粲夸克偶素P波态χ_（c0）宽度测量

利用北京谱仪在北京正负电子对撞机上采集的３５０万（２Ｓ）事例，通过（２Ｓ）→γπ－和γＫ＋Ｋ－反应道测量了Ｘｃ０的总宽度．由ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ模拟给出的质量分辨函数，利用拟合Ｘｃ２谱形得到的质量分辨作标定后，用于Ｘｃ０宽度的拟合，得到Ｘｃ０的宽度为（１５．０）ＭｅＶ．同时定出了ＸｃＪ（Ｊ＝０，２）到π＋π＝和Ｋ＋Ｋ－的衰变分支比．结果为Ｂ（Ｘｃ０→π＋π－）＝（４．２７±０．２３±Ｏ．６０）×１０－３；Ｂ（Ｘｃ０→Ｋ＋Ｋ－）＝（３．４４±０．２１±０．４７×１０－３；Ｂ（Ｘｃ２→π＋π－）＝（１．５２±０．１７±０．２９）×１０－３和Ｂ（Ｘｃ２→Ｋ＋Ｋ－）＝（５．２±１．１±１．８）×１０－４，其中第一项误差为统计误差，第二项为系统误差。     

第三届非物理类专业大学生物理竞赛试题及解答(1986)

第三届非物理类专业大学生物理竞赛试题及解答（１９８６）试题一、选择题（共５０分）１．（３分）当电桥平衡时，以下几种说法中哪一种是错误的？（Ａ）通过检流计Ｇ的电流为零（Ｂ）ｉ２＝ｉｘ（Ｃ）ｉｓＲｓ＝ｉｘＲｘ（Ｄ）ＵＡ＝ＵＢ（Ｅ）ＵＣ＝ＵＤ２．（４分）把...     

对一道习题的看法

对一道习题的看法刘兆坤（广东省农机学校广州５１０５１５）在黄伟民主编的中专《物理》上册课本第１２６页的习题中，有这样一道题（第３题）：“一个中子以υ１０＝２．０×１０７ｍ／ｓ的速度与静止的氧原子核发生弹性碰撞后，以υ１＝１．７×１０７ｍ／ｓ的速度反弹...     

Tb2Fe17-xSix单晶磁性和窄畴壁的研究

在 Ｔｂ２ Ｆｅ１７ 化合物中用 Ｓｉ 替代 Ｆｅ 观察到晶格参数减小和居里温度升高．平均场理论分析指出, Ｓｉ 对 Ｆｅ 的替代使 Ｆｅ Ｆｅ 间的交换作用明显增强、 Ｔｂ Ｆｅ 间交换作用轻微地减弱．通过拟合 Ｔｂ２ Ｆｅ１７ － ｘ Ｓｉｘ（ ｘ ＝ ００ ,１０ ,２０ ,３０ ,３３） 单晶的磁化曲线,得到了化合物在不同组分和温度下的各向异性常数．在 Ｔｂ２（ Ｆｅ , Ｓｉ）１７ 单晶的磁化和退磁过程中,观察到 Ｓｉ 替代 Ｆｅ 时引起低温下的本征窄畴壁钉扎和矫顽力增强．计及三个各向异性常数的计算以及用 Ｅｇａｍｉ 热激发模型和 Ｈｃ 与 Ｔ 的经验关系,对畴壁能和畴壁厚度的计算都证明了 Ｓｉ 的替代导致了窄畴壁的存在,分析了它们随成分和温度变化的规律．     

1.55μmSi_(1-x)Ge_x光波导与Si_(1-x)Ge_x/Si多量子阱探测器集成的优化设计

对１．５５μｍ波长的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ光波导和Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ多量子阱（ＭＱＷ）红外探测器的集成器件结构进行了系统的分析和优化设计。优化结果为：１）对Ｓｉ１－ｘＧｅｘ光波导，Ｇｅ含量ｘ＝０．０５，脊宽、高和腐蚀深度分别为８、３和２．６μｍ；２）对Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ多量子阱红外探测器，Ｇｅ含量ｘ＝０．５，探测器由厚度为５５０ｎｍ、２３个周期的６ｎｍＳｉ０．５Ｇｅ０．５＋１７ｎｍＳｉ组成，长度约２ｍｍ。结果表明，这种结构器件的内量子效率可达８８％。     

