测试温度对nc-Si∶H膜光致发光特性的影响

利用常规等离子体化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）工艺制备了ｎｃ－Ｓｉ∶Ｈ膜，并对其光致发光（ＰＬ）特性从１０～２５０Ｋ温度范围内进行了变温测量．实验结果指出，随着测试温度升高，ＰＬ峰值能量发生了５４ｍｅＶ的红移，ＰＬ强度在Ｔ＞８０Ｋ后呈指数下降趋势．ＰＬ峰值能量的红移起因于带隙的收缩，而ＰＬ强度的减弱则是由于非辐射复合起了主导作用．     

无序GaInP光致发光谱的温度依赖关系

研究了无序ＧａＩｎＰ样品的温度依赖关系，大低温ＰＬ谱中，谱线呈单峰结构。随着温度从１５Ｋ升高到２５０Ｋ，说地宽从１６ｍｅＶ增大到３１ｍｅＶ，并且发生红移，同时强度减小两个数数量级。     

(AlxGa1-x)0.51In0.49P(x=0.29)PL谱的温度反常现象

对与ＧａＡｓ晶格匹配的四元合金（ＡｌｘＧａ１－ｘ）０．５１Ｉ０．４９Ｐ（ｘ＝０．２９）作了变曙和变激发功率密度的ＰＬ谱研究,发现了ＰＬ谱峰值位置不随激发功率密度的变化而移动,但是出现了随温度变化的反常行为。从１９Ｋ开始温,ＰＬ谱峰先向红端移动,到５５Ｋ左右开始出现蓝移,在８４Ｋ左右蓝移达到最大,而后随着温度的继续升高,ＰＬ谱峰再次工端移动。整个过程与温度呈Ｚ－型关系,而不是通常半导体样品所表现的线     

在Si衬底上异质外延GaAs薄膜变激发强度的近红外光致发光

通过对用ＭＯＣＶＤ（金属有机物化学气相沉积）方法在Ｓｉ衬底上生长的ＧａＡｓ外延薄膜，用不同激发强度下的近红外光致发光研究了液氮温度下峰值能量为１．１３ｅＶ和１．０４ｅＶ两个带谱的发光特性，表明这两个带均属于施主－受主对复合发光。由于发光带中存在着电子－声子耦合，所以应在施主－受主对复合发光能量表示式中计及Ｆｒａｎｋ－Ｃｏｎｄｏｎ位移，从而对复合发光能量表示式进行修正。通过对复合发光带能量随激发强度变化的实验曲线和理论表达式的拟合，确定了峰值为１．１３ｅＶ与１．０４ｅＶ这两个发光带深施主－受主对的束缚能之和分别为０．３００ｅＶ和０．４０１ｅＶ。     

失配应力引起的Ga_xIn_（1－x）P外延层能带隙的移动

本文首次观察了用ＭＯＣＶＤ方法生长的ＧａｘＩｎ１－ｘＰ外延层的能带隙移动，并给出了ＧａｘＩｎ１－ｘＰ外延层光荧光（ＰＬ）峰能量随组分ｘ的变化关系，结果表明ＰＬ是探测混晶组分的简单而有效的方法之一。     

具有Keggin结构的多元杂多化合物的合成与光谱研究

本文合成了一些具有Ｋｅｇｇｉｎ结构的Ｐ－Ｖ－Ｍｏ－Ｗ四元杂多阴离子「ＰＶｘＭｏｙＷ１２－ｘ－ｙＯ４０」＾（３＋ｘ）－的化合物（其中,ｘ＝１,２和３）,并对其进行红外和拉曼光谱研究,可看到化合物的νａｓ（Ｍ＝Ｏｄ）、νａｓ（Ｍ－Ｏｂ－Ｍ）和νａｓＭ－Ｏｃ－Ｍ）的红外伸缩振动峰随着Ｖ原子数目的增加而红移;而钨原子数目的增加一般使之蓝移,但在所研究的ＰＶ２Ｍｏ９Ｗ和ＰＶ３Ｍｏ８Ｗ杂多化合物却出现略为反常     

GaAlAs／GaAs量子阱结构的光致发光研究

阐述了用ＭＯＣＶＤ生长的ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ梯度折射率分别限制量子阱结构及其光学性质。样品经高分辨率光致发光（ＰＬ）测试显示,在１０Ｋ下对于８ｎｍ的单量子阱,通过激发产生的荧光谱半峰宽（ＦＷＨＭ）为６．２ｎｍ,同时具有较高的强度。表明量子阱结构具有陡峭的界面;另外还观察到,Ｘ（ｅ－ｈｈ）峰值位置相对于激发能级的移动。测试结果表明,样品质量符合设计要求,结果令人满意。     

