离子束混合条件下Fe—Dy多层膜的非晶化

在超高真空（１０＾－７Ｐａ）条件下用双源蒸镀法在单晶Ｓｉ和ＮａＣｌ衬底上制备了一系列Ｆｅ，Ｄｙ原子配比的成分调制多层膜。用卢瑟福背散射（ＲＢＳ）和俄歇能谱（ＡＥＳ）分析成分沿厚度的分布，并用掠入射Ｘ射线衍射分析（ＸＲＤ）离子束混合前后的结构。结果表明，随Ａｒ＾＋离子剂量的增加混合量增加，在１０＾１７Ａｒ＾＋／ｃｍ＾２达到均匀混合，同时混合还诱发非晶化，平均成分约为Ｆｅ６０Ｄｙ４０的多晶膜完全转变为     

Fe/Dy非晶多层膜晶化反应的热力学及动力学研究

由Miedema半经验公式计算出了Fe Dy二元系自由能图以揭示Fe Dy非晶多层膜的晶化本质。晶化受热力学和动力学两种因素控制 ,Fe,Dy晶态自由能低于初始非晶态 ,提供了晶化的热力学驱动力 ,而形核势垒及临界晶核尺寸控制了晶化反应的相选择 ,因而中等温度退火时先出现Fe晶粒 ,继而Dy晶粒 ,不出现金属间化合物。     

Fe—RE磁性多层膜的结构稳定性研究

用真空双源蒸镀法在ＮａＣｌ和Ｓｉ单晶衬底上沉积了ＲＥ－Ｆｅ（ＲＥ：Ｄｙ、Ｙ）成分调制多层膜，借助透射电子显微镜（ＴＥＭ）热台及真空退火方式研究了多层膜受热过程中的结构变化规律。受热温度≤２００℃时，多层膜各单层的非晶结构不发生显著变化，且成分调制结构不被破坏，因此，可以认为非昌单支在多层膜在２００℃以下的结构是稳定的。     

中子辐照GaAs快速退火行为的低温光荧光研究

用低温（１０Ｋ）光荧光（ＰＬ）的方法对中子辐照砷化镓中的缺陷及及嬗变掺杂进行了研究，结果表明：低温ＰＬ实验可观察到中子掺杂效应，嬗变掺杂使近导带旋主增加从而使与ＣＡＳ有关的跃迁峰向低低能移动，辐照剂量较低时，嬗变原子Ｇｅ占居Ｇａ位；当辐照剂量较大时，部分嬗变原子Ｇｅ占居Ａｓ全，在高剂量辐照情况下，经８００℃（２０秒）退火，仍有反位缺陷ＧａＡＳ（Ｅｖ＋２００ｍｅＶ）和复合缺陷ＩＧａ－ＶＡｓ存在，在低