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用浸渍法制备了一系列不同Mo含量的MoO3/Al2O3催化剂.测量了这些样品的正电子湮没寿命谱(PALS)与符合多普勒展宽(CDB)谱,以研究其孔洞结构以及Mo分散.正电子寿命测量结果表明,Al2O3载体中存在两种不同尺寸的孔洞.掺入MoO3之后,Mo原子主要进入Al2O3的大孔中,使孔洞体积减小.符合多普勒展宽谱结果表明,当MoO
关键词:
3/Al2O3催化剂')" href="#">MoO3/Al2O3催化剂
正电子湮没寿命谱
符合多普勒展宽
Mo 分散 相似文献
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研究了纯α-Al2O3单晶的热释光发光曲线和三维发光谱,以及光释光衰变曲线,对它们的发光机理和剂量学特性进行了分析和讨论.实验观察到α-Al2O3单晶β射线照射后立即测量的热释光发光曲线,有峰温为76℃和207℃两个发光峰.经γ射线照射数小时后测量的三维发光谱,只有峰温207℃波长为416 nm发光峰,它与α-Al2O3:C晶体的发光波长基本相同,是受热激发到导带的电子与F<
关键词:
2O3')" href="#">α-Al2O3
三维发光谱
TL/OSL剂量响应 相似文献
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测量了磁性纳米Fe3O4颗粒的X射线衍射谱(XRD)、正电子湮没寿命谱(PALS)和符合多普勒展宽谱(CDBS),研究了不同压力和退火温度对磁性纳米Fe3O4颗粒物相、电子结构、缺陷及电子动量分布等的影响. XRD,PALS,CDBS测量结果表明:纳米Fe3O4颗粒的缺陷浓度随压力的增加而增大,但物相和缺陷类型并未发生变化;磁性纳米Fe3O4<
关键词:
正电子
3O4')" href="#">Fe3O4
寿命谱
多普勒展宽谱 相似文献
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用金属势函数描述氧化物是实现金属-氧化物界面分子动力学模拟的关键.基于此,通过拟合α-Al2O3的晶格能、晶格常数、弹性常数,获得了一套用于描述α-Al2O3的长程Finnis-Sinclair(F-S)势.通过与已报道的描述α-Al2O3的EAM势、Glue势和modified Matsui(m-Matsui)势的比较,结果达到或优于前人的结果.进而,在300 K的温度下对
关键词:
长程F-S势
2O3')" href="#">α-Al2O3
2O3界面')" href="#">Fe-Al2O3界面
2O3界面')" href="#">Al-Al2O3界面 相似文献
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利用正电子湮没寿命谱(PAT)和X射线电子能谱(XPS)研究了掺镧所引起的PbWO4 晶体缺陷的变化.结果表明:掺镧后,PbWO4晶体中的正电子捕获中心铅空位(V< sub>Pb)浓度增加,并进一步诱导低价氧浓度的增加.讨论了掺La的作用机制,认为掺 La将抑制晶体中的氧空位,增加铅空位浓度.
关键词:
掺镧钨酸铅晶体
正电子湮没寿命谱
X射线电子能谱
缺陷 相似文献
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以高纯α-Al2O3和石墨为原料,采用温梯法生长了α-Al2O3:C晶体,使用Ris TL/OSL-DA-15型热释光和光释光仪研究了其热释光和光释光特性.α-Al2O3:C晶体在462K附近有单一热释光峰,发射波长位于410nm.随着辐照剂量的增加,热释光强度逐渐增强,462K的热释光特征峰位置保持不变.α-Al2O3:C晶体的
关键词:
2O3:C')" href="#">α-Al2O3:C
热释光
光释光 相似文献
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利用正电子湮没实验,结合x射线衍射(XRD)结构分析,研究了具有混合稀土特征的(Y1 -xGdx)Ba2Cu3O7-δ系列样品. XRD 实验结果表明,半径较大的Gd离子Y位替代使得样品晶胞参数和晶胞体积增大,但所有样品 仍保持与YBa2Cu3O7-δ(YBCO)样品相同的单相正交结 构. 正电子湮没实验表明,正电子各寿命参数表现出很强的Gd替代依赖关系. 从正电子实验 结果出发,计算了Cu-O链区局域电子密度ne的变化. 结果表明,局域电子密度n e随Gd含量x的增加而减小,而超导转变温度Tc随局域电子密度ne的减小而增加,这种局域电子密度ne与超导电性的关联是与铜位替代 完全不同的,且可能是近年来人们关于混合稀土铜氧化物体系具有较高临界电流密度的原因 之一. 该研究结果为铜氧化物超导体的应用和机理研究提供了相应的正电子实验资料.
