渗碳玻璃温度计在强磁场中的温度测量

在3.4—20K温度范围测量了渗碳玻璃湿度计0—7T的磁阻,给出了4.25—20K之间磁场引起电阻的相对变化公式,并对实验结果进行了比较。给出了不同温度下磁场引起的渗碳玻璃温度计的相对误差曲线。     

强磁场下Pt电阻温度传感器的磁致电阻效应研究

以Pt电阻温度传感器(Pt-111)为研究对象,研究了其在0～16T磁场下、4.2～300K温区内的磁致电阻效应.结果表明:Pt-111在0～16T场强、4.2～77K温区内,磁效应随场强的增加和温度的降低而明显升高,77～300K温区内温度计受磁场的影响较小,其中在16T下,4.2K和300K处的磁效应分别为48.2%和1.07%;在4.2-77K温区,Pt-111由磁阻引起的测量误差场强的升高和温度的降低而明显升高,在16T、4.2K处和16T、77K处的温度测量误差分别为18.3K和1.69K.Pt-111不推荐应用在77K以下的磁场环境.     

在磁场下测量2—300K的新型锗温度计

本文报道了一种磁阻变化小,能在磁场环境中测量2—300K温度的新型锗电阻温度计。文中介绍了温度计材料的制备及其电导机理,给出了温度计的磁滞温漂、复现性和电阻温度函数内插特性等的实验结果。     

无序Cu72Y28低温电阻和磁阻中的弱定域化和相互作用

文中介绍了非晶Cu_(72)Y_(78)在温区1.5—30K的电阻和磁阻测量结果,应用磁场高达17kOe。由测量结果可确定弱定域化对电阻温度关系的贡献。如果计及由于相互作用引起的-2~(1/T)项,则高达20K的电阻-温度关系可以很好地被描述。电阻最小值正是由弱定域化和相互作用共同作用的结果。     

青铜法多芯Nb_3Sn(Ti)复合线的超导性能

本文报道了青铜法55×55芯 Nb/Cu-7.4at％Sn-(0.5、0.6)at％Ti复合线的超导性能。导体临界电流密度J_c(青铜十铌)最佳值:Nb/Cu-7.4at％Sn-0.6at％Ti复合线,在4.2K、16T和20T下分别为300A/mm_2和133A/mm_2。Nb/Cu-7.4at％Sn-0.5at％Ti复合线,在4.2K和ZK、20T下分别为119A/mm_2和219A/mm_2。超导转变温度T_c为17.30～17.45K。上临界磁场B_(c2)~*在4.2K和2K下分别为26.0～26.8T和29T。     

渗碳玻璃电阻温度计(CGRT)磁阻的计算

本文给出一组经验公式,非常成功的计算了CGRT的磁阻。在温度范围从4.2至306K,磁场强度从0至19T,磁阻计算的误差小于0.5％,磁阻计算误差造成的温度误差小于0.2％。在磁汤强度从0至8T,温度差小于0.1％。     

Bi系2223相银包套带材在15-77K温度范围的临界电流密度和磁通钉扎

实验测量了具有较高临界电流密度J_c(J_c=1.6×10~4A/cm~2.77K,OT)的Bi系2223相银包套带材在15-77K温度范围内的临界电流密度J_c与温度和磁场的关系,实验结果用热激活磁通蠕动模型予以解释,并求出钉扎势U_0随外磁场的依赖关系,发现在0-1T外磁场范围内,U_0与外磁场H的关系为U_0=0.069H~(-0.08)(eV),其中H的单位为千高斯。     

Ⅱ类超导体Y-Ba-Cu-O的研究

由测量高温超导体Y-Ba-Cu-O低磁场的交流磁化曲线和高强脉冲磁场中的R-H关系,得到该体系的H_(c_1)(T)和H_(c_2)(T)。实验给出H_(c_)(77K)=115G,dH_(c_2)/dT|T_c=2.2T/K,并由此而得出H_(c_1)(0)=525G,H_(c_2)(0)=135T,H_c(0)=1.63T,k=54.7,ξ(0)=15.6A,λ(0)=855A。这些结果说明Y-Ba-Cu-O是一种典型的H类超导体。     

原子尺度控制钙钛矿氧化物薄膜的异质外延生长和特性研究

用激光分子束外延,原子尺度控制的外延生长出多种钙钛矿氧化物异质结.X射线衍射和原子力显微镜测量结果表明,在Si基底上生长的SrTiO3和LaAlO3薄膜具有很好的外延结构和取向,其表面达到原子尺度的光滑.YBCO/SrNb0.01Ti0.99O3、La0.9Sr0.1MnO3/SrNb0.01Ti0.99O3(LSMO/SNTO)等异质结,均观测到较好的p-n结I-V特性.首次观测到钙钛矿结构氧化物p-n结电流的磁调制和正巨磁电阻效应,在255K条件下,当外加磁场分别为5×10-4T、1×10-3T、1×10-2T和0.1T时,LSMO/SNTO p-n结的磁电阻变化率ΔR/R0达到:46.7%、59.7%、70.5%和83.4%;当外加磁场为3T时,在100K条件下,在LSMO/SNTO多层p-n异质结上观测465%的正磁电阻变化率.     

炭电阻低温温度计(Ⅳ)

本文报道了炭电阻低温温度计批量性元件低温性能实验结果:低温稳定性、低温复现性、电阻-温度关系式等.并给出0—5.4T,小于4.2K 和0—10T、4.2K 的磁致电阻曲线.     

