| 1.3 GHz超导腔的电化学青铜法铌三锡镀膜技术 |
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| 引用本文： | 路明,潘峰,罗迪迪,李春龙,邬帅,朱同同,初青伟,皇世春,吴安东,谭腾,郭浩.1.3 GHz超导腔的电化学青铜法铌三锡镀膜技术[J].原子核物理评论,2023(1):51-57. |
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| 作者姓名： | 路明 潘峰 罗迪迪 李春龙 邬帅 朱同同 初青伟 皇世春 吴安东 谭腾 郭浩 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院近代物理研究所;2. 中国科学院大学;3. 兰州大学核科学与技术学院 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(12075295)~~； |
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| 摘 要： | 由于射频超导腔具有高品质因数Q0,大束流孔径等诸多优势,已被加速器行业广泛应用。目前纯铌腔的性能已经接近理论极限,使用Nb3Sn薄膜腔代替纯铌腔是突破这一限制的有效手段。铌三锡具有较高的超导转变温度和过热磁场,理论预期可以大幅度提高SRF腔体工作温度和加速梯度。目前,Nb3Sn薄膜制备技术蓬勃发展,其中锡蒸汽扩散法已经比较成熟,已制备出初步满足工程需求的铌基铌三锡薄膜射频超导腔。但是由于反应温度在1100℃以上,锡蒸汽扩散法无法摆脱纯铌基底,因此不可避免地在机械稳定性、导热性等方面有缺陷,难以满足未来高可靠性加速器的应用。青铜法广泛应用于铌三锡线缆的制备,热处理温度不高于700℃,具有制备铜基铌三锡镀膜腔的潜力。此外,电化学镀膜与其他方式相比,具有成本低、反应过程容易控制、常温常压等明显优势。本工作将上述两种工艺结合起来,研究了电化学方式在1.3 GHz铌基超导腔上镀青铜前驱体,之后热处理合成铌三锡薄膜腔。垂测结果表明,4.2 K下的薄膜腔本征Q0为6×108左右且仍具很大提升...
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| 关 键 词： | 射频超导 镀膜 铌三锡 电化学 |
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