ZnSe—ZnTe应变层超晶格的纵光学声子模

本文首次利用室温非共振喇曼后向散射测得具有7.3％晶格失配的ZnSe-ZnTe应变层超晶格限制在ZnSe层中的纵光学声子模。计算了限制效应引起的声子模频率的红移,以及弹性应变引起的声子模的移动,它比前者大得多。ZnSe层所受拉伸应变引起声子频率红移,ZnTe层所受压缩应变引起声子频率蓝移。同时在喇曼光谱中观察到由于这种效应导致出现的纵光学声子折叠模。     

ZnSe-ZnTe应变层超晶格远红外反射谱

本文首次报道室温下测量的分子束外延生长的ZnSe-ZnTe应变层超晶格的远红外反射谱.得到了ZnSe、ZnTe横光学声子摸.用长波长超晶格介电理论和多层吸收薄膜理论进行曲线拟合,确定Ⅱ-Ⅵ族ZnS、eZnTe材料的一些基本材料参数,如横光学声子频率、模衰减常数、模振荡强度、高频介电常数等.本文首次报道这些参数.     

Znse—ZnS应变超晶格的吸收光谱及子能带的计算

我们首次观测到ZnSe—ZnS应变超晶格的n=1,n=2两个子能带的重、轻空穴激子的吸收光谱。根据LCAO理论、应变感应能带结构理论与Kronig-Penney模型,首次计算了ZnSe—ZnS应变超晶格势阱中重、轻空穴子能带。计算结果由实验所测量的吸收光谱所验证。文中指出,这一计算方法同样适用于其它半导体超晶格。     

ZnS／ZnSe多量子阱的光调制测试

以DMZn、H2Se和H2S为源，用Ap-MOCVD法在GaAs(100)衬底上生长出了ZnS／ZnSe超晶格量子阱，并用X射线衍射等方法鉴定了超晶格量子阱结构，在带蚀孔的衬底的ZnS／ZnSe超晶格量子阱上，首次观测到皮秒量级的光光调制现象。     

ZnSe－ZnS应变超晶格光学振动模的研究

本文给出了ＣａＡｓ衬底上生长的ＺｎＳｅ－ＺｎＳ应变超晶格的室温Ｒａｍａｎ分析，观测了该超晶格中ＺｎＳｅ子层和ＺｎＳ子层的纵光学振动模（ＬＯ），首次发现在一些样品中ＺｎＳｅ子层的纵光学声子模ＬＯＺｎＳ出现红移，另一些样品中ＬＯＺｎＳｅ出现蓝移，而ＺｎＳ子层的ＬＯＺｎＳ总是向低波数方向移动，并利用限制效应和应变效应给出了解释。     

有限宽度的ZnSe/ZnTe应变超晶格中LA声子的拉曼频移(英文)

考虑到真实超晶格系统的有限宽度会造成晶格的非周期性 ,我们修正了用来决定拉曼频移峰值位置的公式中的倒格矢一项。在线性驰豫应变假设下给出了应变超晶格纵向原子间距的几何模型。在上述理论基础上计算了有限宽度的ZnSe/ZnTe应变超晶格LA声子的拉曼频移。数值计算结果同现有实验结果作了比较 ,符合很好。     

镶嵌在SiO2薄膜中InAs纳米颗粒的Raman散射

对镶嵌在SiO2 薄膜中纳米InAs颗粒的Raman散射谱进行了研究 .与大块InAs晶体相比 ,InAs纳米颗粒的Raman散射谱具有相似的特征 ,即由纵光学声子模和横光学声子模组成 ,但是散射峰宽化并红移 .用声子限域效应解释了散射峰的红移现象 ,并结合InAs纳米颗粒的应力效应解释了红移量与理论值的差异 .     

