W和Si使基质发光材料NaEu(MoO4)4发光增强的现象

本文研究了基质发光材料Na5Eu(MoO4)4制备过程中加入H2WO4或SiO2后发光增强的现象.对Na5Eu(Mo1-xWxO4)4体系,当0x=0.033时,增强达约30%.对Na5Eu(MoO4)4-SiO2体系,当Si与(Si+Mo)的摩尔数比y在0y=0.028时,增强达约50%.     

Sr和Ba替代对Eu掺杂Ca2.955Si2O7的结构和发光特性的影响研究

利用固相反应法制备了Sr和Ba替代的Ca_2.955-xM_xSi₂O₇: 0.045Eu²⁺ (M= Sr, Ba, x= 0.1-0.5)系列荧光粉, 利用较大离子半径的Sr和Ba元素替代Eu掺杂Ca_2.955-xM_xSi₂O₇ 中的Ca元素,研究Sr和Ba替代对样品结构和发光特性的影响. X射线衍射测试结果表明,少量Sr和Ba替代不会改变基质的晶体结构, 样品仍然为单斜晶系.未替代前, Ca_2.955Si₂O₇: 0.045Eu²⁺ 样品的发射峰在574 nm左右,随着Sr含量的增加,样品的发射峰发生蓝移; 而Ba含量在x= 0.1-0.4时不会引起发射峰位置的移动, 但x= 0.5样品的发射峰发生蓝移.同等含量的Sr和Ba部分替代样品中的Ca元素, Ba替代样品的光谱强度较强.     

ARF4(A=Na,K;R=La,Gd,Y,Lu)中Eu2+的光谱结构及其价态稳定性

Eu2+在ARF4(A=Na,K;R=La,Gd,Y,Lu)中的荧光光谱结构是由特征的d→f跃迁宽带发射和f→f跃迁尖峰发射组成,低温下线/带强度比明显增强;高纯氩气流中合成的样品,Eu2+的价态是稳定的。     

Eu3+在M3La2(BO3)4(M=Ca,Sr,Ba)中的发光性质

本文报导了M3La2(BO3)4:Eu3+(M=Ca,Sr,Ba)磷光体的制备方法及晶体结构。三种磷光体均属正交晶系。研究了Eu3+离子的光谱特征与基质化合物的关系。发现在三种磷光体中,被Eu3+所取代的La3+离子均只有一种格位,且在此格位上不具备反演操作的对称性;Eu3+在Ca3La2(BO3)4:Eu3+中所处格位的局部对称性最低,属C1,C2和Cs中之一种,在M3La2(BO3)4:Eu3+(M=Sr,Ba)中Eu3+所处格位的局部对称性可能为C2v。     

Tb1－xDyxFe2－y-Fe掺杂BaTiO3多层膜中的磁电耦合

用溶胶-凝胶法制备了Fe掺杂BaTiO₃粉体，在1350℃下烧结成圆片状多晶样品，并与Tb_1-xDy_xFe_2-y胶合成磁电(ME)双层膜或三层膜.实验分析表明Fe：BaTiO₃依然是四方相钙钛矿结构，但是居里温度及相变潜热均略低于纯净BaTiO₃.研究了Tb_1-xDy_xFe_2-y-Fe∶BaTiO₃双层膜和Tb_1-xDy_xFe_2-y-Fe∶BaTiO₃-Tb_1-xDy_xFe_2-y三层膜的ME效应.在2.8×10⁴A/m的磁场下，两者的横向ME电压系数均达其峰值，分别为6.225和26.25mV·(A·m^-1)^-1·cm^-1.并且，用掺杂BaTiO₃制备的双层膜和三层膜的横向ME电压系数均为相同条件下用纯净BaTiO₃制备的双层膜和三层膜的横向ME电压系数的1.5倍.另外由于不含铅，锆等有害物质，符合环保要求，因此采用掺杂BaTiO₃制备的磁电效应器件具有深入研究和应用价值.     

