3S1态电子偶素3γ衰变的连续γ射线能谱的全谱测量

采用很轻重量的气凝硅胶样品作为电子偶素源以减小散射γ射线的干扰, 把高纯锗γ射线探测器的定时分辨能力在很低能区改进到FWHM=5ns, 在具有时间选择功能的高纯锗γ能谱仪上对³S₁态电子偶素3γ衰变的连续γ能谱进行了全谱测量, 所获得的谱形在实验误差内很好地与Ore-Powell理论预言一致, 同时否定了他们的统计计算所给出的谱形.     

~3S_1态电子偶素3γ衰变的γ射线能谱测量

用具有时间选择功能的高纯锗γ能谱仪测量了~3S_1态电子偶素3γ衰变放出的连续γ能谱的300—510keV能区。结果表明,在实验误差范围内与量子电动力学理论曲线一致。     

3S1态电子偶素3γ衰变的γ射线能谱测量

用具有时间选择功能的高纯锗γ能谱仪测量了³S₁态电子偶素3γ衰变放出的连续γ能谱的300—510keV能区。结果表明,在实验误差范围内与量子电动力学理论曲线一致。 关键词：     

正电子湮没多普勒谱中的3γ/2γ分析

在慢正电子束研究表面的实验中,一般仍使用高纯Ge γ谱仪测量正电子湮没多普勒展宽能谱,对能谱的分析采用线形参数S,W,这些参数提供的信息有限. 例如,当电子与正电子在材料中形成电子偶素时,简单的线形参数非但不能表征它们,反而因它们的存在使得分析变得复杂. 本工作在对多普勒展宽能谱进行数据处理的过程中,引入正态电子偶素自衰变强度I_3γ参数,建立了从能谱中获得I_3γ参数值的方法. 以标准样品为基准,选用Ag盖帽的气凝硅胶进行I_3γ参数计算,工作表明新参数对研究介孔材料及纳米薄膜能提供更丰富的信息.     

基于高纯锗γ谱仪的环境放射性测量

随着我国核电事业发展,人们对环境中的放射性问题越来越关注.基于高纯锗γ谱仪的环境放射性测量实验,提供了有效的途径让学生将核物理知识与日常生活中大家关心的环境辐射问题联系起来.该实验充分利用高纯锗γ谱仪对环境中γ放射性具有很好的能量分辨的特性,通过对伽马能谱的测量结果分析得到地球环境中放射性来源.这套探测系统需要学生通过调试各项参数找到谱仪的最佳工作状态,该过程让学生掌握高纯锗γ谱仪的工作原理和特性,为以后核物理领域科研工作打下基础;另外,通过对~(152)Eu和环境γ谱的分析学生会初步了解复杂γ谱的谱学分析方法.     

高效率的正电子湮没2γ和3γ寿命谱仪

用大体积BaF_2(φ40mm×30mm)探测器组装正电子湮没的2γ和3γ寿命谱仪,在2γ方式下,两个BaF_2探测器构成双重符合,得到系统的时间分辨为FWHM=212ps,计数效率比塑料闪烁探测器组装的谱仪估计高10倍以上.在3γ方式下,NaI(Tl)探测器与两个BaF_2构成三重符合,合理安排三探头的几何及合理选择各能窗的位置以优化对3γ湮没事例的测量,实验表明,新系统可用于研究强度微弱的电子偶素在固体中湮没的3γ寿命谱.     

高效率的正电子湮没2γ和3γ寿命谱仪

用大体积BaF₂ (φ40mm×30mm)探测器组装正电子湮没的2γ和3γ寿命谱仪,在2γ方式下,两个BaF₂探测器构成双重符合,得到系统的时间分辨为FWHM=212ps,计数效率比塑料闪烁探测器组装的谱仪估计高10倍以上.在3γ方式下,NaI(Tl)探测器与两个BaF₂构成三重符合,合理安排三探头的几何及合理选择各能窗的位置以优化对3γ湮没事例的测量,实验表明,新系统可用于研究强度微弱的电子偶素在固体中湮没的3γ寿命谱.     

