低温强磁场下Si MOS反型层输运特性的研究

制备了4.2K下电子迁移率达1～2×10~4cm~2/v·sec的MOS反型层,在强磁场下观察到二维电子系统的一系列典型物理现象:SdH振荡及量子霍尔效应.     

問題解答

問:上大下小的容器中,液體的重量大於它對器底的壓力,上小下大的容器中,液體的重量小於它對器底的壓力,这個現象應當如何解釋? 答:這個問題的答案是很容易料想到的。由於整個液體的重量必須都是由容器承担着的,那也就是說,液體加在容器各處的力總加起來必然是一個豎直向下的力,數值等於液重,那麽當液重和液體加於器底的壓力不等時,我們可以料想到,其間的差别一定是由於液體還對於容器壁加有一定的力。以上大下小的容器為例(圖1),液體加於器底的壓力既然小於     

二维电子系统

一、半导体界面上的二维电子系统 五十年代末和六十年代初,硅半导体器件的制造工艺有了很大的突破,制成了金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET),其结构见图1.它用p型硅做衬底,表面上生长一层SiO2,其上有铝栅极G.两个重掺杂的n+区分别是源极S及漏极D.如果栅极加上较大的正电压Vg,硅表面附近会积累大量电子,形成与体内导电类型相反的反型层,成为源极及漏极间的导电沟道.反型层中的电子面密度N与栅极电压Vg间呈线性关系:其中Co为单位面积的氧化物电容,Vt为阈电压,e为电子电荷. 如果与半导体界面垂直的电场很强,反型层中的电子被限制…     

必须努力学习,才能做好教学工作

我是1950年由北京大學物理系畢業的,從1952年的秋季開始在北京地質學院担任普通物理的教學工作。北京地質學院是院系調整後,在全面學習蘇聯先進教學經驗的基礎上建立起來的。普通物理課用的就是哈尔滨工業大學杜柏夫編著的物理學教程。     

在4℃时水的密度为什麽最大?

答:水和大多数其它物质不同:当温度降低时,大多数物质的密度不断地变大,但水的密度却以在4℃时最大,无论温度高于或低于4℃时,它的密度都要比较小一些。一般物质,当温度升高时体积变大密度变小的原因,可以用分子运动学说来解释。就是:因为当温度升高的时候,随着分子热运动的剧烈化,分子间的平均距离变大了。     

Al_xGa_(1-x)As/GaAs 异质结界面上二维电子气量子霍耳效应的测量

我们利用分子束外延技术生长的 Al_xGa_(1-x)As/GaAs 调制掺杂异质结材料做成霍耳测量样品,在 T=2K 的温度下及 B=4～5T 的磁场中进行了测量,得到 i=2时的量子霍耳电阻 R_H=12906.4±0.1Ω,总误差小于8ppm.