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本文在带-带激发条件下,研究了15—150K范围内GaP:N中束缚激子发光与温度的关系。用发光动力学的方法,分析了掺N浓度不同、无辐射复合强弱不同的样品中各发光中心之间的能量转移过程以及同束缚机制相关的发光热猝灭过程。结果表明,无辐射复合在转移和热猝灭过程中超重要作用。由于无辐射复合几率随温度升高而增大,发光热猝灭的表观激活能比发光中心本身热离化的激活能偏大,而且,能量转移越显著,所得的表观激活能越大。对于NN1和NN3中心,发光热猝灭规律的具体分析结果完全符合HTL模型。 相似文献
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本文描述硅光电池绝对单色灵敏度的校准方法,并用于测量0.4μm到1.1μm光谱范围内微小辐射功率、辐照度、辐射强度及发光器件外量子效率等辐射物理量。其灵敏度比热电堆高三个数量级。配合使用积分球装置,对光源的空间不均匀分布辐射功率的测定相当简便,测量范围从6.3nW到310mW。实验测定了最大光谱光效能Km值,并讨论辐射度学及光度学两种测量系统的准确性问题。最后对发光器件光学参数的测量结果进行校验。
关键词: 相似文献
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在室温和低温下,测试了有序Ga0.52In0.48P的时间分辨光致发光谱.对实验结果的分析表明,有序GaInP的发光呈双指数规律衰退.室温下,快过程的时间常数在128~250ps范围,低温77K下则都有所变慢,大约在186~564ps范围内;慢过程的时间常数根据不同样品有很大差异,室温下大约在308~1832ps之间变化,低温77K下,则在纳秒量级,最长的甚至达到28ns以上.对两个过程的时间常数随激发功率密度变化的研究表明,快过程对应于有序区域中载流子的复合,慢过程则对应于有序区域和无序区域的空间分离中
关键词:
时间分辨光致发光谱
III-V族半导体
有序合金 相似文献
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三元合金Ga0.52In0.48P的喇曼散射谱 总被引:1,自引:0,他引:1
采用室温下微区Raman散射方法,观测到了GaInP2的LO双模行为和禁戒的TO模,由于晶格有序导致晶体对称性从Td降低为C3v,从而使禁戒的TO模变为Raman活性。在所有的样品中都观测到了由晶格无序激活的DALA模。在有序样品中,除观测到二级Raman散射峰LO1+LO2以外,还观测到了由超晶格效应所导致的FLA折叠模和LO模的分裂。对LO模峰谷b/a的分析表明,随着晶格有序度的增加,b/a值减小。这是因为:一方面主要是由于禁戒的TO模变为Raman活性所引起的,另一方面,还可能有LO1模和LO2模分裂的贡献。在实验上,可以用b/a值或FLA的强度来表示样品的有序度。 相似文献
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Time-resolved photoluminescence (TRPL) was applied to investigate the transient process in GaP1-xNx (x = 0.12%) alloy. The filling, transferring and decay processes among nitrogen pairs are directly observed. The NN4 pair, either not present or only a small obscure peak under a proper excitation condition in the steady-state photoluminescence spectrum, is well resolved by TRPL. 相似文献
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通过对GaP1-xNx混晶的瞬态发光特性的研究,揭示了在低组分下N杂质从NNi对束缚激子的特性逐渐向高组分下形成GaP1-xNx混晶的杂质带的演变。在较低组分下,样品的发光由NNi对束缚激子及其声子伴线构成,从NN1到NN4的衰减时间分别在90~30ns变化。当组分提高到x~1.3%以上时,样品的发光呈现出一个宽带,并按单指数规律衰减,辐射复合寿命大约在数十个纳秒量级,且随着N组分的增加,寿命相对减小;但在最高组分(x~3.1%)时,其寿命仍与NN4束缚激子的寿命相当(~30ns),说明GaP1-xNx混晶新形成的杂质带仍然保持束缚激子较长的辐射复合寿命。且该杂质带低能端载流子的寿命比高能端载流子的寿命长,导致了其时间分辨谱向低能端的移动。同时在低组分样品的时间分辨谱的测量中,直接观察到了从较浅NN对束缚激子向较深NN对束缚激子的能量传输现象。 相似文献
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