电活性分子L-B膜修饰CdSe薄膜电极的光电化学研究

用电活性分子——硬脂酸二茂铁酯L-B膜修饰了薄膜CdSe电极,在单色光650nm光照下用循环伏安法研究修饰的薄膜电极的光电化学性能。研究结果指出经多层L-B膜修饰后,薄膜CdSe电极的,I-V性能和光稳定性都有明显改善。用界面能级关系讨论了硬脂酸二茂铁酯L-B膜在光照的CdSe薄膜/Fe(CN)₆^4-溶液界面起传递电荷的中介作用,加速了界面的电荷转移。     

n-CdSe/Fe(CN)64-/3-光阳极上的光氧化竞争反应及用L-B技术修饰电极的影响

用旋转环盘电极研究了还原剂K₄Fe(CN)₆与n-CdSe光阳极上的竞争空穴的氧化反应,证明还原剂捕获光生空穴的途径为直接自价带俘获空穴。又利用L-B技术在n-CdSe电极表面修饰硬脂酸二茂铁酯,结果表明还原剂俘获光生空穴的能力增强,电极的稳定系数提高。     

cdSexTe1-x薄膜电极光溶解性能的研究

用循环伏安法对半导体Cdse_xTe_1-x薄膜电池的光溶解性能进行了研究。在1mol/L KCl溶液中测量光溶解产物的阴极还原特性,考察了在多硫化钠,多硫化钾及铁氰化钾溶液中的光腐蚀行为。用此方法还研究了薄膜电极表面的光刻蚀过程和pH的影响,并用X射线光电子能谱分析光刻进行不同时间后,电极表面发生的变化。     

n-InP在Fe~(3+)/Fe~(2+)溶液中光脉冲暂态行为研究——Ⅲ.运用FFT运算测复收集率图

应用光脉冲技术借助计算机由FFT运算测定了n-InP在Fe~(3+)/Fe~(2+)溶液中复收集率图,结果为一第四象限内半园,由理论模型从园心位置、园半径及特征频率可算出三个动力学参数;研究了电极电位及光强对这些参数的影响,并对结果进行了讨论。     

用表面处理法降低TiO2粉末光活性问题的研究

本工作采用了两种简便的方法即用不同金属盐和金属氧化物对两种晶型(锐钛矿型和金虹石型)TiO₂粉末进行表面处理来降低TiO₂的光活性并对两种表面处理方法的优缺点作了比较,在评价TiO₂光活性时采用异丙醇光氧化反应的方法。实验证明,用金属盐表面处理TiO₂,其光活性有明显降低。用金属氧化物对TiO₂进行表面处理,在氧化物/TiO₂比例适当时也可以得到与金属盐表面处理TiO₂的同样效果。此外,我们还对TiO₂表面处理后能降低其光活性的作用机制问题进行了讨论。     

n-InP在Fe3+/Fe2+溶液中光脉冲暂态行为研究——Ⅲ. 运用FFT运算测复收集率图

应用光脉冲技术借助计算机由FFT运算测定了n-InP在Fe~(3+)/Fe~(2+)溶液中复收集率图, 结果为一第四象限内半园, 由理论模型从园心位置、园半径及特征频率可算出三个动力学参数; 研究了电极电位及光强对这些参数的影响, 并对结果进行了讨论。     

n-InP在Fe~(3+)/Fe~(2+)溶液中光脉冲暂态行为研究

本文应用光脉冲技术研究了电极电位及电流对n-InP在Fe~(3+)/Fe~(2+)溶液中暂态行为的影响。结果表明,响应峰值处的规律与稳态相似,电位及电流对衰减影响可用逆扩散机理来解释,光强变化对衰减无影响。实验中还发现响应衰减过程有过冲现象。最后讨论了光强及电极电位对输出电量的影响。     

n-InP在Fe3+/Fe2+溶液中光脉冲暂态行为研究 Ⅱ.负载电阻及还原态浓度的影响

本文应用光脉冲技术研究了负载电阻及还原态浓度对n-InP在Fe³⁺/Fe²⁺溶液中暂态行为的影响,结果表明,光电流表减呈双指数形式,增大负载电阻,峰值光电流减小,衰减时间常数增大。增大还原态浓度,峰值光电流增大,衰减时间常数减小。     

二茂铁衍生物L-B膜在CdSe/Fe(CN)_6~((3-)/(4-))界面的中介催化作用

测定了CdSe薄膜电极及硬脂酸二茂铁酯L—B膜修饰后在Fe(CN)_6~(3-/4-)溶液中于白光和650nm单色光下的阻抗行为。用计算机非线性曲线拟合求出了等效电路中的元件参数值。进一步计算了CaSe薄膜电极光氧化还原反应速度常数。结果表明,修饰在CdSe薄膜电极上的硬脂酸二茂铁酯L—B膜在光诱发的CdSe/Fe(CN)_6~(3-/4-)界面电荷转移中加速电荷的传递起中介催化作用。     

日本的化学研究近况

东京大学化学系教授兼日本化学学会编辑玉虫义一博士,在美国“科学月刊”第83卷第5号(1956年11月)发表了一篇论文“日本的化学研究和教育”;里面报导了日本化学研究和教育的近况。现就化学研究方面摘译如下: