高质量的光刻胶图型及它对Nb／AlOx—Al／Nb隧道结制备的影响

本文用选择铌膜刻蚀或选择铌膜阳极氧化过程研究了全铌隧道结Ｎｂ／ＡｌＯｘＡｌ／Ｎｂ的制备．借助于ＳＥＭ，利用曝光后烘烤处理研究了高质量光刻胶图形的制备工艺，并分析了其对铌结特性的影响．结面积为７μｍ２的铌结具有典型的ＩＶ曲线，在４．２Ｋ时，他们的特性参数Ｖｍ～２０ｍＶ，能隙电压Ｖｇ～２．７ｍＶ，临界电流密度Ｊｃ～３０００Ａ／ｃｍ２，比电阻ρｎ～１μΩｃｍ２．这些铌结能够被直接应用于ｄｃＳＱＵＩＤ．     

YBCO薄膜双晶结DC SQUID的研制

在优化ＹＢＣＯ薄膜的制备工艺和研究双晶结的电流密度Ｊｃ和结的正常态电阻Ｒｎ与结宽的关系的基础上，在角度差为２８度的ＹＳＺ双晶基片上设计和制作了双晶结ＤＣ ＳＱＵＩＤ。双晶结的Ｉ－Ｖ特性基本符合ＲＳＪ模型，结宽为４μｍ的双晶结的正常态电阻Ｒｎ为２．４Ω，在２３．４ＧＨｚ微波辐射场中观察到Ｓｈａｐｒｉｏ微波感应台阶。所研制的结宽为４μｍ的双晶结的ＤＣ ＳＱＵＩＤ最大电压调制深度为１５μＶ，特征电压Ｉｃ     

用MOCVD法在YSZ衬底上制备YBCO膜

用低压ＭＯＣＶＤ多源法在单晶ＹＳＺ和具有双轴取向ＩＢＡＤＹＳＺ的金属基带上沉积了ＹＢＣＯ膜,它们的Ｊｃ（７７．３Ｋ,０Ｔ）分别为～２×１０６Ａ／ｃｍ２和～７×１０４Ａ／ｃｍ２．分析了本试验中的Ｊｃ差别原因．在单晶ＹＳＺ上ＹＢＣＯ高Ｊｃ数值显示了用ＭＯＣＶＤ制备涂层膜导体的潜力     

Ag/Pb(Zr0.53Ti0.47)O3/YBa2Cu3O7-x三端器件构造和性能的研究

应用脉冲激光沉积法和光刻技术我们成功地制作Ａｇ／Ｐｂ（Ｚｒ０．５３Ｔｉ０．４７）Ｏ３／ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ（ＰＺＴ／ＹＢＣＯ）三端器件．为了降低矫顽场,应用变形相界（ｘ≈０．５３）的５５０纳米厚的ＰＺＴ作为门电极,通过优化沉积条件和门电极面积小型化（６×１０－６ｃｍ２）,在６４Ｋ下三端器件门电极显示了极好的电性能,低的矫顽场（～３７ｋＶ／ｃｍ）、大的饱和极化强度（６０μＣ／ｃｍ２）、剩余极化强度（４１μＣ／ｃｍ２）以及击穿电压～３×１０５Ｖ／ｃｍ．对于我们的场效应器件,在±９Ｖ的情况下沟道电阻被调制～３％．     

比波谱导数和零交点法测定混合物含量

Ｐｂ２＋、Ｃｄ２＋、Ｈｇ２＋在ｐＨ６．５的硼砂－盐酸缓冲溶液中,与四（４－三甲铵基苯基）卟啉（ＴＡＰＰ）生成稳定配合物,采用ＫＩ和低聚度聚乙烯醇（ＰＶＡ）增敏、增溶,Ｐｂ２＋、Ｃｄ２＋、Ｈｇ２＋的εｍａｘ分别为ε４８１．５（４．９×１０５Ｌ·ｍｏｌ－１·ｃｍ－１）、ε４５７（７．９×１０５Ｌ·ｍｏｌ－１·ｃｍ－１）、ε４４４．５（８．１×１０４Ｌ·ｍｏｌ－１·ｃｍ－１）。在三吸收峰相互重叠的情形下,利用比波谱导数和零交点法,同时测定它们的含量,Ｐｂ２＋、Ｃｄ２＋、Ｈｇ２＋的检出限分别达４μｇ／Ｌ、２μｇ／Ｌ和１０μｇ／Ｌ。方法计算简便、快速。     

电子束泵浦百焦耳级准分子激光实验研究

利用“闪光二号”相对论电子束加速器研制了百焦耳级ＸｅＣｌ和ＫｒＦ准分子激光器，激光器激活体积２４ｌ，输出口径２０×２０ｃｍ２，泵浦功率密度１．５～２．０ＭＷ／ｃｍ３。ＸｅＣｌ激光器最大能量１３６Ｊ，波长３０８ｎｍ，脉宽５０～１００ｎｓ，峰值功率１．５ＧＷ，采用虚共焦非稳腔技术，束散角达１．３ｍｒａｄ；ＫｒＦ激光最大能量１５７Ｊ，波长２４８ｎｍ，脉宽８０～１００ｎｓ，峰值功率２ＧＷ。     