同质白色ACEL粉末材料的研究

本文利用在ZnS中同时掺入Cu:Mn=0.25的激活剂,从而制得同质发白光的ACEL粉。其CIE坐标为x=0.343,y=0.385。     

Zn掺杂n型笼合物Ba8Ga16-2xZnxGe30+x的热电传输特性

用高温熔融结合放电等离子烧结法制备了Zn掺杂单相n型Ba₈Ga_16-2xZn_xGe_30+x笼合物，探索了Zn对Ga的取代对其热电传输特性的影响规律.研究结果表明,n型Ba₈Ga_16-2xZn_xGe_30+x化合物的电导率随着x的增加逐渐增     

层状钙钛矿La1.3Sr1.7Mn2-xCuxO7的磁性及电特性

通过固相反应烧结法成功制备了层状钙钛矿La_1.3Sr_1.7Mn_2-xCu_xO₇多晶，主要研究了其磁电特性.结果表明，样品为Sr₃Ti₂O₇型钙钛矿结构.随着温度的降低，其磁性经历了一个很复杂的转变过程.当x=0时，在T^*=231K出现二维短程铁磁有序，在<     

Nd掺杂对Bi4Ti3O12铁电薄膜的微结构和铁电性能的影响

利用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO₂/Si(100)衬底上制备了Nd掺杂Bi₄Ti₃O₁₂(Bi_4-xNd_xTi₃O₁₂, x=0.00,0.30,0.45,0.75,0.85,1.00,1.50)铁电薄膜样品.研究了Nd掺杂对Bi₄Ti₃O₁₂薄膜的微结构和铁电性能的影响.研究结果表明:Nd掺杂未改变Bi₄Ti₃O₁₂薄膜的基本晶体结构.在掺杂量x<0.45时,Nd³⁺只取代类钙钛矿层中的A位Bi³⁺.当x=0.45时,样品剩余极化强度达最大值,在270kV·cm^-1的电场下为32.7μC·cm^-2.掺杂量进一步增加时,结构无序度开始明显增大,Nd³⁺开始进入(Bi₂O₂)²⁺层,削弱其绝缘层和空间电荷库的作用,导致材料剩余极化逐渐下降.当掺杂量x达到1.50时,掺杂离子最终破坏(Bi₂O₂)²⁺层的结构,材料发生铁电-顺电相变.     

Mn2+激活六角铝酸盐CeMgAl11O19-SrAl12O19固溶体的光谱学性质

本文研究(1-x)CeMgAl11O19-xSrAl12O19:Mn2+固溶体光谱学性质。Mn3+在固溶体中的荧光光潜由516nm绿色发射带和630-685nm红色发射带组成。前者归于占据4f格位的四面体Mn2+(g)离子,后者归于位于20格位的八面体Mn2+(r)中心。Mn2+(r)红色发射带随SrAl12O19含量增加而短移,x=0时,为685nm,x=0.8时,短移为630nm。固溶体中Ce3+-Mn2+(g和r)和Mn2+(g)-Mn2+(r)存在能量传递。荧光衰减分析表明,Mn2+(g)-Mn2+(r)能量传递是一种电偶极-电偶极相互作用的直接能量传递。随着固溶体中SrAl12O19含量的增加,Mn2+(g)-Mn2+(r)能量传递几率降低,临界距离R0减小。当x=0.8时,Mn2+(g)-Mn2+(r)传递消失。与之相反,Ce3+-Mn2+(g)能量传递则随SrAl12O19量的增高而加大。当x=0.8时,固溶体0.2CeMgAl11O19-0.8SrAl12O19:Mn2+中Ce2+-Mn2+(g)传递几率仅略低于商用荧光粉CeMgAl11O19中Ce3+-Tb3+传递几率。这类固溶体是有效的绿色发射荧光体。Mn2+格位(4f和2a)的晶场强度10Dq和Racah参数比C/B随SrAl12O19增加而呈减小趋势。本文表明,固溶体结构的镜面层对晶体光谱性质有大的影响。     

基质发光材料Na5Eu(MoO4)4和NaEu(MoO4)2的制备和发光

本文研究了化学计量的基质发光材料Na5Eu(MoO4)4和NaEu(MoO4)2.它们都属于四方晶系,空间群为I41/α .NaEu(Mo04)2属于白钨矿(scheelite)结构,一个晶胞中有2个分子式NaEu(MoO4)2(z=2);而Na5Eu(Mo4O)4属于类自钨矿(scheelite-like)结构,一个晶胞中有4个分子式Na5Eu(MoO4)4(z=4).X射线衍射确定的晶胞常数,对Na5Eu(MoO4)4,α=1.1439nm和c=1.1486nm(密度d计算=4.01g/cm3,z=4);对NaEu(MoO4)2,α=0.5236nm和c=1.1439nm(密度d计算=5.24g/cm3,z=2).由差热法和X射线衍射法确定了Na2MoO4-Eu2(MoO4)3的相图.Na5Eu(MoO4)4分解为NaEu(MoO4)2的温度是700℃.本文确定了制备纯 Na5Eu(MoO4)和NaEu(MoO4)2的方法,并研究了上述两种材料的激发光谱和发光光谱.确定了用X射线粉末衍射谱和发光光谱鉴别Na5Eu(MoO4)4和NaEu(MoO4)2的方法.在365nm紫外光激发下,Na5Eu(MoO4)4的发光比Na5Eu(WO4)4的强得多,在室温下,Na5Eu(MoO4)4,NaEu(MoO4)2和Na5Eu(WO4)4的相对发光积分亮度比为3.8:3.2:1.0.     

