硫化镉修饰电极的光电化学行为

对半导体电极表面进行修饰,使它能吸收与太阳.光谱相匹配波长范围的光和具有良好电化学活性是光电化学研究领域中的一个课题.     

ZnSe/GaAs/电解液光电化学特性的研究

复合半导体材料用于液结太阳电池的报导已很多，如GaAlAs／GaAs、InGaAs／InAlAs、InGaAs／InP等研究已较为深入m对于Znse／GaAs半导体的研究，目前多集中于它的沉积技术及电致发光等方面的研究，其用于液结太阳电池的研究报导还不多[1-3]．任何一种单一的半导体电极，无论禁带     

等离子体聚合法修饰半导体光电极的研究——聚丙烯腈/n-GaAs,n-GaP电极

用导电聚合物修饰光电化学体系中的半导体电极,对于抑制电极的光腐蚀、改善电极特性及赋予其催化功能有明显的效果.在制备聚合物薄膜的几种方法中,等离子体聚合可得到高度交联、均匀、化学稳定性好的超薄膜,且成膜工序简单,已引起重视并取得初步应用。等离子体聚合法修饰导体电极国内外均有报道,但在修饰半导体电极方面的研究甚少。本文探讨了用这种方法在n-GaAs、n-GaP电极上制备聚丙烯腈(PAN)薄膜,并进行     

cdSexTe1-x薄膜电极光溶解性能的研究

用循环伏安法对半导体Cdse_xTe_1-x薄膜电池的光溶解性能进行了研究。在1mol/L KCl溶液中测量光溶解产物的阴极还原特性,考察了在多硫化钠,多硫化钾及铁氰化钾溶液中的光腐蚀行为。用此方法还研究了薄膜电极表面的光刻蚀过程和pH的影响,并用X射线光电子能谱分析光刻进行不同时间后,电极表面发生的变化。     

半导体电极的平带电位

平带电位(E_(fb))是半导体/电解质溶液体系的重要概念,是半导体电极在平带状态时的电极电位,它是半导体电极特有的可以实验测定的物理量。利用Mott-Schottky曲线以及光电化学等方法可以测定平带电位,判断半导体的类型以及估算半导体的载流子浓度,其数值可用于推测半导体的能级结构,确定半导体材料的价带或导带能级位置。这对于与太阳能开发利用相关的半导体光催化和光电化学研究都是非常重要的。本文分析了半导体电极的能带弯曲及影响因素,首次提出半导体界面层内费米能级弯曲,阐明半导体电极平带电位的物理意义及其测定方法,以帮助初学者理解和应用平带电位。     

半导体共轭聚合物光学探针的设计及在自发光成像和光声成像中的应用

光学成像因其无侵袭性、高时空分辨率和高灵敏度在生物医学领域得到迅速发展.光学成像中自发光成像包括化学发光成像和长余辉成像不需实时光激发,避免了自发荧光的影响,可以得到较高的灵敏度和信噪比.光声成像则是将光信号通过热膨胀转化为声信号,避免了光散射的影响,具有较高的组织穿透深度.本文针对半导体共轭聚合物光学探针在自发光成像和光声成像技术中的应用进行综述,重点介绍了半导体共轭聚合物光学探针用于增强自发光成像、光声成像的信号强度的设计策略,以及响应型光声探针的设计原理.阐述了通过降低光学探针与发光底物之间的能隙等策略增强自发光成像信号强度,通过淬灭荧光或加速热扩散等策略放大光声信号,以及通过特异性生物分子识别或相互作用激活的响应型光声探针的具体研究成果.最后,对半导体共轭聚合物光学探针在光学成像领域存在的挑战和前景进行了展望.     

光催化技术在降解有机染料污染物方面的应用

光催化技术是一种新兴的高效节能现代污水处理技术,本文从半导体光催化技术研究现状、反应机理、反应动力学、光催化技术发展及其存在的问题等方面对半导体光催化技术在降解常见有机染料方面的应用加以综述.     