VO2薄膜对TEACO2激光响应特性的实验研究

报道了ＶＯ２薄膜在ＴＥＡＣＯ２激光照射下的相变特性的实验研究，结果表明：对于本文镀制的ＶＯ２薄膜，在偏置温度为５２℃条件下，ＴＥＡＣＯ２激光入射能量密度为１５０ｍＪ／ｃｍ＾２时，可使ＶＯ２薄膜发生相变，响应时间，５０ｎｓ，恢复时间≈２００μｓ。     

衬底对YBa2Cu3O7-δ单晶超导膜荧光光谱的影响

本文报道的在Ｚｒ（Ｙ）Ｏ２和ＬａＡＩＯ３两种衬底上制备的ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ单晶膜的荧光光谱。样品用原位中空柱状阴极直流磁控溅射法制备。结果表明,随衬底材料的不同呈现不同的荧光光谱分布。沉积在Ａｒ（Ｙ）Ｏ２上的ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ膜的主峰位于２．８５ｅＶ,而沉积在单晶ＬａＡＩＯ３衬底上ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ膜的主峰位于２．１２ｅＶ处,前者由３．０ｅＶ和２．８０ｅＶ两个峰组成,改变激发能可以使它们分离;升高衬底温度出现低能峰,后者为单峰,峰值位置不胡激发能的变化而改变,地结果进行了讨论。     

热稳定法拉第旋转TbYbBiIG磁光单晶及性能

采用高温溶液法，以Ｂｉ２Ｏ３／Ｂ２Ｏ３为助熔剂成功地生长出掺铋复合稀土铁石榴石（ＴｂＹｂＢｉ）３Ｆｅ５Ｏ１２（简称ＴｂＹｂＢｉＩＧ）晶体。晶体外形规则，最大尺寸为７×６×４ｍｍ３，Ｘ射线衍射分析证实，生长的晶体为ＴｂＹｂＢｉＩＧ单相单晶体，扫描电镜能谱分析其组成为Ｔｂ２．０６Ｙｂ０．４６Ｂｉ０．４８Ｆｅ５Ｏ１２。在１．０μｍ～１．７μｍ波段测量出晶体法拉第旋转谱和光吸收谱。当λ＝１．５５μｍ时，在１０°Ｃ～８０°Ｃ温度范围内测得法拉第旋转θＦ的温度系数为ｄθＦ／ｄＴ＝－２．３×１０－２ｄｅｇ·ｍｍ－１Ｋ－１。研究结果表明，ＴｂＹｂＢｉＩＧ单晶体在近红外波段θＦ约为ＹＩＧ单晶的３倍，温度系数小，是制作高性能光隔离器的一种好材料     

Dy^3＋掺杂的氟锆酸盐玻璃的光谱性质

测量了氟锆酸盐玻璃中Ｄｙ＾３＋离子的吸收光谱和荧光光谱。根据Ｄｙ＾３＋离子的吸收光谱,得到氟锆酸盐玻璃中Ｄｙ＾３＋离子的Ｊ－Ｏ参量Ω,Ω３．２９×＾２０ｃｍ＾２,Ω４＝１．５６×１０＾２０ｃｍ＾２,Ω６＝２．４８±１０＾２０ｃｍ＾２,经计算了氟锆酸盐玻璃中ｙ＾３＋离子的发射特性,计算了Ｄｙ＾３＋离子１．３μｍ发射的＾６Ｆ１１／２（６Ｈ９／２）→６Ｈ１５／２跃迁的发射截面σ＝０．６２×１０＾－２０ｃ     

稀土铒离子注入多孔硅的发光

稀土离子Ｅｒ注入多孔硅中．在３５０ｋｅＶ能量，１×１０（１２）～１×１０（１５）／ｃｍ２剂量范围内，注入后的多孔硅仍保持明亮的可见光发射．退火后，在近红外区测到１．５４μｍ附近Ｅｒ（３＋）的特征发射．其发射强度比硅单晶对照样品明显增强，实验表明这增强作用来源于多孔硅的表面发光层．电化学制备过程中在表面层中带入的Ｏ、Ｃ、Ｆ等多种杂质可能是Ｅｒ（３＋）发光增强的原因．     

低压MOCVD生长GaN p—n结蓝光LED

简要报道了采用一种改进的低压金属有机化物化学气相沉积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）方法制备ＧａＮｐ－ｎ结蓝光光发射二极管（ＬＥＤ），介绍了ＬＥＤ的基本特性，这种ＬＥＤ具有良好的Ｉ－Ｖ特性和光谱特性，室温下，在正向电压５Ｖ，正向电流３－２０ｍＡ的条件下，峰值波长为依Ｍｇ的掺杂浓度和退火条件的不同而不同，分别在４２５ｎｍ，４３５ｎｍ和４８０ｎｍ附近，发射谱的半峰宽约为５０ｎｍ。     

