二维颗粒膜超导电性

我们对二维排列的Sn颗粒膜进行了低温R-T特性研究。样品是在充有氧气的真空室内用热蒸发方法制备的。因为颗粒尺寸、颗粒分布和颗粒间距的随机性,使得颗粒之间的Josephson耦合和热激发电子的hopping过程的强弱,在不同的样品中不同,观测到的结果可以理解为以下三类:1)向零电阻的K-T转变;2)电阻极小转变;3)金属-绝缘转变。 关键词：     

邻近效应耦合的二维超导阵列的电阻转变

本文用真空沉积-光刻-化学腐蚀方法制备了以邻近效应耦合起来的超导岛阵列膜样品,测试了样品的低温R-T特性。实验结果表明,二维超导阵列膜系统中存在Kosterlitz-Thou-less相变,并与Lobb、Abraham和Tinkham等人的理论预言相符合。     

融熔织构YBa_2Cu_3O_7的电阻展宽

测量了融熔织构 YBa_2Cu_3O_7在磁场中电阻转变的展宽效应.发现 R(T,H)=R_0exp[-U_0/k_BT],仍满足 Arrhenius 关系,钉扎能 U_0(H)仅为 eV 量级.讨论了影响 J_c 和磁通蠕动的因素.     

Tl2Ba2Ca2Cu3Oy超导体磁通钉扎能的分布

描述一种测量高温超导体磁通钉扎能U₀及其分布的新方法,此方法主要之点是测量磁化后样品的零场临界电流随时间的变化,利用这一方法测量Tl₂Ba₂Ca₂Cu₃O_y的U₀值分布(T=78K)。根据所得结果,对已报道的U₀值的分散性提出一种新解释。 关键词：     

Bi1.8Pb0.4Sr2Ca2.2Cu3Oy的磁通运动与临界电流特征

制备了银包套的Bi_1.8Pb_0.4Sr₂Ca_2.2Cu₃O_y带材。微结构观察证明样品是高度织构化的Bi2223单相。输运测量发现J_c(T,B,θ,φ)和R(T,B,θ,φ)均与θ有关,与φ无关(T=77K,B<1T),式中的θ和φ分别表示磁场与ab面和电流的夹角。求得了磁通运动的激活能。提出了热激活磁通弯结的形成与运动模型,并用London理论计算了弯结 关键词：     

非理想平面散射中心的磁通钉扎

本文提出了一个二类超导体中电子散射磁通钉扎的非理想平面模型。此模型比现有的理想化模型更接近实际情形。计算了此模型下的δK/K及一个刚性磁通线阵所受的钉扎力。在所得的结果中,散射平面厚度、散射几率及杂质含量对钉扎力的影响与实验结果符合较好。 关键词：     

125K TlBaCaCuO超导体的制备及其转变温度的退化

利用分步反覆烧结法制备了125K 零电阻转变温度的 TlBaCaCuO 超导体.磁化强度测量肯定了零电阻测量的结果.EDAX、XRD、HREM 及 ED 实验证明这种样品是多相的,主要由 Tl_2Ba_2CaCu_2O_x 及 Tl_2Ba_2Ca_2Cu_3O_y 组成.样品的主要参量如 T_c 等的时效实验延续了一年.发现 T_c 在时效后有了显著降低.讨论了这一现象的起因.     

致密TlBaCaCuO超导体临界电流性质研究

对用改进的烧结法制备的多晶 TlBaCaCuO 超导样品进行了低温和强磁场中的临界电流测量.结果表明,在温度低于28K、磁场小于8T 时临界电流大于6A(测量装置的极限值).在55K 以上温度,临界电流随磁场开始明显下降,表现出弱连接性质,支持我们由磁测量和显微结构观察所得的结果.根据实验结果,讨论了 T1系超导体的弱连接,钉扎中心.载流潜力及消除弱连接的可能性等问题.     

YBaCuO超导陶瓷的有效钉扎力

提出了有效钉扎力的概念,并由此建立了描述有大量内界面的陶瓷样品滞迴行为的方法。测量了烧结YBaCuO陶瓷样品的剩余磁化强度与磁化场及温度的关系,并用有效钉扎力方法从中萃取了有效钉扎力,它有两项:一项与磁化电流相联系,并受界面间的弱连接控制;另一项来自颗粒体内的钉扎中心控制。弱外磁场中前一种起主要作用,强场中后一种居主导。 关键词：