纳米结构TiO2/3-甲基噻吩和2-噻吩甲酸共聚物复合膜电极光电化学性能

用光电流作用谱、光电流-电势图等光电化学方法研究了ITO/3-甲基噻吩和2-噻吩甲酸共聚物(CTCMT)膜电极和ITO/TiO₂/CTCMT复合膜电极的光电转换性质.结果表明,CTCMT膜为p型半导体,禁带宽度为2.36eV,价带位置为-5.52eV.在ITO/TiO₂/CTCMT复合膜电极中存在p-n异质结,在一定条件下异质结的存在有利于光生电子-空穴对的分离.CTCMT膜修饰ITO/TiO₂电极可使光电流增强,光电流起始波长红移至600nm以上,使宽禁带半导体电极的光电转换效率得到改善.     

半导体纳米微粒在聚合物基体中的复合与组装

总结了有关半导体纳米微粒在聚合物基体中的制备，复合与组装及性能研究等工作，对半导体纳米微粒的尺寸大小，粒度分布，表面修饰，复合过程及组装维数等控制问题进行了讨论。     

光催化降解水中有机污染物研究现状与展望

光催化技术是一种新兴、高效、节能、现代污水处理技术。从半导体光催化技术研究现状、反应机理、常见有机污染物光催化降解的现状、提高半导体光催化剂活性的途径、光催化技术发展中存在问题等方面对半导体光催化技术加以综述和讨论。目前不论从光催化技术、光催化的基础研究以及光催化应用研究方面都需进行大量的、深入研究工作。     

具有独特结构的分子筛

键合染料的新型半导体光电转化电池为克服ＴｉＯ２半导体跃迁能级大，对可见光无吸收的缺点。最近，Ｈｅｉｍｅｒ和Ｇｒａｔｚｅｌ的研究小组将溶胶法沉着于钢－锡氧化物电极表面的ＴｉＯ２薄膜键合上了染料分子。在充有Ｎａｌ水溶液的光电化学电池中，用上述电极作为阳极...     

用半导体高-低结概念对氧化银(Ⅱ)阴极过程所作的一种新解释

在半导体中, 由于掺杂水平的不同, 在同种导电类型的半导体之间会形成一种被称为高-低结的势垒, 也会象p-n结一样表现出一定程度的整流特性。由于这一势垒的存在, 半导体中载流子的运动受到一个附加电场的作用, 它们的运动规律与没有高-低结时相比有所不同, 因此造成这种半导体电性质比较特殊。如带有高-低结的p~+/p-Si光阴极具有良好的光电转换性能~[1], 效率较高。在一些电极反应过程中, 由于反应中间物质的形成也会构成一定程度的高-低结。本文首次将半导体固结的概念引入电化学, 研究了AgO电极的放电过程。用高-低结机理满意地解释了一些现行理论所不能解释的现象。     

光电化学反应的催化

本文主要按照催化剂与半导体电极二者之间所形成的结的性质, 分析了催化剂对电极表面上进行的光电化学反应可能具有的效应。分析结果表明, 催化光电化学反应(光生少数载流子的反应)的前提是催化剂微粒与“半导体/溶液”界面之间有足够强的相互作用, 因而在光照下催化剂粒子中电子系统的费米能级能达到或趋近光生少数载流子的准费米能级。文中并采用带环的可换旋转园盘电极研究了Au、Ir等金属微粒对在n-TiO_2单晶电极上进行的Ce~(3+)—→Ce~(4+)等光电化学反应的催化机理, 证实了上述分析结果。     

石墨烯包裹Cu2+1O/Cu复合材料的制备及其储锂性能

半导体的能级结构和金属-半导体异质结的结构及性质对金属-半导体复合材料的导电性能具有重要影响.优化半导体相的能级结构和金属-半导体接触界面的势垒是增强金属-半导体型复合电极材料导电能力,提高复合电极材料储锂性能的重要途径.采用水热反应-原位热还原法制备石墨烯包覆Cu2+1O/Cu复合材料.根据SEM和XRD研究结果,Cu2+1O(金属过剩型Cu2O)和Cu复合体被均匀包裹在柔性石墨烯层中.充放电结果表明,石墨烯包裹Cu2+1O/Cu复合材料电极具有较高的充放电容量和优异的循环性能,50 mA g-1充放电的首周充电和放电比容量分别为773和438 mA h g-1,60周的容量保持率为84%;同时也具有很好的倍率性能,表明石墨烯包裹Cu2+1O/Cu复合材料具有良好的金属-半导体异质结界面的结构和优异的导电性能.     

