| 不同Ti含量对NbTi超导体临界电流密度的影响 |
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| 引用本文： | 谢宝海,吴晓祖,刘向宏,陈自力,蒲明华,李晓光,曹烈兆,周廉.不同Ti含量对NbTi超导体临界电流密度的影响[J].低温物理学报,2004,26(1):16-20. |
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| 作者姓名： | 谢宝海 吴晓祖 刘向宏 陈自力 蒲明华 李晓光 曹烈兆 周廉 |
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| 作者单位： | 东北大学,沈阳,110004;西北有色金属研究院,西安,710016;西北有色金属研究院,西安,710016;中国科学技术大学,合肥,230026 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 利用Nb片和Ti片交替组配加工,经扩散反应制备了Ti含量从43WT%到57WT%之间的三种不同成份的NbTi超导线.测量了三种不同成份的临界电流密度Jc,讨论了在磁场下不同Ti含量对NbTi线临界电流密度Jc的影响,并对磁通钉扎机制进行了分析.通过扫描电镜(SEM)观察了Nb/Ti界面扩散形态及微结构,并运用多源标度分析法1]对不同成份的NbTi超导线进行了磁通钉扎力密度随磁场变化曲线的拟合.结果表明:随着含Ti量的增加,其临界电流密度在低场时很高,而在高场时的性能偏低,且下降迅速,而含Ti量低的超导线在高场时的性能更具有优势;超导线在不同磁场下的性能是由点钉扎和面钉扎两种钉扎机制共同作用决定的.
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| 关 键 词： | NbTi超导体 临界电流密度 磁通钉扎 |
| 修稿时间： | 2003年11月24 |
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