Mn4+掺杂对BiFeO3陶瓷微观结构和电学性能的影响研究

利用传统的固相反应法制备了BiFe_1-xMn_xO₃ (x= 0-0.20)陶瓷样品, 研究了不同Mn⁴⁺掺杂量对BiFeO₃陶瓷密度、物相结构、显微形貌、 介电性能和铁电性能的影响.实验结果表明:所制备的BiFe_1-xMn_xO₃ 陶瓷样品的钙钛矿主相均已形成,具有良好的晶体结构, 且在掺杂量x=0.05附近开始出现结构相变.随着Mn⁴⁺添加量的增加, 体系的相结构有从菱方钙钛矿向斜方转变的趋势,且样品电容率大幅度增大, 而介电损耗也略有增加;在测试频率为10⁴ Hz条件下, BiFe_0.85Mn_0.15O₃ (ε_r=1065)的 ε_r是纯BiFeO₃ (ε_r=50.6)的22倍; 掺杂后样品的铁电极化性能均有不同程度的提高,可能是由于Mn⁴⁺稳定性优于 Fe³⁺,高价位Mn⁴⁺进行B位替代改性BiFeO₃陶瓷, 能减少Bi³⁺挥发,抑制Fe³⁺价态波动,从而降低氧空位浓度,减小样品的电导和漏电流.     

Co掺杂对铁磁金属La0.8Sr0.2MnO3磁电阻影响机理

通过对La_0.8Sr_0.2Mn_1-yCo_yO₃(y≤02)饱和磁矩和输运的测量,研究了Co对La_0.8Sr_0.2MnO₃的磁电阻影响机制.结果表明,在La_0.8Sr_0.2Mn_1-yCo_yO₃（y≤02）中Co³⁺离子是低自旋态.由于Mn³⁺—O—Co³⁺—O—Mn³⁺类型的磁交换与Mn³⁺-Mn⁴⁺离子间双交换作用相比较弱,Curie温度T_C附近的磁电阻随着Co掺杂量的增加而降低.与此相反,由于Co²⁺离子与e_g巡游电子的反铁磁交换耦合作用,低温区间的磁电阻随着Co掺杂量的增加而升高.     

Ce2O3·yAl2O3(y=12±4)系光致发光材料的研究

较仔细地研究了Ce2O3·yAl2O3(y=12±4)系光致发光材料,考察了各种(Al3+/Ce3+比值(8～15)、添加不同的助熔剂(H3BO3、CaF2、LiF、BaF2、MgO和这些化合物的某种组合)以及合成荧光粉的反应温度对材料的光致发光性质的影响,测定了在254nm激发下该材料的发射光谱。结果表明,在(Al3+/Ce3+)=10～11时λmax=454nm附近发光强度最高,在化学计量比成分为CeAl11O18的化合物中添加助熔荆,即使烧结温度降低100～200℃,光致发光性质仍有所改善,特别是添加(5m/0 CaF2+5m/o H3BO3)的材料,在1600℃还原性气氛中烧结3小时可获得最佳性能,其发光强度为CaWO4:Pb的121%。确定了该系统荧光粉的晶体结构,这些材料中的主要相为铅铁氧体六方结构,化学计量比成分为CeAl12O19.5,a=5.561,c=21.980,Dx=4.09g/cm3,Z=2。这类材料是在紫外线激发下有效地发射蓝光的荧光粉,其发光性能对原材料纯度不十分敏感,可以用化学纯的原料代替光谱纯。因此,它的成本较低,有可能在荧光灯中获得实际应用。     