X,γ射线谱仪用的半导体探测器

半导体探测器是六十年代发展起来的一种新型探测器.随着硅、锗单晶性能的提高,硅(锂)[Si(Li )]、锗(锂)[Ge(Li)]及高纯锗[HPGe]探测器的制备工艺日趋完善.与此同时,随着电于学线路的改进,Si(Li),Ge(Li),HPGe探测器及低噪声电子学线路和低温装置所组成的X,γ射线谱仪性能得到迅速提高。逐渐发展成高热率、高能量分辨率的X,γ谱仪,这就使应用γ射线核能谱学增添了新的实验数据,同时使微量及痕量元素分析技术达到了新的水平. 半导体探测器一般又称固体探测器[1],它实质上是由一块半导体材料所组成的电离室.对核谱仪用的探测器的基本要求…     

用高纯锗γ-谱仪借助滑动比较方法精密测量放射性核的γ-射线能量

以~(192)Ir γ-射线能量准确值为标准对高纯锗γ-谱仪进行滑动扫描刻度,通过比较测定放射性核γ-射线能量,得到:477603.18±0.44eV(~7Be)、511852.70±0.58eV(~(106)Ru)、514004.87±0.52eV(~(85)Sr)、520399.01±0.63eV(~(83)Rb)、529594.48±0.69eV(~(83)Rb)和552551.14±0.68eV(~(83)Rb)。用这一结果校正以往的实验,得到电子质量值510998.6±1.1eV,它与电子质量的近期调节值良好符合。     

BC537探测器中γ射线的响应函数测量与蒙特卡罗模拟

为了将氘化液闪探测器(BC537)测量的反冲电子谱转换为γ射线能谱,利用标准γ点源对BC537探测器的响应进行了测量并运用基于蒙特卡罗方法的Geant4程序计算了BC537探测器探测γ射线的响应函数。讨论了探测器建模中有无铝壳和入射γ射线束流半径对探测效率和响应函数的影响。对比模拟和实验测量的反冲电子谱,两者符合较好。利用模拟的响应函数和实验测量标准γ源Cs-137和Co-60以及AmBe源在BC537探测器中的反冲电子谱,经迭代法解谱得到了对应的标准γ射线能谱,验证了模拟参数的合理性以及该响应函数的实用性。     

仲态电子偶素湮没辐射能量的测量

利用充氧气的气凝硅胶电子偶素源,用与已知的¹⁰⁶Ru γ射线能量511856.2(2.3)eV相比较的方法,测得仲态电子偶素湮没2γ射线的能量为510998.7(2.5)eV将此数值(经结合能修正)与电子静止质量所对应的能量(m_ec²)进行了比较.     

不同气氛下多孔硅中电子偶素湮没行为研究

使用正电子湮没谱学方法,在不同气氛下对电化学腐蚀法制备的多孔硅中电子偶素的湮没行为进行了系统的研究.正电子湮没寿命谱测试结果表明,样品中存在长达40 ns的电子偶素湮没成分,并且进入多孔硅膜层的正电子约有80%形成电子偶素,具有非常高的电子偶素产额;在氧气气氛下,由于气体导致o-Ps发生自旋转化猝灭是使多孔硅样品中电子偶素寿命缩短的主要原因.结合正电子寿命-动量关联谱测量结果,分析了不同气氛下多孔硅样品中电子偶素湮没寿命及动量变化关系,讨论了多孔硅中电子偶素的湮没机理以及气氛对孔径计算理论模型的影响. 关键词： 电子偶素 正电子湮没谱学方法 多孔硅     

用高纯锗γ-谱仪借助滑动比较方法精密测量放射性核的γ-射线能量

以¹⁹²Ir γ-射线能量准确值为标准对高纯锗γ-谱仪进行滑动扫描刻度,通过比较测定放射性核γ-射线能量,得到:477603.18±0.44eV(⁷Be)、5.11852.70±0.58eV(¹⁰⁶Ru)、514004.87±0.52eV(⁸⁵Sr)、520399.01±0.63eV(⁸³Rb)、529594.48±0.69eV(⁸³Rb)和552551.14±0.68eV(⁸³Rb).用这一结果校正以往的实验,得到电子质量值510998.6±1.1eV,它与电子质量的近期调节值良好符合.     

