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制备了5种三氯甲基取代的三嗪类光生酸化合物,其结构经1HNMR、IR等分析确认,分别考察了它们在有机溶剂中的溶解性,通过TG测定确定了其热分解性能,并测定了它们的紫外可见吸收光谱,以及对在405、365 nm光源下的光分解及产酸性能进行了研究.成像实验表明,它们可用于405 nm的成像组成物中. 相似文献
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本文设计合成了含有香豆素光敏基团的单体4-(6-丙烯酰氧基己氧基)苯甲酸-7-羟基香豆素酯(M1)和一种只含液晶基元的单体4-(丙烯酰氧基)己基苯甲酸-4-甲氧基苯酚酯(M2),并将这两种单体进行自由基聚合得到了共聚物.当该聚合物薄膜置于线性偏振紫外光(LPUV)下,会发生轴选择性的光化学反应,利用动态紫外光谱(UV光谱),对所合成的共聚物的光化学性能进行了研究.结果表明:当曝光能量为1740mJ/cm2时,光反应达到饱和,紫外吸光度将不随曝光能量的变化而变化;随着曝光能量的增加,聚合物在反应初期光反应速率比较大,当曝光能量达到500mJ/cm2左右,光反应度已经超过50%;当曝光量达到324mJ/cm2,各向异性ΔA达到最大,ΔAmax=0.039. 相似文献
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本文介绍用理想二极管在磁场增加时电子束截止的方法取代传统的纵向磁聚焦法测量电子的荷质比.用此法可避免由于电子束在阴极射线管的荧光屏上长期聚焦而形成的焦斑.实验采用的原理和仪器比用纵向磁聚焦法简单.测量值接近磁聚焦法. 相似文献
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Nd2O3掺杂对SnO2气敏性质的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
SnO_2是目前应用最广的一种气敏材料。我们曾经报道掺入La_2O_3,CeO_2,Pr_6O_(11),和Nd_2O_3后可使半导体元件的灵敏度提高,尤以对乙醇、乙醚、丙酮为显著。掺Nd_2O_3元件对乙炔的灵敏度也有提高。本文考察了SnO_2粒度和被测气氛的物化性质对掺Nd_2O_3元件灵敏度的影响。SnO_2采用水解SnCl_4法制备,纯度经光谱分析测定合格,试样用标准筛分目。在SnO_2中加1wt%Nd_2O_3(光谱纯)和适量水及甲基纤维素,混磨15分钟。将制成的悬浊液滴在一对铂 相似文献
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合成了一系列的三嗪类光生酸剂1a—1e,确定了它们的结构,并对1e在乙腈溶剂中365和405nm光下的曝光分解产酸性能进行了初步的定量研究.结果表明,在测定浓度范围内分解量子产率和产酸量子产率基本上都不随浓度的变化而变化,在405nm光下比在365nm光下有更高的分解和产酸量子效率.有关这类化合物的光生酸性能与曝光波长的关系正在进一步研究中. 相似文献
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本文采用动态紫外光谱法测试了含有香豆素光敏基团的聚合物薄膜的光化学性能,考察了不同曝光温度和曝光能量条件下的光敏聚合物的光化学性能,以及不同热处理条件下聚合物薄膜诱导液晶分子取向性能。研究结果表明:在曝光温度为130℃时,聚合物薄膜在最小曝光量下发生光化学反应后产生的光学各向异性ΔA达到最大,并且对应光反应程度DP在45%左右;当曝光能量为320mJ/cm~2和384mJ/cm~2、对应热处理温度为160℃时,聚合物薄膜诱导液晶分子取向所产生的各向异性ΔA和有序度参数S达到最大,分别为0.22和0.048。 相似文献
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提出了用X射线荧光光谱法测定铝合金中镁、硅、钛、锰、铁、镍、铜、锌、铅等9种元素。样品0.2000g置于聚四氟乙烯杯中用200g·L~(-1)氢氧化钠溶液5mL溶解后,加硝酸10mL酸化,将溶液移入已盛有4.000g熔剂(四硼酸锂、偏硼酸锂与氟化锂以4.5比1比0.4的质量比混合)的铂金坩埚中,低温蒸干,并加热熔融制成厚度为2.5mm的玻璃状熔片,供X射线荧光光谱法分析用。该方法可适用于不同牌号、不同铸造或锻造热处理状态的铝合金样品分析。按该方法分析了4个标准样品,其测定结果与标准值相吻合。用一个铝合金标准物质(牌号ZLD 108)制备10个样片并测量,各元素相对标准偏差在0.62%~2.7%之间。 相似文献
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