与这些结果有关的问题。 关键词：     

不同Ti含量对NbTi超导体临界电流密度的影响

利用Nb片和Ti片交替组配加工,经扩散反应制备了Ti含量从43WT%到57WT%之间的三种不同成份的NbTi超导线.测量了三种不同成份的临界电流密度Jc,讨论了在磁场下不同Ti含量对NbTi线临界电流密度Jc的影响,并对磁通钉扎机制进行了分析.通过扫描电镜(SEM)观察了Nb/Ti界面扩散形态及微结构,并运用多源标度分析法[1]对不同成份的NbTi超导线进行了磁通钉扎力密度随磁场变化曲线的拟合.结果表明:随着含Ti量的增加,其临界电流密度在低场时很高,而在高场时的性能偏低,且下降迅速,而含Ti量低的超导线在高场时的性能更具有优势;超导线在不同磁场下的性能是由点钉扎和面钉扎两种钉扎机制共同作用决定的.