SiGe／Si应变层超晶格的结构和光散射特性

ＳｉＧｅ／Ｓｉ应变层超晶格是一种亚稳态结构。在高温下，原子互扩散导致异质界面展宽；同时，由晶格失配引起的应变会发生弛豫。这两种现象都将导致超晶格结构的变化。本文证明，利用拉曼散射光谱可以定量地反映这一变化。（１）我们首先把界面陡峭超晶格中折叠纵声学（ＦＬＡ）声子的色散关系和散射强度的理论计算推广到界面展宽的情形。然后，我们分析了测量得到的在不同温度下退火的超晶格样品的ＦＬＡ声子散射谱。通过测量谱和计算结果的比较，得到了不同退火温度下异质界面的展宽或扩散长度。我们也从理论上证实并且在实验上观察到：ＬＦＡ声子在超晶格布里渊区边界的能带分裂随异质界面的展宽而减小。（２）我们定量地分析了ＳｉＧｅ／Ｓｉ超晶格中光学声子的散射谱随退火温度的变化。考虑到原子互扩散引起的合金组份变化以及应变弛豫两大因素，我们发现，对上述合金型ＳｉＧｅ／Ｓｉ超晶格，在８００℃下退火１０分钟，超晶格中由于原子互扩散引起的界面展宽是非常严重的。相比之下，晶格弛豫的大小与材料的生长条件有关。对较低温度（４００℃）下生长的超晶格，晶格弛豫量并不大，仅为１６％。这一结果也得到了Ｘ－射线衍射谱的支持。（３）我们讨论了与ＳｉＧｅ／Ｓｉ应变层超晶格的结     

(CdSe)_l(ZnSe)_3/ZnSe短周期超晶格多量子阱的共振Ramam谱

在(CdSe)_1(ZnSe)_3/ZnSe短周期超晶格多量子阱中,根据一维线性链模型计算的结果与实验结果的比较表明,我们在不同的共振条件下分别观察到了来自多量子阱的阱中和垒中ZnSe限制纵光学声子模的Raman散射。与GaAs/AlAs量子阱的偏振选择定则不同,在共振条件下,我们在两种偏振配置下都观察到了阱中ZnSe限制模LO_1,并认为这种不同可能来源于样品特殊的电子子带结构和光学声子行为。     

静压下(CdTe)_2(ZnTe)_4-ZnTe多量子阱结构的多声子共振拉曼散射

用加静高压的方法改变光学能隙来实现共振条件。在以(CdTe)_2(ZnTe)_4短周期超晶格为阱层,(ZnTe)_(4)为垒层的多量子阱结构中观察到高达四阶的类 ZnTe 纵光学声子模的多声子共振拉曼散射。通过对拉曼位移随压力变化的分析,发现在与(CdTe)_2(ZnTe)_4短周期超晶格共振时测得的类ZnTe 纵光学声子模的频率比与 ZnTe 势垒层共振时测得的 ZnTe 纵光学声子模的频率低4cm~(-1)。并将它归结为在短周期超品格中纵光学声子模的限制效应。在与短周期超品格严格的2LO 声子出射共振条件下观察到了类 CdTe 的2LO 声子的共振拉曼峰。     

分子束外延Zn_（1－x）Cd_xSe／ZnSe超晶格的拉曼光谱

运用分子束外延（ＭＢＥ）技术成功地生长出Ｚｎ１－ｘＣｄｘＳｅ／ＺｎＳｅ超晶格，并对不同的样品进行了拉曼散射光谱的测试。获得了多达５级的ＺｎＳｅ的ＬＯ声子峰和ＺｎＳｅ的ＴＯ声子峰；同时还在频移为１４４ｃｍ－１、３７０ｃｍ－１处观测到了两个新声子峰，估计是来自于ＺｎＣｄＳｅ的声学模和光学模。     

GaAs/AlAs超晶格的近共振喇曼散射研究

本文介绍GaAs/AlAs超晶格的室温近共振喇曼散射测量结果。由于超晶格中Fr?hlich相互作用的共振增强效应,GaAs LO声子偶模的散射得到了很大的增强。和前人的结果一样,在偏振谱我们观察到了偶模。但和前人的结果不同,在退偏振谱中我们观察到的是奇模,而不是偶模。从而证明了在近共振条件下LO声子限制模仍遵从与非共振时一样的选择定则。二级喇曼散射实验结果表明,在偏振谱中二级谱是由两个偶模组合而成,而在退偏振谱中的二级谱与前人的结果不同,由一个奇模与一个偶模组合而成。上述结果与最近提出的黄朱模型的预言是一 关键词：     