锰位铁掺杂La0.67Sr0.33FexMn1-xO3薄膜的光诱导效应

分别采用溶胶-凝胶法和脉冲激光沉积的方法制备了La_067Sr_033Fe_xMn_1-xO₃(x=0, 005, 010, 015)系列块材和薄膜，研究了Fe部分替代对La_067Sr_033Fe_xMn_1-xO₃薄膜     

Mg2+掺杂Zn2SiO4:Mn2+的溶胶-凝胶法合成及真空紫外发光特性研究

采用溶胶-凝胶法（sol-gel method）于不同气氛条件下成功合成了Zn_1.92-xMg_xSiO₄:0.08Mn²⁺（0≤x≤0.12）系列粉末样品.利用X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)谱等分析手段对Zn_1.92-xMg_xSiO₄:0.08Mn²⁺系列     

Measurement of the differential and integral distribution of diffuse x-ray scattering intensity from defects in thin strained layers

Double-and triple-crystal diffractometry have been used to study structural perfection of a ∼1 μm-thick Ga_1−x In_xSb_1−y As_y epitaxial film (x=0.9, y=0.8) on GaSb. It is shown that scattering from samples of this system can be divided into coherent and diffuse. The arrangement of reciprocal-lattice points of the film and substrate in the two-dimensional intensity distribution for asymmetrical reflections argues for the absence of elastic-strain relaxation. No dislocation networks are formed, and the diffuse scattering is produced by Coulomb-type defects. Localization of diffuse scattering in reciprocal space suggests that these defects reside in the epitaxial film. The diffuse-scattering distribution in asymmetrical reflections is shown to be anomalous; namely, it extends in a direction parallel to the surface and is split into two maxima. Schemes have been proposed and realized for measuring integral distributions of diffracted intensity along the surface and perpendicular to it, and their potential for studying diffuse scattering from defects is explored. Fiz. Tverd. Tela (St. Petersburg) 39, 1188–1193 (July 1997)     

P-Ga(1-x)InxAsyP1-y/InP材料的扩散长度测量

用激光扫描和电荧光衰减法测定了液相外延片p-Ga1-xInxAsyP1-y/InP(x=0.74,y=0.61)的少子扩散长度Im,并对这二种测试结果进行了比较,结果符合得很好。从这二种独立的实验结果获得表面复合速率S。S为6-7×104cm/s,扩散长度Lm为1.6～2.2μm。此外对p-Gε1-xInxAsyP1.y与InP衬底间的少数载流子行为进行了讨论。     

混合应变多量子阱有源材料及其增益偏振特性

采用MOCVD外延交替生长了压应变、张应变In_xGa1-xAs_yP1-y多量子阱材料,对应1.3 μm波段.平均应变量-0.16%,周期11 nm.采用三个周期外延材料的芯片制作的LD,实现了TE和TM双偏振模激射.     

Tb0.3Dy0.7－xPrx(Fe0.9Al0.1)1.95合金的磁致伸缩、自旋重取向和穆斯堡尔谱研究

系统研究了室温下Tb_0.3Dy_0.7-xPr_x(Fe_0.9Al_0.1)_1.95 (x=0，0.1，0.2，0.25，0.3，0.35)合金中稀土元素Pr替代Dy对晶体结构、磁致伸缩、各向异性和自旋重取向的影响. 结果发现，x≤0.1时，Tb_0.3Dy_0.7-xPr_x(Fe_0.9Al_0.1)_1.95完全保持MgCl₂立方Laves相结构，0.1<x≤0.3，有杂相出现并且随Pr替代量逐渐增多；晶格常数a随Pr含量x的增加缓慢增大. 磁致伸缩测量发现，随着替代量x的增多磁致伸缩减小；x>0.2时超磁致伸缩效应消失. 然而，x=0.1时合金的磁致伸缩略大于没有替代的，而且磁致伸缩随磁场更易趋于饱和，说明Pr替代有助于降低磁晶各向异性. 内禀磁致伸缩λ₁₁₁随Pr替代量x的增加接近线性增加. 由相对磁化率随温度的变化关系可以看出，自旋重取向温度随Pr替代量的增多呈先增后降趋势，在x=0.1处出现极大值. 穆斯堡尔效应表明，随Pr含量的增加Tb_0.3Dy_0.7-xPr_x(Fe_0.9Al_0.1)_1.95合金中易磁化轴可能在{110}面上绕主对称轴作微小转动，发生自旋重取向. 与Al元素替代效应相比，Pr替代Dy对自旋重取向的影响相对较小.