MOCVD法在金属基体上制备YBCO超导带

本报道了用ＭＯＣＶＤ静态和动态沉积两种工艺制备ＹＢＣＯ超导带的实验结果。以Ｙ（ＴＭＨＤ）３、Ｂａ（ＴＭＨＤ）２和Ｃｕ（ＴＭＨＤ）２为挥发源，Ｏ２气为反应剂，高纯Ａｒ气为载流气体，在静止和以１０－１５ｃｍ／ｈ带速移动的金属银基体上，制出了有强烈ｃ－轴取向的ＹＢＣＯ超导带。静态沉积样品的Ｊｃ达到１．０４×１０＾４Ａ／ｃｍ＾２，动态沉积样品的Ｊｃ达到１．４×１０＾４Ａ／ｃｍ＾２（７８Ｋ，０Ｔ）。对改…     

在AgGaSe2晶体中TEA CO2激光的倍频产生

用炉温下降法生长出尺寸为φ２０×６０ｍｍ的ＡｇＧａＳｅ２单晶体。在１２ｍｍ长，切角为５５°的ＡｇＧａＳｅ２中，获得了ＴＥＡＣＯ２激光的倍频输出，其功率转换效率为１．１２％。泵浦阈值和破坏阈值分别为３ＭＷ／ｃｍ２和１１ＭＷ／ｃｍ２。还讨论了泵浦束的发散角对二次谐波转换效率的影响。     

Cr￣(4+):YAG可饱和吸收特性测量

测量了Ｃｒ４＋ＹＡＧ材料的可饱和吸收特性，用多种数据分析方法处理了实验结果，Ｃｒ４＋ＹＡＧ的基态吸收截面σｇｓ＝１１×１０－１９ｃｍ２，激发态吸收截面σｅｓ＝１．２×１０－１９ｃｍ２。     

高温超导GdBa2Cu3O7-δ薄膜双晶晶界结特性研究

在晶界夹角为24°的YSZ人工双晶基片上,采用原位直流磁控溅射法制备了高温超导双晶GdBa₂Cu₃O_7-δ超导薄膜。采用光刻技术在晶界上刻出了尺寸5×5μm²的双晶晶界结。在77K下观测了结的直流I-V特性和在10GHz微波辐射下结的Shapiro台阶。这表明我们的人工双晶晶界结具有约瑟夫森弱连接行为。对结的特性进行了初步的理论分析和在实验基础上的数值模拟,模拟结果与RSJ理论符合较好,表明我们的双晶晶界结基本符合RSJ模型。     

新试剂2-(4-安替比林偶氮)-5-二乙氨基苯胺与钯显色反应的研究及应用

在ｐＨ＝５．０ＨＡｃ－ＮａＡｃ缓冲介质中,吐温－８０存在下,２－（４－安替比林偶氮）－５－二乙氨基苯胺（ＡＤＥＡ）与钯生成２∶１红色络合物,λｍａｘ＝５３０ｎｍ,ε＝６．１５×１０４Ｌ·ｍｏｌ－１·ｃｍ－１,钯的含量在０—２０μｇ／２５ｍＬ内符合比耳定律,本方法用于钯催化剂中痕量钯的测定,结果令人满意。     

动态MOCVD法在Ag／Ni复合基体上连续制备YBCO超导带

本报道用ＭＯＣＶＤ方法在以１５ｃｍ／ｈｒ速度连续走带的Ａｇ／Ａｉ复合基体上制备ＹＢＣＯ超导带的结果。所有ＹＢＣＯ超导带的Ｊｃ值为１．３×１０＾４Ａ／ｃｍ＾２；样品主相为ＹＢＣＯ１２３，呈强烈ｃ－轴取向，其衍射峰的摇摆曲线半高宽约为２．８°；另外，还含有少量Ｙ２ＢａＣｕＯ５和ＢａＣｕＯ２杂相，本还用ＳＥＭ和ＥＤＸ对样品沉积层进行了观测分析。     

CuPc／InP（O／I）异质结的电学特性及其引起的Raman效应

本文首次报导了ＣｕＰｃ／ＩｎＰ，Ｈ２Ｐｃ／ＩｎＰ（Ｏ／Ｉ）异质结的整流（Ｊ－Ｖ）特性和电容电压（Ｃ－Ｖ）特性，并研究了Ｏ／Ｉ界面态对ＣｕＰｔ ＬＢ膜Ｒａｍａｎ光谱的影响，这种影响导致了ＣｕＰｃ ＬＢ膜分子产生了新的正则振动模。     

交流偏置的高T_cdcSQUID的1／f噪声

我们把交流偏置反转技术应用于ｄｃＳＱＵＩＤｓ，观察了各级波形，测出了在交流偏置和直流偏置两种情况下ＹＢＣＯ双品结ｄｃＳＱＵＩＤｓ磁通噪声功率谱密度曲线．交流偏置使１／ｆ噪声显著降低，在ＳＨｚ下的磁通噪声功率谱密度由１×１０－６Φ２０／Ｈｚ降到了３×１０－８Φ２０／Ｈｚ．