单甲氧基聚乙二醇-聚(己内酯-co-丙交酯)嵌段共聚物的NMR表征

利用溶液¹³C NMR和HMBC实验对AB型两亲性嵌段共聚物单甲氧基聚乙二醇－聚（己内酯-co-丙交酯）[MeOPEG-P(Cap-co-LL)]的嵌段结构以及聚（己内酯-co-丙交酯）[P(Cap-co-LL)]嵌段中Cap和LL的无规结构进行了表征. 研究发现,P(Cap-co-LL)中Cap、LL的组成对P(Cap-co-LL)的无规度、Cap和LL的酯交换程度以及不同组分的平均链长均有影响. 对LL中立体结构不同所产生的酯交换也进行了表征.     

PEO-PPO-PEO嵌段共聚物的NMR研究进展

PEO-PPO-PEO嵌段共聚物是重要的非离子型高分子表面活性剂,在药物载体和基因治疗等领域有着广阔的应用前景. 核磁共振(NMR)作为重要的研究手段,在研究PEO-PPO-PEO嵌段共聚物胶团及液晶结构形成,揭示嵌段共聚物与各种添加剂或药物分子的相互作用机理,有着独特的优势. 本文重点介绍了¹H、¹³C和²H NMR波谱以及NMR弛豫时间和自扩散NMR等技术在研究PEO-PPO-PEO嵌段共聚物体系中的应用. 简要介绍了NMR技术在PEO-PPO-PEO 嵌段共聚物聚集、调控以及作为药物载体等方面的研究现状.     

两亲性嵌段聚合物的同步辐射小角x射线散射研究

应用同步辐射小角x射线散射(SAXS)方法研究了不同聚合条件下苯乙烯对乙烯基苯甲酸两亲性嵌段聚合物的聚集行为,结果发现该聚合物在选择性溶液中自组装形成胶束.胶束的形态和结构取决于嵌段聚合物的组成、浓度以及溶剂的性质等因素 关键词： 小角x射线散射 两亲性嵌段聚合物 分形维数 粒径     

甲基丙烯酸甲酯-丙烯酸乙酯辐射共聚物的NMR研究

用¹H NMR,¹³C NMR,DEPT,gHMBC 和gHSQC 等一维、二维谱研究了γ 射线辐射引发聚合的甲基丙烯酸甲酯(MMA)与丙烯酸乙酯(EA)共聚物的微观化学结构并作了归属．结果表明二种单体的聚合转化率都较高,共聚物中MMA含量略多一些．由羰基碳的共振信号测得的共聚物中单体链节的三元组含量表明,在共聚物主链结构以嵌段分布为主,这是由于MMA与EA的竟聚率差异所致．     

一种侧链共轭噻吩共聚物增强的三阶非线性光学特性

侧链共轭的聚噻吩衍生物具有拓宽的共轭程度,有望成为一类性能优良的三阶非线性光学材料.合成了一种侧链共轭的噻吩共聚物:聚 -噻吩(POTVTh-Th),该聚合物与其均聚物相比,吸收光谱发生了明显的红移,禁带宽度为1.72eV.采用Z扫描技术在800nm下用飞秒激光器研究了该聚合物溶液和薄膜的三阶非线性光学特性,结果表明该共聚物四氢呋喃溶液中的三阶非线性极化率为8.84×10^-10esu,聚合物薄膜的三阶非线性极化率为7.25×10^-9esu,分别是其 关键词： 侧链共轭 噻吩共聚物 三阶非线性极化率 非线性吸收     

六聚吡咯/丝组缀合物结构的NMR和 ESI-MS/MS表征

利用片断合成法合成了具有DNA切割能力的六聚吡咯/丝组缀合物, 检测了该化合物的¹H、¹³C NMR 和ESI-MS/ MS 图谱, 确证了该化合物的结构, 通过¹H-¹H COSY, HSQC,HMBC等2D NMR 技术对其¹H 和¹³C NMR 数据进行了归属和解析, 并探讨了其ESI-MS/ MS 质谱裂解规律.     

