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1.
Ray effects are an inherent problem of the discrete ordinates method. RAY3 D, a functional module of ARES, which is a discrete ordinates code system, employs a semi-analytic first collision source method to mitigate ray effects. This method decomposes the flux into uncollided and collided components, and then calculates them with an analytical method and discrete ordinates method respectively. In this article, RAY3 D is validated by the Kobayashi benchmarks and applied to the neutron beamline shielding problem of China Spallation Neutron Source(CSNS)target station. The numerical results of the Kobayashi benchmarks indicate that the solutions of DONTRAN3 D with RAY3 D agree well with the Monte Carlo solutions. The dose rate at the end of the neutron beamline is less than10.83 μSv/h in the CSNS target station neutron beamline shutter model. RAY3 D can effectively mitigate the ray effects and obtain relatively reasonable results.  相似文献   
2.
徐鬻  曹博  黄美 《力学季刊》2011,(3):435-439
本文提出一种平板弯曲问题的数值方法—混合边界粒子法.该方法无需事先进行形状函数假设,直接从平板弯曲问题的基本微分方程出发,通过在局部区域内将微分方程转化为积分方程并利用数值积分,得到指定点的离散解.通过选择合理的指定点途径,最终使得任意指定点的数值可以用边界点上的未知量表达,从而大幅度减少了未知量的个数和系数的计算时间...  相似文献   
3.
The Cu films are deposited on two kinds of p-type Si (111) substrates by ionized duster beam (ICB) technique. The interface reaction and atomic diffusion of Cu/Si (111) and Cu/SiO2/Si (111) systems are studied at different annealing temperatures by x-ray diffraction (XRD) and Rutherford backscattering spectrometry (RBS). Some significant results are obtained: For the Cu/Si (111) samples prepared by neutral dusters, the interdiffusion of Cu and Si atoms occurs when annealed at 230℃. The diffusion coefficients of the samples annealed at 230℃ and 500℃ are 8.5 ×10^-15 cm^2.s^-1 and 3.0 ×10^-14 cm^2.s^-1, respectively. The formation of the copper-silicide phase is observed by XRD, and its intensity becomes stronger with the increase of annealing temperature. For the Cu/SiO2//Si (111) samples prepared by neutral dusters, the interdiffusion of Cu and Si atoms occurs and copper silicides are formed when annealed at 450℃. The diffusion coefficients of Cu in Si are calculated to be 6.0 ×10^-16 cm^2.s^-1 at 450℃, due to the fact that the existence of the SiO2 layer suppresses the interdiffusion of Cu and Si.  相似文献   
4.
霍英东  曹博  于斌  陈丹妮  牛憨笨 《物理学报》2015,64(2):28701-028701
基于单分子定位的荧光纳米分辨显微成像中, 系统漂移会使得单分子定位出现额外偏差, 从而使重构图像的分辨率降低, 造成图像模糊. 因此, 对系统漂移量的控制至关重要. 近年来, 防漂移的方法层出不穷. 本文针对其中一种利用光学测量原理和引入负反馈的防漂移方法做了系统的研究, 分析了其原理和实现过程, 对整个系统进行了误差分析, 通过实验标定了整个防漂移系统的精度. 该系统可以主动实时地校正漂移量, 实现了显微镜轴向9.93 nm的防漂移精度. 与现有商用的显微镜自带的防漂移装置相比, 防漂移精度提高了一个量级.  相似文献   
5.
车载抬头显示系统是使驾驶员在不移动驾驶视线的情况下就能读取车辆重要信息的装置,它有助于提高驾驶员对信息的读取速度、降低驾驶疲劳、提高驾驶安全性。本文结合国内外学者的研究,针对已上市HUD显示内容格式、布置方式、辨识度、实时性等方面的问题,提出了用彩色符号、分区域、亮度可调、人机交互的显示设计原则。以问卷调查分析结果和信息的重要程度为依据,以CAN总线技术、微处理器控制技术为基础,设计了一套HUD显示系统。结果表明采用分区显示的方法辨识度高、对驾驶员视线影响较小,有助于提高信息的易读性;对显示实时性进行测试表明该装置实时性强,有效提高了驾驶安全性。  相似文献   
6.
采用TAKEDA基准题验证高效偶阶离散纵标法(HEPSN)的临界计算功能,数值结果表明:有效增殖因数和各区域平均中子通量密度值与基准值吻合良好,堆芯区域的平均中子通量密度误差在0.7%以内,其他区域较扩散理论误差显著减小。相较于传统离散纵标法,HEPSN计算效率更高,需要的存储更小;相较于扩散理论,HEPSN的计算精度更高。因而,高效偶阶离散纵标法在大规模输运计算中具有很好的应用前景。  相似文献   
7.
曹博  贾艳辉  李公平  陈熙萌 《中国物理 B》2010,19(2):26601-026601
Cu thin films are deposited on p-type Si (100) substrates by magnetron sputtering at room temperature. The inter-face reaction and atomic diffusion of Cu/SiO2/Si (100) systems are studied by x-ray diffraction (XRD) and Rutherford backscattering spectrometry (RBS). Some significant results can be obtained. The onset temperature of interdiffusion for Cu/SiO2/Si(100) is 350 C. With the annealing temperature increasing, the interdiffusion becomes more apparent. The calculated diffusion activation energy is about 0.91 eV. For the Cu/SiO2/Si (100) systems copper silicides are not formed below an annealing temperature of 350 C. The formation of the copper silicides phase is observed when the annealing temperature arrives at 450 C.  相似文献   
8.
曹博  包良满  李公平  何山虎 《物理学报》2006,55(12):6550-6555
室温下利用磁控溅射在p型Si(111)衬底上沉积了Cu薄膜. 利用X射线衍射和卢瑟福背散射分别对未退火以及在不同温度点退火后样品的结构进行了表征. 在此基础上,研究了Cu/SiO2/Si(111)体系的扩散和界面反应. 实验结果表明:当退火温度高于450℃时出现明显的扩散现象,并且随着温度的升高,体系扩散现象会更加显著. 当退火温度低于450℃时没有铜硅化合物生成,当温度达到500℃时才有铜硅化合物生成. 关键词: 薄膜 扩散 界面反应 硅化物  相似文献   
9.
Cu/SiO2/Si(111)体系中Cu和Si的扩散及界面反应   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
室温下利用磁控溅射在p型Si(111)衬底上沉积了Cu薄膜.利用X射线衍射和卢瑟福背散射分别对未退火以及在不同温度点退火后样品的结构进行了表征.在此基础上,研究了Cu/SiO2/Si(111)体系的扩散和界面反应.实验结果表明:当退火温度高于450 ℃时出现明显的扩散现象,并且随着温度的升高,体系扩散现象会更加显著.当退火温度低于450 ℃时没有铜硅化合物生成,当温度达到500 ℃时才有铜硅化合物生成.  相似文献   
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