（Ba_1－_xK_x）BiO_3电子结构与超导电性

用第一原理的ＬＤＦＬＭＴＯＡＳＡ超元胞法，模拟由Ｘ射线吸收谱精细结构测定的ＢａＢｉＯ３中，Ｂｉ有两种价态Ｂｉ３＋和Ｂｉ５＋及与之相应的两种不同键长的Ｂｉ—Ｏ八面体，以及Ｋ掺杂对晶体结构的影响．计算了Ｂａ４Ｂｉ４Ｏ１２，（Ｂａ３Ｋ）Ｂｉ４Ｏ１２，（ＢａＫ）Ｂｉ２Ｏ６，（ＢａＫ３）Ｂｉ４Ｏ１２，Ｋ２Ｂｉ２Ｏ６（简记为（４０４），（３１４），（１１２），（１３４），（０２２））五种“样本”的电子结构．结果表明，（４０４）和（３１４）分别为Ｅｇ＝１６ｅＶ及Ｅｇ＝１５ｅＶ的半导体，其它“样本”为金属．总能的分析表明（１３４）是不稳定的，故溶解极限为ｘ＝０５．以“取样”方式按伯努利分布确定任意组分各“样本”的概率，进而计算了（Ｂａ１－ｘＫｘ）ＢｉＯ３电子结构随组分的变化．最后用逾渗模型说明了超导转变温度Ｔｃ在ｘ＝０．２５附近的突变     

i线投影光刻曝光系统的光学设计

叙述具有同轴对准特性的光学投影物镜双远心结构和均匀照明光学系统原理。为了满足ｉ线光刻所需的光学传递函数要求，讨论了光刻分辨率和数值孔径的关系。设计了一种新的双远心投影物镜，其数值孔径ＮＡ＝０．４２，放大倍率Ｍ＝－１／５，像场尺寸１５ｍｍ×１５ｍｍ（直径２１·２ｍｍ），共轭距Ｌ＝６０２ｍｍ。用光学设计程序ＺＥＭＡＸ－ＸＥ计算此ｉ线物镜的像质。设计结果说明，整个视场内波差＜λ／４，ＭＴＦ＞０．５５，当空间频率为７１５ｐａｉｒｌｉｎｅｓ／ｍｍ，使用波长为３６５士３ｎｍ时。可以实现０．７μｍ光刻分辨率；照明均匀器，由８１个小方型透镜组成一方列阵。用本文模拟计算软件ＯＰＥＮＧ计算被照像平面上的光能分布，说明实际系统的照明不均匀性为土２％。     

脉冲激光淀积Ba_（1－x）K_xBiO_3薄膜

我们用熔融法制备了Ｂａ１－ｘＫｘＢｉＯ３氧化物超导体，其超导转变温度２８．５Ｋ，零电阻温度２５．２Ｋ．以此为靶，用脉冲激光淀积技术，制备了Ｂａ１－ｘＫｘＢｉＯ３超导薄膜，Ｔｃ（ｏｎｓｅｔ）＝２４．５Ｋ，Ｔｃ（Ｒ＝０）＝２０．８Ｋ．     

抗癌药物铂络合物构效关系的物理方法研究

本文用Ｘ射线衍射、傅里叶变换红外光谱、差热分析等物理方法研究了抗癌药物铂络合物特性、结构以及构效关系．研究结果表明：ｃｉｓ－［Ｐｔ（ＮＨ３）２Ｃｌ２］属简单斜方晶系,晶格常数ａ＝０．９２２１ｎｍ,ｂ＝０．８７７１ｎｍ,ｃ＝０．６８９０ｎｍ．草酸二氨合铂的结构为斜方晶系,其晶格常数为：ａ１＝１．０７２１ｎｍ,ａ２＝０．６４０２ｎｍ,ａ３＝１．８５７０ｎｍ,并用傅里叶变换红外光谱、差热分析、元素分析等方法对它们理化特性进行了研究     

单功能化氮氧杂大环的合成和晶体结构

首次报道了单功能化氮氧杂大环化合物的合成和晶体结构，该化合物晶体属三方晶系，Ｒ３空间群，其晶胞参数为；ａ＝３．５１９４（１），ｃ＝１．０３９７（１）ｎｍ，Ｖ＝１１．１５３（６），Ｚ＝１８，Ｍｒ＝５５２．８，Ｄｃ＝１．４８２ｇ／ｃｍ＾３，最终偏差因子Ｒ＝０．０４９１，Ｒ＝０．０５９７。     