苄醚树枝体与丙烯酸杂化嵌段共聚物的NMR表征

在ARX-500型谱仪上记录了新合成苄醚树枝体与丙烯酸杂化嵌段共聚物的一维¹H谱、一维¹³C谱和二维异核多量子化学位移相关谱(HMQC).根据NMR谱模拟和NMR实验,得到了该共聚物¹H和¹³C的全归属。     

一种侧链共轭聚噻吩衍生物薄膜的三阶非线性光学响应

合成了一种侧链共轭的聚噻吩衍生物聚3-（5′辛基-噻吩乙烯基）噻吩（POTVTh）,并通过溶液旋涂制备了聚合物薄膜.吸收光谱显示该聚合物薄膜具有较小的禁带宽度和宽的光谱响应.采用Z扫描技术在800 nm下用飞秒激光器研究了该聚合物薄膜的三阶非线性光学特性,非线性吸收系数为5.63×10^-7cm/W,非线性折射率为-6.38×10^-11 cm²/W,三阶非线性极化率为4.21×10^-9esu,比侧链未共轭的 关键词： 聚噻吩衍生物 侧链共轭 三阶非线性极化率 非线性折射率     

聚3-己基噻吩-b-聚十六烷氧基联烯嵌段聚合物的制备及其场效应性能

以溴代十六烷、丙炔醇为原料通过取代反应、还原重排反应制备了十六烷氧基联烯,然后以氯化(三环己基膦)镍作为催化剂,通过控制加料顺序一锅制备了聚3-己基噻吩-b-聚十六烷氧基联烯的嵌段聚合物。通过核磁共振氢谱和体积排除色谱对产物进行了表征和确证。对聚3-己基噻吩-b-聚十六烷氧基联烯嵌段聚合物的热学性能、光学性能及电学性能进行了研究。差示扫描量热法和热重分析结果表明,嵌段共聚物具有两个玻璃化转变温度及两个热分解温度,说明其具有明显相分离。以嵌段共聚物为半导体活性材料,制备了场效应晶体管器件。使用热退火对器件进行热处理,发现迁移率随退火温度的上升而提高。器件在200℃退火温度下的平均迁移率为7.03×10~(-4)cm~2·V~(-1)·s~(-1),最大迁移率为1.3×10~(-3)cm~2·V~(-1)·s~(-1),阈值电压为5.44 V。     

聚氰丙基甲基硅氧烷-聚脲嵌段共聚物的NMR表征及研究

用高分辨NMR对聚甲基硅氧烷-聚脲嵌段共聚物以及聚氰丙基甲基硅氧烷-聚脲嵌段共聚物结构进行表征,对NH形成的各种氢键进行详细的研究,同时观察了氢键在力学性能中的作用,结果发现氢键强烈地影响着力学性能。用固体¹H宽线研究这类材料的相分离状况,并总结影响相分离的因素。保持硬段含量不变,增加软段分子量使相分离程度增加;保持软段分子量不变,增加硬段含量使相分离程度降低。软、硬段之间的相互作用(如氢键)使相分离程度降低。     

ZrN-ZrB2纳米复合材料的高压制备及性能表征

 以金属锆粉（Zr）和六方氮化硼粉（h-BN）为原料,结合高能球磨和高温高压合成技术,制备出了ZrN-ZrB₂纳米复合材料。利用X射线衍射、透射电镜和拉曼光谱等测试手段,对材料的结构和合成规律进行了研究。结果表明,高能球磨过程中只合成出了ZrN_x,没有出现ZrB₂,从N、B原子与Zr进行固态反应的热力学和动力学方面分析了原因。利用Zr与BN粉球磨10 h后的混料,在压力为5 GPa、温度为1 300 ℃的条件下,制备出了具有高致密度的ZrN-ZrB₂纳米复合材料。其维氏显微硬度（17 GPa）、热膨胀系数（7.57×10^-6 ℃^-1）和电阻率-温度系数（8.846×10^-4 ℃^-1）等材料参数的测量结果表明,ZrN-ZrB₂复合材料是一种集优良的力学、热学和电学性能于一体的纳米复合材料。     

