J/Ψ衰变中的∧,∧γ和∧π~0产生

利用北京正负电子对撞机（ＢＥＰＣ）上的北京谱仪（ＢＥＳ）收集的７．８×１０６个Ｊ／事例，测量得到Ｊ／－Ａ，ＡＡｖ和八八三个衰变道的分支比分别为Ｂｒ（Ｊ／一Ａ八）：（ｌ．０８：：０．０６：：０．２４）ｘ１０－ａ，（ＶＡＡＮ＜ｌ．６ｘｌ０－‘（９０％Ｃｕ，和＆（Ｕ’）＝（２３ｌ０．７ｌｌ０．８）ｌ１０－ｔ：第一个衰变道的角分布为：（１、ａｃｏｓ‘０），ａ＝０．５２０．３３０．１３。     

喷雾热解法制备掺Cr的Al2O3薄膜及其抗腐蚀性能

用喷雾热解法制备出厚为２０００Ａ的掺Ｃｒ的Ａｌ２Ｏ３薄膜。ＸＲＤ和ＸＰＳ分析证明其为无定形的Ａｌ２－ｘＣｒｘＯ３（ｘ＝０．０７２），ＳＥＭ和椭圆仪分析结果验证了薄膜的均匀性。该薄膜表现出良好的绝缘性质和抗腐蚀性能。     

随机电报过程引起的光失相的计算

本文计算了红宝石中Al核自旋跳变引起的R₁[⁴A₂(S=-3/2)→²E(S=-1/2)]回波衰减。用随机电报过程描述每个Al核自旋(i)跳变引起Cr共振频率的起伏Δi,这个过程对光子回波衰减的贡献〈E_i(t₂₁)〉可以用解析式表示。首先计算核自旋(i)跳变的总速率Wi及它引起的Δi,求出〈E_i(t₂₁)〉。设对Cr光失相起主要贡献的每个Al核自旋跳变近似是独立的,所以总的回波强度是所有Al引起的〈E_i(t)₂₁〉的乘积。计算得到非指数的回波衰减,以I=I₀exp〔-(4t/t_m)^x〕拟合,x=2.56,t_m=50.6μs,与实验及计算机模拟的结果一致.     

AlGaN薄膜的微区Raman散射光谱研究

利用微区Ｒａｍａｎ散射技术,对低压ＭＯＣＶＤ生长的不同Ａｌ组分的ＡｌｘＧａ１－ｘＮ薄膜（ｘ＝０,０．０７,０．１５）进行了背散射Ｚ（Ｘ,Ｘ）Ｚ－几何配制下的测量．Ａ１（ＬＯ）模式的声子频移随Ａｌ组分的变化关系为：ω（ＡｌｘＧａ１－ｘＮ）＝（１＋０．２２０ｘ）ω（ＧａＮ）．观察到了Ａ１（ＬＯ）模式由于空间相关效应引起的展宽．Ｅ２模式随Ａｌ组分的的增大产生的移动很微小,但趋于展宽．这被认为是Ｅ２模式的声子频移随Ａｌ组分的增加而增大与其受到的张应力导致的声子频移随Ａｌ组分的增加而减小共同作用的结果．在多种配置下,观察到了Ａｌ０．０７Ｇａ０．９３Ｎ薄膜的Ａ１（ＴＯ）模式、Ａ１（ＬＯ）模式、Ｅ１（ＴＯ）模式和Ｅ２模式．验证了ＡｌｘＧａ１－ｘＮ薄膜的Ｒａｍａｎ选择定则．表明ＡｌｘＧａ１－ｘＮ薄膜具有单模行为．     

以2，2，6，6－四甲基哌啶酮氮氧自由基为自旋探针研究烯烃聚合物的链段运动

用混合型Ｚｉｅｇｌｅｒ－Ｎａｔｔａ催化剂，合成了多种用作原油减阻剂的烯烃聚合物，研究发现Ａｌ（ｉＢｕ）＿３／ＡｌＥｔ＿２Ｃｌ的摩尔比在２－３／７－８，反应时间约为１ｈ左右，能得分子量较大的聚合物，用２，２，６；６－四甲基哌啶酮氮氧自由基为自旋探针，研究了烯烃聚合物的链段运动，发现减阻效率和链段的柔顺性有密切关系。     