北京谱仪上J/ψ→γπ~0、γη、γη—'→3γ衰变道的分支比测量

分析Ｊ／ψ衰变终态为三个光子的衰变道，测量得到了衰变道Ｊ／ψ→γπ０和Ｊ／ψ→γη’的分支比分别为Ｂｒ（Ｊ／ψ→γπ０）＝（４．６±１．１）×１０－５和Ｂｒ（Ｊ／ψ→ッη＇）＝（４．１２±０．８２）×１０－３；相对分支比Ｆ（Ｊ／ψ→γη’）／Ｆ（Ｊ／ψ→γη）＝４．７９±０．８５，在实验误差范围内与两个理论模型的预言都能一致。     

（Ba_（1－x）K_x）BiO_3芯态能级随组份的变化

本文用第一原理的ＬＤＦ－ＬＭＴＯ－ＡＳＡ方法，以超元胞Ｂａ４Ｂｉ４Ｏ（１２），（Ｂａ３Ｋ）Ｂｉ４Ｏ（１２），（ＢａＫ）Ｂｉ２Ｏ６，（ＢａＫ３）Ｂｉ４Ｏ（１２），Ｋ２Ｂｉ２Ｏ６五种“样本”计算由于Ｂｉ（＋３）和Ｂｉ（＋５）二种价态以及Ｋ掺杂引起各芯态能级化学位移的变化．“样本”的电子结构与实验相符，即Ｂａ４Ｂｉ４Ｏ（１２）是Ｅｇ＝２．０ｅＶ的半导体，（Ｂａ３Ｋ）Ｂｉ４Ｏ１２是Ｅｇ＝１．６ｅＶ其价带顶有少量空穴的半导体．其余“样本”是金属．芯态的ＬＤＦ本征值经原子模型△ＳＣＦ修正更接近实验值．用正态分布表达各芯态能级除化学位移外各种“环境因子”的影响，结合任意组份五种“样本”的伯努利分布，计算芯态电子能谱随ｘ的变化．结果表明，所有芯态的自旋一轨道分裂与实验完全相符，Ｂｉ（＋３）和Ｂｉ（＋５）二种价态引起各芯态化学位移的变化均小于０．２ｅＶ，Ｋ掺杂使各芯态结合能略有增加，其中Ｂｉ（４ｆ），Ｂａ（５ｄ）约１．３～１．５ｅＶ，其他芯态约０．４ｅＶ，以上计算结果与实验基本一致．     

纳米(Y0.95Eu0.05)2O3及其SiO2气凝胶介孔组装体的制备与光致发光

采用尿素溶胶法合成（Ｙ０．９５Ｅｕ０．０５）２Ｏ３纳米粉,用超临界干燥技术制备了ｎ－（Ｙ０．９５Ｅｕ０．０５）２Ｏ３／ＳｉＯ２气凝胶介孔组装体。结果表明,当Ｙ＾３＋：Ｅｕ＾３＋＝２０：１,均相反应时间为４ｈ,且经６８０℃、４ｈ灼烧热处理后得到的ｎ－（Ｙ０．９５Ｅｕ０．０５）２Ｏ３中,光致发光强度最大（发光峰位于６１２ｎｍ）,以Ｓｉ与２Ｙ摩尔比为１：７的ｎ－（Ｙ０．９５Ｅｕ０．０５）２Ｏ３／ＳｉＯ２气凝胶介孔组装体,经同样条件热６１６ｎｍ）。对产生上述发光强度减弱和峰位红移现象进行讨论。     

随机电报过程引起的光失相的计算

本文计算了红宝石中Ａｌ核自旋跳变引起的Ｒ１［４Ａ２（Ｓ＝－３／２）→２Ｅ（Ｓ＝－１／２）］回波衰减．用随机电报过程描述每个Ａｌ核自旋（ｉ）跳变引起Ｃｒ共振频率的起伏Δｉ，这个过程对光子回波衰减的贡献〈Ｅｉ（ｔ２１）〉可以用解析式表示．首先计算核自旋（ｉ）跳变的总速率Ｗｉ及它引起的Δｉ，求出〈Ｅｉ（ｔ２１）〉．设对Ｃｒ光失相起主要贡献的每个Ａｌ核自旋跳变近似是独立的，所以总的回波强度是所有Ａｌ引起的〈Ｅｉ（ｔ）２１〉的乘积．计算得到非指数的回波衰减，以Ｉ＝Ｉ０ｅｘｐ〔－（４ｔ／ｔｍ）ｘ〕拟合，ｘ＝２．５６，ｔｍ＝５０．６μｓ，与实验及计算机模拟的结果一致     