高压下FexN化合物的相分解

 本文研究了室温下压力对Fe_xN化合物相分解的影响。X射线衍射分析表明，高压促使氮原子从Fe_xN化合物的晶格中脱溶出来，引起相分解，形成母相与α-Fe。这种相分解现象随压力增大而加强。通过分析不同压力下母相Fe_xN与α-Fe的相对含量，研究了氮从Fe_xN中脱溶的动力学过程，并计算出激活体积。对于Fe₃N和Fe₄N化合物，其激活体积分别为2.24×10^-5 m³/mol和1.62×10^-5 m³/mol。本实验还指出，通过对Fe_xN化合物的高压处理以及适当条件下退火，可以获得Fe₁₆N₂化合物。     

Cu100-xZrx金属玻璃压缩率及压力感生晶化现象

 本文采用金刚石对顶压砧高压装置和高压X射线技术测定了两种金属玻璃线压缩率曲线；得到Cu₃₀Zr₇₀和Cu₂₅Zr₇₅的线压缩率分别为2.7×10^-3 GPa^-1和2.3×10^-3 GPa^-1，实验最高压力超过30 GPa。实验过程中首次观察到Cu-Zr金属玻璃在室温下加压发生晶化的现象。     

凝聚炸药中超压爆轰的实验研究

 采用飞片碰撞技术，在TNT/RDX（40/60）炸药中获得了2.5倍于正常爆轰的最大超压值，得到了超压爆轰下爆轰产物物态方程p=Aρ^{k+A₁(p-p_J)}（p－爆压，单位GPa，ρ－密度，单位kg/m³，A=ρ_J/ρ^k_J，p_J=27.06 GPa，ρ_J=2.3×10³ kg/m³，k=2.77，A₁=2.7×10^-3 GPa^-1，下表J代表正常爆轰状态）。该方程还可以较好地描述超压爆轰产物的二次冲击状态。     

三硝基甲苯起爆机理实验研究

 用单脉冲化学激波管实验方法,使用自由基清扫剂和对比速率,测定了邻位和对位硝基甲苯在高温下,裂解瞬间（500 μs） 的化学反应机理,并测定了化学反应速率常数。作为邻位硝基甲苯的同分异构体,对位硝基甲苯的主要裂解通道与其不同。通过实验发现了邻位硝基甲苯的裂解重要通道,测到它的产1氧-2氮-3,4-环丁二稀基异嚙唑（Anthranil） 在瞬间随温度变化生成和很快消失的过程。由此,测得这一化学性质极不稳定的产物的消失速率常数为：k(Anthranil)＝3.7×10¹⁵·exp(－25 800/T) s^-1。分析这一过程的机理,认为第一步是硝基甲苯的裂解,第二步是Anthranil的生成,第三步是Anthranil中的N－O键的断裂。     

Physical Explanation on Designing Three Axes as Different Resolution Indexes from GRACE Satellite-Borne Accelerometer

The GRACE Earth＇s gravitational field complete up to degree and order 120 is recovered based on the same and different three-axis resolution indexes from satellite-borne accelerometer using the improved energy conservation principle. The results show that designing XA1（2） as low-sensitivity axis （3 × 10^-9 m/s^2） of accelerometer and designing YA1（2） and ZA1（2） as high-sensitivity axes （3 × 10^-10 m/s^2） are reasonable. The physical reason why the resolution of XA1（2） is one order of magnitude lower than YA1（2） and ZA1（2） is that non-conservative forces acting on GRACE satellites are mainly decomposed into YA1（2） and ZA1（2） in the orbital plane. Since XA1（2） is not orthogonal accurately to orbital plane during the development of accelerometer, the measurement of XA1（2） can not be thrown off entirely, but be reduced properly.     