稀磁半导体Cd_（1－x）Fe_xTe的磁光光谱

在７０－３００Ｋ温度范围内测量了组分ｘ为０．０１和０．０４的Ｃｄ１－ｘＦｅｘＴｅ及ＣｄＴｅ的法拉第效应随入射光子能量的变化，首次获得了Ｃｄ１－ｘＦｅｘＴｅ在布里渊区Γ点和Ｌ点的有效ｇ因子及其与温度的关系。给出了Ｆｅ２＋离子与载流子间的ｓｐ－ｄ交换作用常数Ｎ０（β－α）＝（－１．５７±０．０３）ｅＶ。     

硅衬底阳极氧化铝膜的荧光发射研究

报道了用电子束蒸发技术在硅守底上沉积，并于１５ｗｔ％Ｈ２ＳＯ４，温度２５℃和４０Ｖ直流电压条件下阳极氧化铝薄的制备（膜厚约４００ｎｍ）。研究了该阳极氧化铝膜的红外吸收光谱（ＦＴＩＲ）、光致荧光光谱（ＰＬ）和荧光激发光谱（ＰＬＥ）。发现其荧光光谱在２８０￣５００ｎｍ范围内由三个主发射带组成，其峰值分别位于３１２ｎｍ，３６７ｎｍ和４４９ｎｍ。所有这三个ＰＬ带，经分析都与阳极氧化铝膜中的氧化铝膜中的氧空     

中子辐照GaAs快速退火行为的低温光荧光研究

用低温（１０Ｋ）光荧光（ＰＬ）的方法对中子辐照砷化镓中的缺陷及及嬗变掺杂进行了研究，结果表明：低温ＰＬ实验可观察到中子掺杂效应，嬗变掺杂使近导带旋主增加从而使与ＣＡＳ有关的跃迁峰向低低能移动，辐照剂量较低时，嬗变原子Ｇｅ占居Ｇａ位；当辐照剂量较大时，部分嬗变原子Ｇｅ占居Ａｓ全，在高剂量辐照情况下，经８００℃（２０秒）退火，仍有反位缺陷ＧａＡＳ（Ｅｖ＋２００ｍｅＶ）和复合缺陷ＩＧａ－ＶＡｓ存在，在低     

有序GaxIn1—xP（x=0.52）光致发光谱研究

报道了对有序ＧａｘＩｎ１－ｘＰ（ｘ＝０．５２）样品的变温和变激发功率密度的ＰＬ谱的研究。在低温Ｔ＝１７Ｋ，低激发功率密度下，谱线呈双峰结构，在低激发功率密度下升高温度，低能端的发光峰发生热猝灭，并在８５Ｋ完全消失。     

中高能电子和N_2（~1∑_g~＋）、CO（~1∑~＋）弹性散射全截面的计算

此文采用由原子轨道线性组合构成的自洽场分子轨道（ＳＣＦ－ＬＣＡＯ－ＭＯ），用一级玻恩近似（ＦＢＡ）计算了能量为１００－５０００ｅＶ的电子与弹性散射的微分截面和全截面。由于采用了Ｇａｕｓｓ函数的线性组合拟合Ｓｌａｔｅｒ函数的方法（ＳＴＯ－ＫＧ），得到了弹性散射微分截面的解析表达式，使计算大大简化。计算得到的电子和Ｎ２，ＣＯ散射的总截面和实验结果进行了比较，当入射电子的能量大于１ｋｅＶ时，理论值和实验值之间符合得很好。     

C60与聚乙烯咔唑（PVK）键合物和共混物在紫外激光作用下的碳笼增强融合

用飞行时间质谱测量３０８ｎｍ激光熔蚀Ｃ６０化学修饰的聚乙烯咔唑（Ｃ６０－ＰＶＫ）与Ｃ６０／聚乙烯咔唑共混物（Ｃ６０／ＰＶＫ）的产物分布，分析了正负离子质谱，发现明显的碳笼融合现象。比较分析了融合过程的增强机理，认为Ｃ６０与ＰＶＫ间的化学键合以及电荷转移络合分别在Ｃ６０－ＰＶＫ键合物和Ｃ６０／ＰＶＫ共混物的富勒烯融合过程中起了重要作用。     

