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1.
A multi-channel front-end ASIC has been developed for a fast neutron spectrometer based on Gas Electron Multiplier(GEM)-Time Projection Chamber(TPC). Charge Amplifier and Shaping Amplifier for GEM(CASAGEM) integrates 16+1 channels: 16 channels for anodes and 1 channel for cathode. The gain and the shaping time are adjustable from 2 to 40 mV/fC and from 20 to 80 ns, respectively. The prototype ASIC is fabricated in0.35 μm CMOS process. An evaluation Print Circuit Board(PCB) was also developed for chip tests. In total 20 chips have been tested. The integrated nonlinearity is less than 1%. The equivalent noise electrons is less than 2000 e when the input capacitor is 50 pF. The time jitter is less than 1 ns. The design and the test results are presented in the paper.  相似文献   
2.
利用型腔体积可控注塑发泡装备制备聚丙烯/无机纳米粒子微发泡复合材料,通过复合材料的流变行为和结晶行为,分析了无机纳米粒子对聚丙烯发泡行为的影响。结果表明:无机纳米粒子有促进气泡异相成核作用,同时无机纳米粒子引入可以提高聚丙烯黏弹响应和降温结晶起始温度,起到了抑制泡孔结构恶化的作用,显著改善了聚丙烯的泡孔结构;在聚丙烯材料中添加纳米CaCO3、纳米OMMT、纳米SiO2进行发泡,以PP/OMMT发泡材料的发泡质量最理想,其泡孔密度和尺寸分别为2×106个/cm3和24.2μm。  相似文献   
3.
建立了气相色谱-电子捕获检测(GC-ECD)法同时测定,及气相色谱-离子阱-多级质谱(GC-IT-MS/MS)法定量确证鱼体中19种有机氯农药(OCPs)残留的检测方法。目标物采用浸渍-振荡法提取,固相萃取(SPE)(脂肪含量≤1.0%)和凝胶色谱(GPC)净化,浓缩,定容后上机测定。草鱼肌肉空白组织中目标化合物的添加浓度为2.0、5.0μg/kg时,GC-ECD法与GC-IT-MS/MS法的回收率分别为72.8%~96%和78.8%~106%,相对标准偏差分别为2.1%~14.9%和4.8%~11%。定量限(S/N=10)分别为0.07~1.44μg/kg和0.10~4.27μg/kg。本方法已成功应用于长江圆口铜鱼体中多种OCPs残留的同时测定。  相似文献   
4.
对于一个关于“抽奖资格”的概率问题,本文运用工程数学中概率论的有关知识进行了数学建模和解答,并进一步引入了随机过程和马尔可夫链的一些概念.  相似文献   
5.
HgCdTe红外探测器离子注入剂量优化研究   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
在中波响应波段的p型Hg0.709Cd0.291Te(MCT)分子束外延生长薄膜上,利用材料芯片技术获得叠加注入不同硼离子剂量的系列大光敏元面积(500μm×500μm)的n-op-p结.通过测量液氮温度下不同离子注入剂量单元的电流-电压特性和对零偏微分电阻R0分析,观测到p-n结的性能与硼离子注入剂量明显的依赖关系.在另一片薄膜材料(镉组分值为0.2743)上通过该方法获得R0A优于现有常规数值的探测器单元. 关键词: p-n结 离子注入 碲镉汞薄膜  相似文献   
6.
B+注入HgCdTe外延材料的红外透射光谱分析   总被引:6,自引:5,他引:1  
运用多层模型和膜系传递矩阵以及非线性二乘法,模拟了B+注入碲镉汞外延材料的红外透射光谱,结果表明B+注入碲镉汞外延材料的红外透射光谱能够很好地理论再现,并由此获得了结区的自由载流子浓度分布、迁移率、面自由载流子浓度以及折射率和消光系数等相关参量,所得结果与微分Hall法测试的结果是一致的.计算结果也表明B+注入HgCdTe导致红外透射率变化的根本原因是注入层的高载流子浓度的等离子效应改变了该层的折射率和消光系数.  相似文献   
7.
 三、界面态连续体的动态响应和分布多年来的大量研究结果表明把界面态处理为局域在半导体界面平面处的经典理论完全不能够解释化合物半导体-绝缘体界面的行为特点,从而使人们逐渐认识到界面态的空间分布特征.图3为半导体界面的能带结构示意图.在实际的I-S界面上,界面态是在绝缘体-半导体界面附近,在能量上和空间上的连续分布体(如图中点所示). 这里以n型半导体为例,通过绝缘体中的界面态对电子的捕获和发射过程说明界面态动态响应的特点.由于势垒△Ec的存在,空间分布的界面态与电子的作用只能依介量子力学的隧道效应得以进行.  相似文献   
8.
本文通过引入非定常流函数,在Levy—Lees坐标下导出了非定常可压边界层的动量方程,并以Box格式将它离散并求解。而非定常能量方程则在物理坐标网格点上直接进行离散,其解法较为简便。采用本文方法首先计算了一个实际的低速非定常紊流边界层;并分别与实验结果及前人的计算进行了对比。本文的计算预示了较大的速度振幅过冲量。在可压流范围内。本文计算了零攻角平板叶栅、零攻角和5°正攻角双凸叶栅三种情况在进口来流简谐扰动条件下的非定常紊流边界层。计算结果表明,递压梯度下的平均速度剖面中出现涡量向壁面的迁移现象。  相似文献   
9.
X射线衍射摇摆曲线的计算机模拟是一种获得材料晶体质量参量的有效方法,其中材料本征摇摆曲线的计算是计算机模拟的基础。用X射线动力学理论计算了Hg1-xCdxTe和Cd1-zZnzTe本征反射率曲线,并研究了组分、膜厚分别对本征反射率和半峰全宽的影响。结果表明Hg1-xCdxTe和Cd1-zZnzTe的本征反射率和半峰全宽与材料组分和厚度有明显的依赖关系,且该依赖关系取决于X射线在材料中的散射和吸收的相对强弱。薄膜的厚度也是直接影响本征摇摆曲线峰形、半峰全宽和反射率的重要因素,当薄膜厚度小于穿透深度时,表征本征反射率曲线的各个参量均与薄膜厚度有直接的关系。对于(333)衍射面,碲镉汞材料厚度大于7μm后,本征反射率和半峰全宽将不再发生明显变化。  相似文献   
10.
本文通过将改进的双自由度振荡叶片结构动力学模型与能够计算带分离的跨音叶栅非定常流场的气动模型相匹配,构成了一个具有气动、结构两个方面的耦合系统,用这两个方面相互迭代的方式来求解该系统以反映问题本身气动和结构相互作用的物理背景,对于两个实际转子的失速颤振边界进行了数值预测并与相应的实验结果及能量法模型计算的结果进行了对比。  相似文献   
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