关键词:
超导电性
正电子湮没
相结构
局域电子密度 相似文献
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以去离子水(H2O)和三甲基镓(TMGa)为源材料,用常压MOCVD方法在蓝宝石(0001)面上生长出β-Ga2O3薄膜.用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)以及二次离子质谱(SIMS)实验表征Ga2O3外延膜的质量.在X射线衍射谱中有一个强的Ga2O3(102)面衍射峰,其半峰全宽(FWHM)为0.25°,表明该Ga2O3外延膜是(102)择优取向.在二次离子质谱中除了C、H、O和Ga原子外,没有观测到其他原子. 相似文献
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对熔体急冷法制备的Fe43Co43Hf7B6Cu1非晶合金进行了200,300,400和500 ℃保温30 min的退火处理,用正电子湮没寿命谱、X射线衍射、穆斯堡尔谱等方法研究了退火后试样的结构及结构缺陷变化.结果表明,在非晶合金的制备态,正电子主要在非晶基体相空位尺寸的自由体积中湮没,湮没寿命τ1为158.4 ps,强度I1关键词:
43Co43Hf7B6Cu1非晶')" href="#">Fe43Co43Hf7B6Cu1非晶
退火处理
正电子湮没寿命
结构与结构缺陷 相似文献
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采用传统的固相反应法,在1400–1500 ℃下烧结,制备得到Al2O3-Y2O3-ZrO2三相复合陶瓷.样品的结构、形貌和电性能分别用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)及介电谱表征.XRD表明此三相复合体系无其他杂相,加入Y2O3及ZrO2后使得Al2O3成瓷温度降低;SEM表明此体系晶粒直径为200–500 nm,并且样品随烧结温度的升高而变得更加致密,晶界更加清晰;介电损耗谱中出现峰值弛豫现象,根据Cole-Cole复阻抗谱得出其为非德拜弛豫.
关键词:
2O3-Y2O3-ZrO2三相陶瓷')" href="#">Al2O3-Y2O3-ZrO2三相陶瓷
介电弛豫
阻抗谱
热导率 相似文献
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利用分子束外延系统在Si (001) 衬底上制备了单晶Tm2O3薄膜, 利用X射线光电子能谱研究了Tm2O3相对于Si的能带偏移. 得出Tm2O3相对于Si的价带和导带偏移分别为3.1 eV± 0.2 eV和1.9 eV± 0.3 eV, 并得出了Tm2O3的禁带宽度为6.1 eV± 0.2 eV. 研究结果表明Tm2O3是一种很有前途的高k栅介质候选材料.
关键词:
2O3')" href="#">Tm2O3
X射线光电子能谱
能带偏移 相似文献
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以Al2(SO4)3·18H2O、尿素为原料,采用水热-热解法制备了球形α-Al2O3粉体。以自制α-Al2O3、Y2O3及CeO2为原料,固相法制备了白光LED用Y2.93Al5O12∶0.07Ce3+黄色荧光粉,通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、X射线能谱(EDS)及荧光光谱(PL)等对产物的物相、形貌及光致发光性能进行了表征。结果表明:水热-热解法制备出了物相纯净、分散性良好的球形α-Al2O3粉体,以该α-Al2O3为原料,合成出可被460 nm蓝光有效激发,发射光谱为峰值在550 nm宽带的Y2.93Al5O12∶0.07Ce3+荧光粉,色坐标为(0.453,0.531 9),采用GSAS软件对Y2.93Al5O12∶0.07Ce3+荧光粉的XRD图进行了Rietveld结构精修,精修图与XRD测试图完全吻合,Y,Al,Ce,O四元素均匀地分布在黄色荧光粉产物中,Y2.93Al5O12∶0.07Ce3+黄色荧光粉的激发光谱由两个部分组成,在340和460 nm处有两个非常明显的吸收峰,Ce3+的4f能级由于自旋-耦合而劈裂为两个光谱支项2F7/2和2F5/2,其中2F5/2为基谱项。340 nm的激发峰对应于2F5/2→5D5/2的跃迁,460 nm的激发峰属于2F7/2→5D3/2的跃迁,并且460 nm处的激发强度强于340 nm处激发强度。以460 nm为监测波长得到的发射光谱,最强发射峰位于550 nm,Y2.93Al5O12∶0.07Ce3+荧光粉是一种适用于白光LED的高性能黄色荧光粉。 相似文献
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本文用中国第一台正电子湮没辐射一维角关联实验装置,测量了非晶锂离子导体B2O-0.7Li2O-0.7LiCl-xAl2O3(x=0.15;0.10;0.05)晶化过程中各条正电子湮没辐射的一维角关联曲线,并对归一化的电子动量分布进行了线形参数的计算,从其S参数同样能推测出该离子导体在晶化过程中缺陷浓度的变化。非晶离子导体B2O3-0.7Li2O-0.7LiCl-xAl2O3的实验结果表明,Al2O3组分不同,对非晶态样品在室温下一维角关联曲线的S参数亦无较大影响。完全晶化后,一维角关联曲线的S参数均有很大下降。在晶化过程最初期,无论Al2O3含量多少,S参数都明显略增;到晶化温度附近,仅对Al2O3含量较多的非晶,S参数反常增高。这些结果验证和补充了测正电子平均寿命得出的结论。由此初步证实了界面层有大量缺陷的物理图象。
关键词: 相似文献