In-Situ High Pressure Raman Spectrum and Electrical Property of PbMoO4

In-situ high pressure Raman spectra and electrical conductivity measurements of scheelite-structure compound PbMoO4 are presented. The Raman spectrum of PbMoO4 is determined up to 26.5 GPa on a powdered sample in a diamond anvil cell （DAC） under nonhydrostatic conditions. The PbMoO4 gradully experiences the trans- formation from the crystal to amorphous between 9.2 and 12.5 GPa. The crystal to amorphous transition may be due to the mechanical deformation and the crystalographic transformation. Furthermore, the electrical conductivity of PbMoO4 is in situ measured accurately using a microcircuit fabricated on a DAC based on the van der Pauw method. The results show that the electrical conductivity of PbMoO4 increases with increases of pressure and temperature. At 26.5 GPa, the electrical conductivity value of PbMoO4 at 295K is 1.93 - 10-4 S/cm, while it raises by one order of magnitude at 430K and reached 3.33 - 10-3 S/cm. However, at 430K, compared with the electrical conductivity value of PbMoO4 at 26.5 GPa, it drops by about two order magnitude at 7.4 GPa and achieves 2.81 × 10^-5 S/cm. This indicates that the effect of pressure on the electrical conductivity of PbMoO4 is more obvious than that of temperature.     

Atomic Diffusion in Cu/Si （111） and Cu/SiO2/Si （111） Systems by Neutral Cluster Beam Deposition

The Cu films are deposited on two kinds of p-type Si （111） substrates by ionized duster beam （ICB） technique. The interface reaction and atomic diffusion of Cu/Si （111） and Cu/SiO2/Si （111） systems are studied at different annealing temperatures by x-ray diffraction （XRD） and Rutherford backscattering spectrometry （RBS）. Some significant results are obtained： For the Cu/Si （111） samples prepared by neutral dusters, the interdiffusion of Cu and Si atoms occurs when annealed at 230℃. The diffusion coefficients of the samples annealed at 230℃ and 500℃ are 8.5 ×10^-15 cm^2.s^-1 and 3.0 ×10^-14 cm^2.s^-1, respectively. The formation of the copper-silicide phase is observed by XRD, and its intensity becomes stronger with the increase of annealing temperature. For the Cu/SiO2//Si （111） samples prepared by neutral dusters, the interdiffusion of Cu and Si atoms occurs and copper silicides are formed when annealed at 450℃. The diffusion coefficients of Cu in Si are calculated to be 6.0 ×10^-16 cm^2.s^-1 at 450℃, due to the fact that the existence of the SiO2 layer suppresses the interdiffusion of Cu and Si.     

Comment on `Electronic Properties of Red P-Type Tl2S5 Single Crystals'

Recently, Gamal et al. [Chin. Phys. Lett. 22 (2005) 1530] reported the results of electrical conductivity, Hall effect and thermoelectric measurements on p-type Tl₂S₅ single crystals. From the experimental data for the temperature dependence of differential thermoelectric power, Gamal et al. determined thevalues of 2.66×10^-41kg and 2.50×10^-41kg, respectively, for the effective masses of electrons and holes in p-type Tl₂S₅, which are about ten orders of magnitude smaller than the free electron mass (9.11×10^-31kg). We argue that the anomalously small values obtained for the effective mass of chargecarriers in Tl₂S₅ have no physical significance.     

Large Storage Window in a-SiNx/nc-Si/a-SiNx Sandwiched Structure for Nanocrystalline Silicon Floating Gate Memory Application

An a-SiNx/nanocrystalline silicon [（nc-Si）/a-SiNx] sandwiched structure is fabricated in a plasma enhanced chemical vapour deposition （PECVD） system at low temperature （250℃）. The nc-Si layer is fabricated from a hydrogen-diluted silane mixture gas by using a layer-by-layer deposition technique. Atom force microscopy measurement shows that the density of nc-Si is about 2 ×10^11 cm^-2. By the pretreatment of plasma nitridation, low density of interface states and high-quality interface between the Si substrate and a-SiNs insulator layer are obtained. The density of interface state at the midgap is calculated to be 1 ×10^10 cm^-2eV^-1 from the quasistatic and high frequency C - V data. The charging and discharging property of nc-Si quantum dots is studied by capacitance-voltage （C- V） measurement at room temperature. An ultra-large hysteresis is observed in the C - V characteristics, which is attributed to storage of the electrons and holes into the nc-Si dots. The long-term charge-loss process is studied and ascribed to low density of interface states at SiNx/Si substrate.