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光电化学刻蚀n+┐Si光致发光①李国铮*张承乾杨秀梅(山东大学化学系济南250100)对PS的光致发光(PL),研究最早见于Canham1990年的报导[1].高孔率的PS样品在室温下发出强的可见光,被认为是二维量子尺寸效应所致.这一解释很难从实验上... 相似文献
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n^+-Si在0.25~1.0%HF溶液中无光照和光照下的伏安曲线均明显地分为三段:在低极化下呈线性关系, 对应于硅的阳极溶解, 形成多孔硅层(PSL); 在中间电位区, 电极部分表面为硅氧化物所覆盖, 阳极溶解和非均匀电抛光过程同时进行; 在高极化区, 全部表面为硅氧化物所覆盖, 发生均匀的电抛光过程。在上述三个区域中由交流阻抗测得的特征电容环和电感应环的变化, 揭示了由单一阳极溶解逐渐转变为均匀抛光过程的一些细节, 定性地说明了n^+-Si上进行的竞争性反应的速率是随电位而改变, 并受光照影响。 相似文献
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n+-Si在HF水溶液中经光电化学刻蚀形成的微米级多孔硅(PS)具有较好的电致发光(EL)性能,其发光光谱的波长范围约在500~800nm之间,阴极EL的波长和强度均随调制电位可逆变化;在酸性溶液中,发光强度较大,光淬灭过程也较中性溶液为慢.与n--Si的结果类似,PS的制备电位也决定性地影响着EL的强度.光淬灭前的伏安行为表明,除S2O2-3和H+还原外,可能还涉及PS表面化合物的转化.对能带图进行了讨论. 相似文献
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n型多孔硅的电发光性能及其XPS和LIMA表征①李国铮*张承乾张强(山东大学化学系,济南250100)(厦门大学化学系,厦门361005)多孔硅(PS)的发光性能与其化学组成和结构的关系已为人们所关注.曾有人认为,发光是由于纳米级多孔硅的量子限制效应... 相似文献
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