塑料光学元件的清洗、镀膜和胶合

各种塑料光学元件在光学系统中的应用越来越广泛。作为光学元件,必然涉及清洗、镀膜和胶合等工艺技术问题。本文就塑料光学元件的这三个技术作一介绍。     

聚氨酯泡沫塑料磁控溅射镀膜工艺

机械加工后的聚氨酯泡沫塑料，由于破坏了模塑成型的外表面膜层，材料本身多孔隙暴露在空气中，极易受潮、变形，孔隙吸附的气体对真空度有严格要求的镀膜造成极大困难，材质疏松不利于膜层结合，其低熔点的性质也使镀膜工艺的选择受到限制。采用合适的前处理技术和磁控溅射镀膜参数，可以在保证制造精度的前提下镀得一定厚度的不锈钢膜层，为该类产品提供有效的防护。     

JEE—4x型真空镀膜仪功能扩展

报道了对ＪＥＥ－４ｘ型真空镀膜仪蒸发装置的改进以及建立蒸发材料回收装置的具体方法，并介绍了改进后该仪器在高分辨扫描电镜样品制备上的应用实例．实验证明，上述改进不但扩展了ＪＥＥ—４ｘ型真空镀膜仪的制样功能又节省了蒸发材料，集中了离子溅射法及常规高真空镀膜法的优点，完全满足ＳＥＭ样品的分析要求，该方法简单易操作．     

铟（Ⅲ）—向红菲Luo啉络合物极谱吸附波的研究

在ｐＨ＝３．８的磷酸－柠檬酸盐缓冲体系中，铟（Ⅱ）－向红菲Ｌｕｏ啉络合物在单扫描示波极谱仪上于－０。６７Ｖ（ｖｓ．ＳＣＥ）处产生一灵敏的吸附还原波，其二阶导数波灵敏度高，波形好。峰电位Ｉ″ｐ与铟（Ⅲ）浓度在２．０×１０＾－８￣２．０×１０＾－６ｍｏｌ／Ｌ范围内呈良好的线性关系，其检测限为８×１０＾－９ｍｏｌ／Ｌ铟（Ⅲ）。该法用于试剂氧化锌和镀膜玻璃中铟（Ⅲ）的测定，结果较好。     

光谱电化学法研究亚甲基蓝的电还原反应

用极谱法研究亚甲基蓝(MB)的电极吸附过程早有报道.近几年,用光谱电化学法研究其电化学行为又引起了许多人的兴趣.但在光透薄层电极上,由于光程太短,测试溶液浓度较高,导致亚甲基蓝发生聚合,影响实验结果的准确测定.为此本文利用特制的比色皿型长光程薄层光谱电化学池,在低浓度条件下研究其在SnO_2镀膜玻璃电极上的电还原反应.     

烧结型NdFeB永磁体表面有机纳米复合膜的制备及性能

采用自组装分子膜技术在烧结型NdFeB永磁体表面制备了三嗪硫醇三乙基硅烷(TES)自组装分子膜(TES-SAMs), 在TES-SAMs的基础上利用自主开发的有机镀膜技术制备了具有含氟官能团的三嗪硫醇(ATP)有机纳米复合薄膜(TES-ATP). 通过X射线光电子能谱仪(XPS)、傅里叶变换红外(FTIR)光谱仪、椭圆偏振光谱仪、原子力显微镜(AFM)和接触角测量仪对薄膜的表面状况进行评价, 使用UMT-2型摩擦磨损试验机研究TES-SAMs和TES-ATP的微摩擦学性能. 研究结果表明: TES-SAMs和TES-ATP的膜厚分别是5.08和29.78nm; 表面自由能从基体的73.13 mJ·m^-2下降到TES-SAMs的63.69 mJ·m^-2和TES-ATP复合膜的10.19 mJ·m^-2, 且TES-ATP复合膜对蒸馏水的接触角为123.5°, 成功实现了NdFeB表面由亲水到疏水的转换.TES-SAMs和TES-ATP均能有效降低摩擦系数, TES-SAMs的摩擦系数为0.22, TES-ATP的摩擦系数为0.12, 而基体的摩擦系数为0.71; 同时, TES-ATP还表现出良好的抗磨性能. TES-ATP复合膜为微机电系统中的摩擦磨损问题的解决提供了一种新思路.     

不锈钢材料及TiN镀膜处理后PSD测试实验研究

PSD性能是评价电子储存环真空室材料及材料表面处理优劣的一个重要指标.对一约1.5m长不锈钢管道真空室进行了镀TiN薄膜处理,并在合肥光源机器研究用光束线(MSB)的PSD实验站上对该真空室在镀TiN薄膜处理前后分别进行了PSD性能测试实验研究.测试研究结果表明,TiN薄膜处理对于减小不锈钢材料PSD有非常明显的作用.     

不锈钢管道低温溅射镀TiN薄膜技术

 设计了一套适用于加速器细长管道真空室的低温溅射镀TiN薄膜装置。利用该装置，对86 mm×2 000 mm的不锈钢管道真空室进行溅射镀TiN膜实验，并对镀膜实验结果进行分析，得到了适用于加速器管道真空室内壁溅射镀TiN膜的表面处理参数。样品测试结果表明：在压强为80～90 Pa、基体温度为160~180 ℃的镀膜参数下，不锈钢管道内壁获得的TiN薄膜最佳，薄膜沉积速率为0.145 nm/s。镀膜后真空室的二次电子产额明显降低。     

1.3 GHz超导腔的电化学青铜法铌三锡镀膜技术

由于射频超导腔具有高品质因数Q₀,大束流孔径等诸多优势,已被加速器行业广泛应用。目前纯铌腔的性能已经接近理论极限,使用Nb₃Sn薄膜腔代替纯铌腔是突破这一限制的有效手段。铌三锡具有较高的超导转变温度和过热磁场,理论预期可以大幅度提高SRF腔体工作温度和加速梯度。目前,Nb₃Sn薄膜制备技术蓬勃发展,其中锡蒸汽扩散法已经比较成熟,已制备出初步满足工程需求的铌基铌三锡薄膜射频超导腔。但是由于反应温度在1100℃以上,锡蒸汽扩散法无法摆脱纯铌基底,因此不可避免地在机械稳定性、导热性等方面有缺陷,难以满足未来高可靠性加速器的应用。青铜法广泛应用于铌三锡线缆的制备,热处理温度不高于700℃,具有制备铜基铌三锡镀膜腔的潜力。此外,电化学镀膜与其他方式相比,具有成本低、反应过程容易控制、常温常压等明显优势。本工作将上述两种工艺结合起来,研究了电化学方式在1.3 GHz铌基超导腔上镀青铜前驱体,之后热处理合成铌三锡薄膜腔。垂测结果表明,4.2 K下的薄膜腔本征Q₀为6×10⁸左右且仍具很大提升...