MoO3在多孔γ-Al2 O3中固熔分散的研究

用MoO₃与多孔γ-Al₂O₃载体以机械混合法制备了一系列MoO₃/γ-Al₂O₃样品.用扫描电子显微镜、X射线衍射、X射线光电子能谱分析、综合热分析(TG/DTA)和正电子湮没谱学研究了MoO₃加载于γ-Al₂O₃后固熔分散过程.分别测量了不同含量的MoO₃/γ-Al_{2关键词： 正电子湮没谱学 三氧化钼 分散 逐次加载}     

高能量γ射线刻度源装置

在核物理实验和γ剂量探测中,γ射线探测器,如 Ge(Li),HpGe,Nal(T1)和 BGO等都需要刻度能量线性和相对效率.在兆电子伏能区,在加速器上可以利用不同的核反应获得不同能量γ射线.但在没有加速器的地方则无法进行.我们利用一个～105中子/s的Am-Be中子源制成了高能量γ射线刻度源装置.实验装置见图1.这个装置简单、方便.对于没有加速器的地方尤为实用. 一个原子核俘获一个热中子后,由于中子结合能,复合核将处在较高的激发态,它在退激时放出特征的单色γ射线,其能量由激发态的能级决定.一般来说,俘获γ射线谱是多线结构的,但是在高能部分,…     

仲态电子偶素湮没辐射能量的改进测量

用充氧气的气凝硅胶作仲态电子偶素源,用¹⁹²Ir精密γ能量作标准,以时间选择能谱仪和滑动比较法改进测量仲态电子偶素2γ湮没能量,得到hv=510995.34±0.69eV.经电子偶素结合能修正,得正、负电子对静止质量,与电子质量比较,表明正、负电子质量在1.4ppm内一致.     

激光等离子体电子温度的时间分辨诊断

本文描述在LF-11激光装置上进行的线状锗等离子体电子温度时间分辨诊断的实验。在实验中利用时间分辨X射线晶体谱仪测量了线状锗等离子体X射线的时间分辨谱,并借助碰撞辐射模型(CR模型),由类Ne锗L线特征线相对强度比确定出锗等离子体的电子温度及其时间演化过程。并与用部分局部热平衡模型(PLTE)得出的结果做了比较。     

线状锗等离子体X射线线谱的时间分辨测量

用自行研制的X射线条纹晶体谱仪首次测量了线状锗等离子体的X射线时间分辨谱。给出了类Ne-锗L线共振线的时间演化过程,并用类Ne-锗L线共振线与其双电子俘获伴线的相对强度比粗估了锗等离子体的电子温度及其随时间的变化,实验给出了X光激光增益区介质的电子温度为400～760eV,同时给出了电子温度保持相对恒定的时间不小于90ps(电子温度变化小于2％)。     

4π列阵γ射线探测器的发展

前言在束γ实验可以测量核反应生成的γ发射体发射的γ射线。显然这种γ射线带有核结构和产生发射核的反应机制两者的信息。这类实验最初由单个NaI 探测器测量,后来用高分辨锗γ探测器。今天已经有三个多探测器列阵开始工作。它能测量γ发射体的全部性质。本文将叙述这些列阵探测器的发展方向和在核物理实验中的新贡献。     

γ噪Blazar天体的γ射线和近红外光辐射研究

收集了29个有γ噪的Blazar天体(其中有16个BL Lac天体和13个平谱射电类星体)的近红外流量密度和γ射线流量密度,获得以下主要结果:1)23个天体中的γ射线流量密度和近红外流量密度在低态时存在较强的相关性而在高态时有弱的相关性.2)在29个天体中,有6个天体只有一个观测数据点,将其认为是高态时,γ射线流量密度与近红外光流量密度之间有弱相关性,而认为是低态时有强相关性.3)29个源的γ射线流量密度与X射线流量密度在低态时有相关性,但是γ射线流量与光学流量密度,γ射线流量与射电流量密度均没有相关性.4)在16个BL Lac天体中γ射线流量与近红外光流量不论在高态还是低态都有相关性,而13个平谱射电类星体没有相关性.讨论了γ噪Blazar天体的γ射线辐射机制,认为γ射线的辐射机制主要是同步自康普顿散射.而逆康普顿散射来自绕中心核且温度约为2000K的尘埃,这些尘埃的区域大约有r=3pc,聚束的相对论电子也可能是这种尘埃模型辐射机制的一个重要补充.平谱射电类星体和BL Lac天体的γ辐射机制可能有些不同. 关键词： Blazar天体 星系γ射线观测辐射机制 非热辐射