全文获取类型
收费全文 | 1470篇 |
免费 | 943篇 |
国内免费 | 552篇 |
专业分类
化学 | 704篇 |
晶体学 | 482篇 |
力学 | 83篇 |
综合类 | 118篇 |
数学 | 199篇 |
物理学 | 1379篇 |
出版年
2024年 | 8篇 |
2023年 | 56篇 |
2022年 | 54篇 |
2021年 | 62篇 |
2020年 | 53篇 |
2019年 | 47篇 |
2018年 | 42篇 |
2017年 | 50篇 |
2016年 | 58篇 |
2015年 | 73篇 |
2014年 | 172篇 |
2013年 | 133篇 |
2012年 | 136篇 |
2011年 | 143篇 |
2010年 | 142篇 |
2009年 | 151篇 |
2008年 | 176篇 |
2007年 | 143篇 |
2006年 | 162篇 |
2005年 | 148篇 |
2004年 | 105篇 |
2003年 | 134篇 |
2002年 | 98篇 |
2001年 | 91篇 |
2000年 | 73篇 |
1999年 | 65篇 |
1998年 | 69篇 |
1997年 | 58篇 |
1996年 | 54篇 |
1995年 | 35篇 |
1994年 | 32篇 |
1993年 | 27篇 |
1992年 | 30篇 |
1991年 | 24篇 |
1990年 | 21篇 |
1989年 | 29篇 |
1988年 | 1篇 |
1987年 | 1篇 |
1986年 | 1篇 |
1985年 | 1篇 |
1984年 | 2篇 |
1983年 | 1篇 |
1982年 | 1篇 |
1959年 | 2篇 |
1951年 | 1篇 |
排序方式: 共有2965条查询结果,搜索用时 78 毫秒
1.
利用热丝化学气相沉积法(HFCVD)在碳化硅基底上制备金刚石薄膜,采用场发射扫描电子显微镜、拉曼光谱仪、原子力显微镜研究了在不同甲烷浓度条件下制备的金刚石薄膜表面形貌及物相组成,在干摩擦条件下通过往复式摩擦磨损实验测试并计算了已制备金刚石薄膜的摩擦系数和磨损率,结合物相分析及摩擦磨损实验结果分析了甲烷浓度的改变对金刚石薄膜摩擦磨损性能的影响。结果表明,由于甲烷气体含量的升高,金刚石薄膜结晶质量下降,薄膜由微米晶向纳米晶转变。摩擦磨损实验结果显示:3%甲烷浓度条件下制备的金刚石薄膜耐磨性较好,磨损率为2.2×10-7 mm3/mN;5%甲烷浓度条件下制备的金刚石薄膜摩擦系数最低(0.032),磨损率为5.7×10-7 mm3/mN,制备的金刚石薄膜的耐磨损性能相比于碳化硅基底(磨损率为9.89×10-5 mm3/mN)提升了两个数量级,显著提高了碳化硅基底的耐磨性。 相似文献
3.
4.
This paper reports that the growth of RuOx(110) thin layer growth on Ru(0001)
has been investigated by means of scanning tunnelling microscope (STM). The STM
images showed a domain structure with three rotational domains of RuOx(110)
rotated by an angle of 120℃.
The as-grown RuOx(110) thin layer is expanded from the bulk-truncated
RuOx(110) due to the large mismatch between RuOx(110) and the
Ru(0001) substrate. The results also indicate that growth of RuOx(110)
thin layer on the Ru(0001) substrate by oxidation tends first to formation
of the Ru-O (oxygen) chains in the [001] direction of RuOx(110). 相似文献
5.
通过反应磁控溅射过程中的等离子体发射光谱,研究了制备ZnO薄膜的沉积温度、氧气流量比例R=O2/(O2+Ar)对Zn和O原子发射光谱的影响,并结合ZnO薄膜的结构和物理性能,探讨了沉积温度在ZnO薄膜生长中的作用.研究结果显示:当R≥0.75%时, Zn的溅射产额随R的增加基本呈线性下降规律.当R介于10%—50%时,氧含量的变化相对平缓,有利于ZnO薄膜生长的稳定性控制.Zn原子发射光谱强度随沉积温度的变化可以分为三个阶段.当沉积温度低于250℃时,发射光谱强
关键词:
ZnO
薄膜生长
反应磁控溅射
等离子体发射光谱 相似文献
6.