饱和吸附H原子的Si（100）表面的光学二次谐波研究

测量了Ｓｉ（１００）（２×１）－Ｈ表面和Ｓｉ（１００）（３×１）－Ｈ表面的反射二次谐波强度随温度的变化关系，并与清洁的Ｓｉ（１００）（２×１）表面进行了比较。Ｓｉ（１００）（２×１）表面和Ｓｉ（１００）（３×１）－Ｈ表面的二次谐波强度随温度的上升而单调地减小，Ｓｉ（１００）（２×１）－Ｈ表面二次谐波强度随温度的变化不是单调的，约在４７０Ｋ时信号最大。可以根据二次谐波信号的强度及其随温度的变化关系来确定样品温度和表面结构。     

热核表面能的Thomas－Fermi统计模型理论

用Ｓｅｙｌｅｒ－Ｂｌａｎｃｈａｒｄ动量相关非定域相互作用的含温Ｔｈｏｍａｓ－Ｆｅｒｍｉ统计理论，对半无穷大核物质模型计算了核物质表面能系数σ（Ｔ，δ）随温度Ｔ和不对称度δ的变化，发现在低温Ｔ≤５ＭｅＶ和不对称度δ≤０．２时，可以近似写成σ（Ｔ，δ）＝σ０（Ｔ）［１＋Ｋ（Ｔ）δ２］，其中σ０（Ｔ）和Ｋ（Ｔ）可以拟合成温度Ｔ的二次函数．     

La_(1-x)Ca_xMnO_3薄膜的Raman光谱

测量了１３Ｋ到室温下外延生长的Ｌａ１－ｘＣａｘＭｎＯ３薄膜的Ｒａｍａｎ光谱，发现当冷却样品穿过磁有序温度时，纯的和掺Ｃａ２＋的样品的一些Ｒａｍａｎ模式发生红移，而散射强度在转变点附近形成极大值。为了检查散射张量的对称性，进行了左旋和右旋入射光偏振实验，发现当温度降低时，两种入射偏振下散射强度差明显增大，这表明散射过程中有磁激发涉入。这些事实提出了这类材料中单声子－单磁振子散射机制的可能     

Ⅱ—Ⅵ族稀磁半导体ZnSe／Zn1—xMnxSe超晶格中的应力效应

本文通过Ⅱ－Ⅵ族稀磁半导体超晶格ＺｎＳｅ／Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ的光致发光谱的测量，对其应力效应进行了讨论。样品的组分ｘ＝０．２，０．３，０．４，测量温度为Ｔ＝１１￣３００Ｋ。结果表明：由于应力效应，ＺｎＳｅ／Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ超晶格中的激子能量随ｘ值增加而发生红移。在相同组分下，不同阱、垒宽度比使应力的分布产生明显变化，从而影响超晶格中激子能量。实验与理论计算结果相一致。超晶格中光致发光峰随温度     

PbSe量子点液芯光纤的温度效应

采用三能级系统的速率方程和功率传输方程并考虑温度对各项参数的影响,求解在不同的光纤长度和量子点掺杂浓度时,3.3nm PbSe量子点液芯光纤的发射光谱随温度的变化。发现当光纤长度不同时,随着温度的升高,光谱的峰值位置以相近的速率发生红移,光谱的峰值强度下降。对于较长的光纤,其光强随温度升高的衰减速率较大。当掺杂浓度不同时,随着温度的升高,光谱的峰值位置以相近的速率发生红移,峰值强度以相近的速率衰减。     

稀土Er离子注入InP晶体中Er发光中心的形成和光激发机制

用离子注入法对ＩｎＰ晶体实现高浓度稀土（ＲＥ）Ｅｒ的掺杂，探索了优质材料的制作规律和条件。在低温（１０－２００Ｋ）测量了光致发光谱（ＰＬ），观测到Ｅｒ的尖锐发光峰，其峰值波长１．５３８μｍ，其发光强度较大；研究了该材料的热退火行为，Ｅｒ发光中心的形成和光激活过程；用Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ背散射谱（ＲＢＳ）测量给出了热退火前后注Ｅｒ－ＩｎＰ晶体中Ｅｒ离子浓度的数值及深度分布；并对Ｅｒ发光中心的组成和光     

PrBa_2Cu_3O_（7－δ）膜的电阻率和热电势

在７７Ｋ到３００Ｋ的温度范围内测量了ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ薄膜的电阻率和热电势．通过用变程跳跃（ＶＲＨ）和近邻跳跃（ＮＮＨ）模型的公式拟合实验数据，发现这种材料的电阻率和热电势行为可以用跳跃机制解释．