CdS敏化对TiO2纳米薄膜电极光生电荷转移特性的影响

1991年Gratzel等[1]以敏化的TiO2纳米薄膜电极组成的液体结光电化学太阳能电池(PEC),其光电转换效率(IPCE)达到10%. 最近,选用固态电解质使这种PEC的IPCE达到33%[2].于是用有机染料[3,4]及窄带隙半导体纳米微粒[5]敏化的电极受到了广泛关注.     

近红外高感光度有机光导体,Y-氧钛酞菁的研究

随着半导体激光(LD)在技术上的不断成熟,其作为激光印字机、图象照排机、数字打样机、以及数字印刷机的扫描光源被广泛应用,开发研制近红外光谱区高感光度的有机光导体成为目前光导体研究的一个前沿。     

锗电极的阳极反应

随着半导体工业的发展,半导体器件在国民经济各个方面得到了日益广泛的应用。目前,表面性质对半导体器件的重要意义已经被肯定了;表面处理方法显著地影响着器件的各种电学参数和器件的稳定性,和这种实用目的有关。近十年来,半导体表面化学和半导体电化学的研究十分活跃,并已有专著问世。半导体工     

3-己基噻吩和2-噻吩甲酸共聚物修饰纳米结构TiO2薄膜电极的光电性能研究

用光电流作用谱、光电流-电势图等光电化学方法研究了铟锡导电玻璃(ITO)/3-己基噻吩和2-噻吩甲酸共聚物(CTCHT)膜电极以及ITO/TiO₂/3-己基噻吩和2-噻吩甲酸共聚物(CTCHT)复合膜电极的光电转换性质. 结果表明, CTCHT膜为p-型半导体, 禁带宽度为2.44 eV, 价带位置为－5.73 eV. 研究表明在ITO/TiO₂/CTCHT复合膜电极中存在p-n异质结, p-n异质结的存在能够使光生电子和空穴有效的分离, 有效地降低了电荷的反向复合几率, 提高了光电转换效率, CTCHT膜修饰ITO/TiO₂电极可使光电流增强, 使宽禁带半导体电极的光电转换效率得到改善.     

3-己基噻吩和2-噻吩甲酸共聚物修饰纳米结构TiO2薄膜电极的光电性能研究

用光电流作用谱、光电流-电势图等光电化学方法研究了铟锡导电玻璃(ITO)/3-己基噻吩和2-噻吩甲酸共聚物(CTCHT)膜电极以及ITO/TiO₂/3-己基噻吩和2-噻吩甲酸共聚物(CTCHT)复合膜电极的光电转换性质. 结果表明, CTCHT膜为p-型半导体, 禁带宽度为2.44 eV, 价带位置为－5.73 eV. 研究表明在ITO/TiO₂/CTCHT复合膜电极中存在p-n异质结, p-n异质结的存在能够使光生电子和空穴有效的分离, 有效地降低了电荷的反向复合几率, 提高了光电转换效率, CTCHT膜修饰ITO/TiO₂电极可使光电流增强, 使宽禁带半导体电极的光电转换效率得到改善.     

半导体纳米晶在生物标记领域的应用

对半导体纳米晶的概念、性质、应用前景进行了概述,详细介绍了以ZnS、ZnSe半导体纳米晶体为代表的由IIB-VI族原子组成的低毒半导体纳米晶的制备、光谱学性质及其当前在生物标记领域的应用.