首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     检索      

强磁场下锗电阻温度传感器的磁致电阻效应研究
引用本文:孟秋敏,欧阳峥嵘,石磊,李洪强.强磁场下锗电阻温度传感器的磁致电阻效应研究[J].低温与超导,2013,41(9).
作者姓名:孟秋敏  欧阳峥嵘  石磊  李洪强
作者单位:中国科学院强磁场科学中心,合肥,230031
基金项目:合肥物质科学研究院知识创新工程领域前沿项目
摘    要:以锗温度传感器GR-1400-AA为研究对象,研究了其在0~16 T磁场下、2~100K温区内的磁致电阻效应。结果表明:在2~20K温区,GR-1400-AA磁效应随温度的升高急剧降低,且场强越高磁效应的变化率越大;在20~100K温区,磁效应随温度的升高趋于平缓;GR-1400-AA磁效应随场强的升高而升高,且温度越低,磁效应的变化率越高,2.1K、16T处的磁效应为2120.3%;GR-1400-AA由磁阻引起的测量温差随温度的升高而升高,随场强的增大而增大,且全为负温差,在6K、2T处和16T、100K处的测量温差分别为-0.24K、-60.4K。不推荐应用在磁场环境下。

关 键 词:锗温度传感器  强磁场  变温  磁致电阻效应

Magnetoresistance of Germanium thermometer in high magnetic fields
Meng Qiumin , Ouyang Zhengrong , Shi Lei , Li Hongqiang.Magnetoresistance of Germanium thermometer in high magnetic fields[J].Cryogenics and Superconductivity,2013,41(9).
Authors:Meng Qiumin  Ouyang Zhengrong  Shi Lei  Li Hongqiang
Abstract:
Keywords:Germanium thermometer  High magnetic fields  Variable temperature  Magnetoresistance
本文献已被 万方数据 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号