用分子动力学方法对5%负失配条件下面心立方晶体铝薄膜的原子沉积外延生长进行了三维模拟.铝原子间的相互作用采用嵌入原子法(EAM)多体势计算.模拟结果再现了失配位错的形成现象.分析表明,失配位错在形成之初即呈现为Shockley扩展位错,即由两个伯格斯矢量为〈211〉/6的部分位错和其间的堆垛层错组成,两个部分位错的间距、即层错宽度为1.8 nm,与理论计算结果一致;外延晶体薄膜沉积生长中,位错对会发生滑移,但其间距保持稳定.进一步观察发现,该扩展位错产生于一种类似于“局部熔融-重结晶”的表层局部无序紊乱-
关键词:
失配位错
外延生长
薄膜
分子动力学
铝 相似文献
7.
This paper reports that the m-plane GaN layer is grown on (200)-plane LiAlO2 substrate by metal-organic chemical wpour deposition (MOCVD) method. Tetragonal-shaped crystallites appear at the smooth surface. Raman measurement illuminates the compressive stress in the layer which is released with increasing the layer's thickness. The high transmittance (80%), sharp band edge and excitonic absorption peak show that the GaN layer has good optical quality. The donor acceptor pair emission peak located at -3.41 eV with full-width at half maximum of 120 meV and no yellow peaks in the photoluminescence spectra partially show that no Li incorporated into GaN layer from the LiAlO2 substrate. 相似文献
8.
碳纳米管(Carbon Nanotubes,CNTs)场发射平面显示器(Field Emission Display,FED)与其他显示器比较显示了其独特优点,被认为是未来理想的平面显示器之一。碳纳米管阴极作为器件的核心部分,其性能的好坏直接影响显示器的性能。针对30~60英寸(76.2~152.4cm)大屏幕显示器所用的厚膜工艺,即采用丝网印刷法制备了碳纳米管阴极阵列,研究了化学气相沉积法在不同温度下生长的CNTs的场发射电流-电压特性,找到了适合FED用碳纳米管的最佳生长温度。结果表明生长温度越高(750℃),CNTs场发射性能越好。并用荧光粉阳极测试这些CNTs的场发射发光显示效果,验证了上述结论。 相似文献
9.
以Cu膜为例,用Monte-Carlo算法模拟了薄膜生长的随机过程,并提出了更加完善的模型.在合理选择原子间相互作用计算方法的基础上,考虑了原子的吸附、在生长表面的迁移及迁移所引起的近邻原子连带效应、从生长表面的脱附等过程.模拟计算了薄膜的早期成核情况以及表面粗糙度和相对密度.结果表明,随着衬底温度的升高或入射率的降低,沉积在衬底上的原子逐步由离散型分布向聚集状态过渡形成一些岛核,并且逐步由二维岛核向三维岛核过渡.在一定的原子入射率下,存在三个优化温度,成核率最高时的最大成核温度Tn、薄膜的表面粗糙度最低
关键词:
Monte-Carlo算法
计算机模拟
薄膜生长 相似文献
10.
利用动力学蒙特卡罗方法模拟了异质外延超薄膜生长中的成核过程.研究了薄膜与衬底的晶格失配对超薄膜生长中成核密度、平均核尺寸、标度关系及生长模式的影响.结果发现产生压(张)应变的晶格负(正)失配使生长过程更早(迟)从成核区进入过渡区,失配越大,这一效应越明显.在相同的沉积条件下,负失配导致超薄膜形成较低的成核密度与较大的平均核尺寸,而正失配则相反.成核密度满足标度关系Ns≈(F/D)χ,随着失配度从-0.04增加到0.02,标度系数χ从0.37逐渐减小到0.33,对应超薄膜生长过程从包含二聚体扩散模式转变到无
关键词:
薄膜生长
成核
晶格失配
蒙特卡罗模拟 相似文献