一种标定低温温度计的磁场关系的新方法

本文报道一种新的精确测定低温温度计的磁场关系的方法，即以准一维化合物（Ta1-xNbx）S3作为强磁场下的温度基准，测定电阻温度计的磁阻，利用该方法测定了Lake Shore Cryotronics出品的Cernox^TM温度计的相对磁阻系数α（T），结果与其它小组报道的相一致。     

较高杂质浓度磁性合金负磁阻的关联对模型

本文讨论在有外加磁场情况下,较高杂质浓度磁性合金中传导电子与关联对散射引起的电阻及磁阻随温度和磁场的变化,得到了Rohrer关于合金AuFe磁阻随杂质浓度变化的经验公式。 关键词：     

La2/3Ca1/3MnO3薄膜自旋输运特性研究

本文通过射频磁控溅射法制备了La2/3Ca1/3MnO3(LCMO)薄膜.该薄膜在接近峰值电阻温度Tp(Tp=308K)发生铁磁金属相-顺磁绝缘体相相变.磁场的作用下,电阻温度曲线较无磁场时发生右移,而且Tp点也向高温移动,(H=0.5T时,Tp≈314K;H=1.0T时,Tp≈318K);1T磁场所产生最大的磁电阻值为34%.激光作用下,电阻温度曲线向左移动,Tp变为300K,其最大的光致电阻变化相对值为43.5%.能带理论定性分析表明产生这一不同现象主要是由于eg电子的不同状态引起的.     

Mo掺杂La_(0.7)Ca_(0.2)Ba_(0.1)Mn_(1-x)Mo_xO_3体系的磁电性质

本文采用固相反应法制备了高价态离子Mo掺杂的La0.7Ca0.2Ba0.1Mn1-xMoxO3(x=0,0.01,…,0.06)多晶样品,研究了Mo掺杂对样品的结构、磁性和磁电阻的影响.X射线衍射谱证实所有样品均为具有正交对称性的钙钛矿结构.零场冷却(ZFC)和加场冷却(FCH=0.01T)下其磁化～温度(M～T)曲线的测量表明样品随温度降低发生了从顺磁(PM)到铁磁(FM)的相变,T相似文献   

能产生15T磁场的多芯Nb_3Sn导体的冶金与超导性能

本文报道了导体的冶金与超导性能。导体的临界电流密度J_c(4.2K)达到9.0 ×10_4A/cm_2(10T)、5.8×10~4A/cm_2(12T)、1.7×10_4A/Cm_2(16T);上临界磁场H_(c2)~*(外推)为～22T(4.2K);超导转变温度T_c在17.5—17.9K范围;在室温弯曲直径大于或等于100倍线材导体直径时,J_c无退降。使用先绕制后扩散反应的方法成功地制作出了多芯Nb_3Sn螺管超导磁体,此超导磁体在12.8T的背场下,总场达到15.2T。本研究结果意味着,采用这种导体制作15T的实用高场超导磁体是可能的。     

强磁场下锗电阻温度传感器的磁致电阻效应研究

以锗温度传感器GR-1400-AA为研究对象,研究了其在0～16 T磁场下、2～100K温区内的磁致电阻效应。结果表明:在2～20K温区,GR-1400-AA磁效应随温度的升高急剧降低,且场强越高磁效应的变化率越大;在20～100K温区,磁效应随温度的升高趋于平缓;GR-1400-AA磁效应随场强的升高而升高,且温度越低,磁效应的变化率越高,2.1K、16T处的磁效应为2120.3%;GR-1400-AA由磁阻引起的测量温差随温度的升高而升高,随场强的增大而增大,且全为负温差,在6K、2T处和16T、100K处的测量温差分别为-0.24K、-60.4K。不推荐应用在磁场环境下。     

La0.95K0.05MnO3的低频内耗研究

本文研究了样品La0.95K0.05MnO3的内耗、直流电阻、交流磁化率.发现在20～275K的温度范围内,在0.3T的磁场下有明显的磁阻(MR)效应,温度为259K时MR效应达到极大值26%.在直流电阻测量中发现267K时出现很尖锐的电阻峰;在220K附近出现"肩峰".内耗温度曲线在210K～250K的温度范围有一个很宽的内耗峰;在268K有一个很明显的内耗蜂同时伴随着模量软化,并且由Kissinger关系求出顺磁-铁磁转变的表观激活能Eap=0.53eV(请说明通过什么公式求出什么东西的活化能).     

Al_xGa_(1-x)As/GaAs 异质结界面上二维电子气量子霍耳效应的测量

我们利用分子束外延技术生长的 Al_xGa_(1-x)As/GaAs 调制掺杂异质结材料做成霍耳测量样品,在 T=2K 的温度下及 B=4～5T 的磁场中进行了测量,得到 i=2时的量子霍耳电阻 R_H=12906.4±0.1Ω,总误差小于8ppm.     

高均匀度超导磁体的最佳设计(I)——六次体积最小线圈

在高均匀度超导磁体的设计中,如果充分利用中外层超导绕组的载流潜力,就可能节省绕组材料费.本文提出,磁体由两个具有不同电流密度的同轴六次线圈组成,合理地选择内外绕组对磁场的贡献比例,就能大幅度地节省绕组线材费.结果表明,在最佳设计条件下,当外绕组和内绕组的单位体积的费用比R=c_2/c_1=1时,超导材料费可节省40％,R=1/2时,可节省62％,R=1/3时,可节省66％.     

NbTi/Cu超导线最佳临界电流密度的研究

本文全面地研究了在冷加工和热处理多次交替进行中时效温度、时效时间、时效次数、次数分配、最后一次时效后最终冷变形量等对NbTi/Cu多芯复合线J_c的影响.以上各因素的适当地调整和匹配是获得最佳J_c的关键.选用适宜的各种因素的试验结果得到了最佳J_c=4.0×10~5A/cm~2(4.2K,5T).小批量试制的线材的J_c为2.5—3.0×10~5A/cm~2(4.2K、5T).