Bi—2212相欠掺杂区域的反常输运性质研究

测量了Ｂｉ２Ｓｒ２Ｃａ１－ｘＹｘＣｕ２Ｏ８单晶样品ａｂ平面内电阻率ρａｂ和多晶样品电阻率ρ．热电势Ｓ随温度Ｔ的变化关系（单晶：ｘ的范围从０到０．１５；多晶：ｘ的范围从０到０．４）．在单晶和多晶样品中，都系统地观察到类似于ＹＢａ２Ｃｕ４Ｏ８，ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｙ体系中由于自旋能隙出现而引起的输运性质反常现象．详细地讨论了上述实验结果，并与角分辨率光电子能谱实验（ＡＲＰＥＳ），电子拉曼实验结果进行比较，得出Ｂｉ２２１２相欠掺杂区域的电子相图．     

La1.85-xSr0.15+xCu1-xMxO4(M = Cr, Mn, Fe, Co, Ga, Al)体系的输运性质研究

利用Ｘ－光衍射,电阻率和电势等实验手段,系统地研究了Ｌａ１．８５－ｘＳｒ０．１５＋ｘＣｕ１－ｘＭｘＯ４（Ｍ＝Ｃｒ,Ｍｎ,Ｆｅ,Ｃｏ,Ｇａ ａｎｄ Ａｌ）体系的结构和输运性质。结果表明;所有的三阶离子掺杂都能在较低的掺杂浓度下抑制超导电性,并且引起金属到绝缘体的转变。磁性离子和非磁性离子掺杂引起显著不同的热电势变化,并用ｄ－ｐ杂化态的变化和局域自旋散射来进行分析讨论。     

LaH2分子基态（C2V,A1）的势能函数

在ＱＣＩＳＤ水平上基于相对论紧致有效势（ＲＣＥＰ：Ｒｅｌａｔｉｖｉｓｔｉｃ Ｃｏｍｐａｃｔ Ｅｆｆｅｃｔｉｖｅ Ｐｏｔｅｎ－ｔｉａｌ）方法优化出ＬａＨ２分子的基态为Ｃ２ｖ（Ｘ＾２Ａ１）构型,其〈ＨＬａＨ－１２４４°、平衡核间距Ｒｅ＝２．１９４５Ａ和离子解能Ｄｅ＝５．５９９ｅＶ,并计算出谐振频率：ｖ１＝１２１６．５２１ｃｍ＾－１、ｖ２＝１０８７．４１７ｃｍ＾－１和ｖ３＝２１５６．９５７２ｃｍ＾－１。     

THE SUPERCONDUCTIVITY IN Al-DOPEDY_(1-x)Al_xBa_2Cu_3O_y

本文系统地分析了在Ｙ１－ｘＡｌｘＢａ２Ｃｕ３Ｏｙ（ｘ＝０～０．７）中用Ａｌ替代Ｙ的替代效应．我们发现当ｘ＜０．４时，Ａｌ主要替代在Ｙ位，引起结构畸变，从而导致氧含量的减少和Ｏ－Ｔ相变，转变温度随Ａｌ含量增加而下降．当掺杂量大于０．４，Ａｌ开始占据Ｃｕ（１）和Ｃｕ（２）位，样品变为四方结构，Ｔｃ迅速下降．ＸＰＳ分析表明，Ａｌ的位置依赖于掺杂量，随掺杂浓度的增加Ａｌ依次替代Ｙ，Ｃｕ（１），Ｃｕ（２）．同时我们观察到Ｔｃ和ＣｕＯ２平面间相互作用的正比关系．     

四氯合铜酸苯铵盐的结构及其红外与拉曼光谱研究

制备了四氯四铜酸苯铵盐（Ｃ６Ｈ５ＮＨ３）２ＣｕＣｌ４单晶，Ｍｒ＝１８７．２６，由四园衍射数据确定了晶体结构，晶体属单斜晶系，空间群Ｐ２１／ａ，ａ＝０．７１８４（１），ｂ＝０．７４４８（２），ｃ＝１．５０７０（４）ｎｍ，β＝１００．６７（２）°，Ｖ＝０．７９２４ｎｍ＾３，Ｚ＝２，Ｄｘ＝１．６５０ｇｃｍ＾－３，（Ｍｏ，Ｋａ）＝０．０７１０６９ｎｍ，μ＝４．０５６ｍｍ＾－１，Ｆ（０００）＝３８９，Ｒ＝０