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| ZnS／ZnSe多量子阱的光调制测试 | |
| 引用本文： | 刘大力,李公羽,杜国同,张景林,张源涛,李万成.ZnS／ZnSe多量子阱的光调制测试[J].光子学报,2002,31(Z2):40-42. |
| 作者姓名： | 刘大力 李公羽 杜国同 张景林 张源涛 李万成 |
| 作者单位： | [1]吉林大学集成光电子国家重点联合实验室，长春130012 [2]吉林大学通信工程学院，长春130012 |
| 摘 要： | 以DMZn、H2Se和H2S为源，用Ap-MOCVD法在GaAs(100)衬底上生长出了ZnS／ZnSe超晶格量子阱，并用X射线衍射等方法鉴定了超晶格量子阱结构，在带蚀孔的衬底的ZnS／ZnSe超晶格量子阱上，首次观测到皮秒量级的光光调制现象。 |
| 关 键 词： | ZnS／ZnSe多量子阱 光调制 测试 Ap－MOCVD法 超晶格 硫化锌 硒化锌 X射线衍射 非线性光学 半导体材料 |
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