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1970年,Leo Esaki和 Ray Tsu首先提出了超晶格的概念[1].他们从量子力学的基本理论推论出超晶格具有电子传输和光学性质的可剪裁性,并指出了可能实现的制备超晶格的方法,即把两种不同的半导体材料交替地生长在一起,形成一种超薄多层结构(组分超晶格).随着分子束外延(MBE)技术的完善和发展,三年后L.L.Chang等人用MBE方法首先成功地实现了Ga_(1-x)AIxAs/GaAs组分超晶格的制备[2].其后 InAs/GaAs,InxGa_(1-x)As/GaAs,InAs/GaSb,AlSb/Gasb 和 GaAs_(x)P_(1-x)/GaAs等各种系列的组分超晶格都相继制成和得以研究. 把 RBS(Ruther… 相似文献
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本文讨论了使用常压金属氧化物化学汽相沉积(MOCVD)技术生长的ZnSe-ZnS应变超晶格的发光特性。ZnSe-ZnS应变超晶格的发射光谱,在高密度激发下通常仅存在一个发射峰;在低密度激发下除带边发射之外,还存在深中心的发射;与低密度激发相比,高激发下发光峰值红移且其半高宽展宽,高质量的ZnSe-ZnS应变超晶格在低激发下,带边发光很强,而深中心发射能被大大抑制,我们观测到一个新的激子发射峰,考虑应变效应与量子限制效应,本文将这一新的发射峰归结为与n=1的轻空穴激子有关的复合发光。
关键词： 相似文献
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我们在对Ⅱ－Ⅵ族ＺｎＳｅ／ＺｎＳ和Ⅲ－Ⅴ族ＧａＳｂ／ＡｌＳｂ应变超晶格进行离子束沟道测试中发现，反常退沟道现象与趋晶格的层厚有密切的关系。通常所认为的［１１０］反常退沟道现象普遍存在于应变超晶格中这一结论并不完全正确。使用我们提出的有效沟道模型及其沟道宽度计算公式完整地解释了这种现象。 相似文献
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本文给出了ＣａＡｓ衬底上生长的ＺｎＳｅ－ＺｎＳ应变超晶格的室温Ｒａｍａｎ分析，观测了该超晶格中ＺｎＳｅ子层和ＺｎＳ子层的纵光学振动模（ＬＯ），首次发现在一些样品中ＺｎＳｅ子层的纵光学声子模ＬＯＺｎＳ出现红移，另一些样品中ＬＯＺｎＳｅ出现蓝移，而ＺｎＳ子层的ＬＯＺｎＳ总是向低波数方向移动，并利用限制效应和应变效应给出了解释。 相似文献
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两年一次的华东六省一市(江苏、浙江、安徽、山东、福建、江西、上海)物理学界的学术交流盛会,于1991年9月22日至28日在江西庐山举行.年会收到论文254篇,其中214篇论文在分组会上作了交流,150篇论文编入了论文集并正式出版.这次年会征集到的论文,内容十分广泛,涉及到凝聚态物理、力学、声学、热学、电磁学、光学、原子与分子物理、核物理、统计物理、天体物理、理论物理等领域,充分反映了华东地区在物理学的理论和应用研究以及大、中学校的教学研究方面所取得的丰硕成果. 中国物理学会和中国物理学会理事长冯端教授分别给年会发来了贺信,对… 相似文献
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