（Ba1—xKx）BiO3芯态能级随组份的变化

本用第一原理的ＬＤＦ－ＬＭＴＯ－ＡＳＡ方法，以超元胞Ｂａ４Ｂｉ４Ｏ１２，（Ｂａ３Ｋ）ＢｉＯ１２，（ＢａＫ）Ｂｉ２Ｏ６，（ＢａＫ３）Ｂｉ４Ｏ１２，Ｋ２Ｂｉ２Ｏ６五种“样本”计算由于Ｂｉ＾＋３和Ｂｉ＾＋５二种价态以及Ｋ掺杂引起各芯态能级化学位移的变化，“样本”的电子结构与实验相符，即Ｂａ４Ｂｉ４Ｏ１２是ｇ＝－２．０ｅＶ的半导体，（Ｂａ３Ｋ）Ｂｉ４Ｏ１２ｊ Ｅｇ＝１．６ｅＶ其价带顶有不量空穴的半导体，     

势垒区δ掺杂量子阱Ge03Si07／Si／Ge03Si07的子带间跃迁光吸收系数

采用包络函数方法对生长在Ｇｅ０３Ｓｉ０７（００１）衬底上势垒区δ掺杂量子阱Ｇｅ０３Ｓｉ０７／Ｓｉ／Ｇｅ０３Ｓｉ０７的电子能带结构及子带间光吸收特性进行了自洽的计算．对光吸收系数与量子阱的阱宽、δ掺杂位置及δ掺杂密度间的变化关系进行了讨论．最后对由高浓度的二维电子气的退极化效应所引起的频率位移进行了研究     

Pb、La掺杂Bi2201相高质量单晶的生长和表征

自助熔法从富Ｂｉ２Ｏ３ 的Ｂｉ１ ．８ ＋ ｘＰｂ０ ．２Ｓｒ１ ．６５Ｌａ０ ．３５ＣｕＯｙ（ｘ＝ ０ ．１ ,０ ．２,０ ．３ ,０．４ ,０ ．５） 熔体中生长出了高质量的Ｐｂ、Ｌａ 掺杂的Ｂｉ２２０１ 相大单晶,最大尺寸达８ ×４ ×０ ．０５ｍｍ３ ．在生长单晶时不同程度过量的Ｂｉ２Ｏ３ 用作助熔剂,最佳助熔剂含量以及最佳温度控制过程被确定．通过单晶的（００ｌ） ＸＲａｙ 衍射和摇摆曲线以及电子衍射对一块尺寸为４ ×１ ．６ ×０ ．０３ｍｍ３ 的高质量单晶做了结构表征．由试验发现从富Ｂｉ２Ｏ３ 的熔体中生长高质量Ｂｉ２２０１ 相大单晶的关键是合适的助熔剂含量和温度控制过程     

孤立带电导体的电荷分布

本文就孤立导体面电荷密度与表面的曲率的关系进行定性地分析．带电导体处于静电平衡状态时，导体内部电场强度必定处处等于零，即Ｅ内＝０．由Ｅ内＝０，可以直接导出如下几点推论：（１）导体是等势体，表面是等势面；（２）导体表面场强处处与表面垂直；（３）由高斯定...     

（La2／3Ca1／3）（Mn（3—x）／3Gax／3）O3体系巨磁电阻效应和电特性的研究

采用固态反应法制备了（Ｌａ２／３Ｃａ１／３）（Ｍｎ（３－ｘ）／３Ｇａｘ／３）Ｏ３（ｘ＝０．００，０．１０，０．１５，０．２０，０．３０）体系的系列样品。通过系统地测量其零场和１．６特斯拉（Ｔ）磁场下样品的电阻率－温度关系以及一定温度下磁电阻率与磁场的关系，发现随Ｇａ＾３＋替代量的增加其磁电阻率峰和电阻率峰均向低温方向移动，磁电阻率峰值增大，并伴生磁电阻率峰展宽效应。作者认为，上述结果是由于Ｇａ＾３     

拉伸状态NbSe3在纵向磁场下的负磁阻效应

本文研究了准一维电荷密度波材料ＮｂＳｅ３晶须自然状态（ε＝０）和受到拉伸的状态（ε＞０）下在纵向磁场中的磁阻效应．温度Ｔ≤５０Ｋ时，无论自然状态还是拉伸状态（ε＝１．５％）都没有观察到负磁阻．但是，当温度升高到Ｔ＝７０Ｋ，我们观察到ＮｂＳｅ３晶须受到拉伸至ε＝１．５％时有负磁阻效应；进一步增大ε至１．８％，负磁阻效应更明显；不拉伸（ε＝０）则没有磁阻．文中就这个现象进行了讨论．