Resonant Raman scattering spectra in a ZnCdSe/ZnSe structure with a quantum well and open nanowires

Resonance Raman scattering (RS) spectra of a ZnCdSe/ZnSe sample containing a single quantum well and quantum well-based open nanowires were studied at T=300 K. The longitudinal optical (LO) phonons involved in the formation of the observed spectra of the quantum-well and nanowire regions differ noticeably in energy. The LO phonon energies in the structures under study were calculated taking into account the compositional effect (doping of Cd into ZnSe) and biaxial strain. When excited in the exciton resonance region, RS is shown to occur via free (extended) excitonic states with the involvement of LO phonons of the ZnCdSe strained layer with final wave vectors near the Brillouin zone center. When excited below the excitonic resonance in the ZnCdSe layer, resonance scattering via localized exciton states provides a noticeable contribution to the observed RS lines. Because of the finite size of a localized state, phonons with large wave vectors are involved in these scattering processes. The RS lines produced under excitation in the excitonic region of the thick barrier layers are due to scattering from the ZnSe barrier phonons.     

ZnSe-ZnS超晶格的通光蚀孔及列阵研究

用MOCVD方法在GaAs衬底上生长ZnSe-ZnS超晶格.用化学腐蚀方法在GaAs衬底上开一个通光窗口,使该窗口上仅剩有1～1.8μm厚的生长层.室温下测量了蚀孔后由于化学腐蚀造成生长层表面差异的ZnSe-ZnS超晶格的吸收光谱.研究了带有生长过渡层和无过渡层的超晶格质量对其吸收光谱性能的影响.发现过渡层的存在保护了超晶格激子吸收性能.在此基础上首次采用新工艺在3×3mm2面积上把GaAs衬底金部腐蚀掉,剩下均匀、光滑的ZnSe-ZnS超晶格层,在其上做出了300×300μm2的列阵,为在ZnSe-ZnS超晶格上实现光学双稳的集成化提供了必要条件.     

Raman scattering from confined LO phonons and dispersion relation in GaAs/AlAs superlattices

The Raman scattering from both GaAs and AlAs confined LO phonons for several GaAs/AlAs superlattices is presented. The GaAs confined LO phonons were observed for two narrow GaAs layer samples at room temperature. The frequencies of observed phonons fit fairly well with the theoretical dispersion curves.     

Acoustic,optical, and interface phonons in BeTe/ZnSe superlattices

Raman scattering in a number of BeTe/ZnSe type-II superlattices which share no common cations or anions in the interfaces was studied. Folded acoustic phonons; LO phonons of the first, second, and third order in the ZnSe layers; and Kliewer-Fuchs-type electrostatic interface phonons were observed when excited in resonance with the direct exciton transition in the ZnSe layers. Nonresonant excitation produced LO phonons in the ZnSe and BeTe layers and a high-frequency mechanical interface mode, assigned tentatively to a local vibration of the interface Be-Se bond.     

Fano-like electron–phonon interference in δ-doping GaAs superlattices

The interaction between electron excitations and LO phonons is studied by Raman scattering inδ-doping GaAs superlattices. The Raman spectra measured close to the E₀ +  Δ₀resonance of GaAs present Fano-like coupling of the LO phonons with the quasicontinuum single-particle electron excitations. Due to the self-consistent origin of the electron-energy spectrum in δ-doping superlattices the resonance of the Fano interference was found to be strongly dependent on the electron density as well as the excitation energy.     

分子束外延ZnSe/GaAs材料的拉曼散射研究

用分子束外延(MBE)技术，在GaAa(100)衬底上生长了厚度从0．045μm到1．4μm的ZnSe薄膜。通过室温拉曼光谱的测量对ZnSe薄膜纵光学声子(Longitudinal-opticalphonon)的谱形进行了分析。用拉曼散射的空间相关模型定量分析了一级拉曼散射的型间相关长度与晶体质量之间的关系，结果表明ZnSe外延层的晶体质量随着外延层厚度的减薄是渐渐退化的，这是由于界面失配位错引入外延层所致，理论分析与实验结果相吻合。